本発明は、ＣＩＧＳ型の薄膜太陽電池に関する。本発明の特徴は、２つの一体的に形成されたバッファ層、ＣＩＧＳ層（３）上の第１のＡＬＤ Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）バッファ層（７）、および第１の（７）バッファ層上の第２のＡＬＤ ＺｎＯバッファ層８、の使用である。双方のバッファ層は、ＡＬＤ（原子層付着）を使用して同一の処理工程において付着される。本発明はまた、電池を生産する方法および、電池構造の製造のための処理ラインに関する。
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【課題】 低いサーマルバジェットで良好な膜質を有する薄膜堆積を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】 目的とする薄膜の成分元素を含む化合物を含む第１ガスの反応室１１への導入及び停止を行う第１ガス導入系１７と、酸化剤又は還元剤を含む第２ガスの反応室１１への導入及び停止を行う第２ガス導入系２７と、０．１〜１００ミリ秒の投入時間で反応室１１に配置した基板１０の表面に加熱エネルギーを逐次、繰り返し投入する加熱手段１６と、反応室１１を排気する排気系１８と、第１ガスの導入、第１ガスの停止、未反応の第１ガスの排気、第２ガスの導入、加熱エネルギーの投入、第２ガスの停止、及び未反応の第２ガスの排気とからなる一連の手順を１サイクルとし、このサイクルを逐次繰り返し実行する制御手段３０とから薄膜堆積装置を構成する。 （もっと読む）

ウェハは、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分である、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分であるか、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに十分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の露光と露光の間で、または、露光の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。
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【課題】保持部面への副生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】炉口部（基板搬入出用の開口部）２１０を有する処理室２０１と、炉口部２１０を気密に封止する金属から成るシールキャップ（封止部材）２１９と、処理室２０１内でウェハや断熱板等２８５を支持するボート（基板支持部材）２１７と、シールキャップ２１９に回転軸２６８を介して機械的に接続される金属から成り、ボート２１７を保持するボート受部（保持部）２１６と、常温で液体の原料を気化させたガスを少なくとも含む処理ガスを処理室２０１へ供給するガス供給系と、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管（排気系）２３１とを備える。そして、ボート受部２１６ａのボート２１７が保持される側の上面２１１及び側面２１２を石英カバー（石英部材）２８０にて覆うように構成する。 （もっと読む）

【課題】被選択酸化層の酸化量を面内で均一に保ち、酸化量を適正に制御できる半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌとＡｓを含む半導体層を備えたメサを含む半導体試料を水蒸気の雰囲気内に配置し、メサの半導体層の周端から半径方向内側に向かって且つ半導体層の中央部を残して酸化することにより半導体層に電流狭窄部とこれに囲まれた電流注入部を形成する半導体素子の製造方法において、半導体層の酸化処理中に酸化処理を中断する工程と、酸化処理が中断されている間に、半導体素子が収容されている容器に設けた観察窓を介して容器内のメサと容器外の観察手段を接近させて対向させる工程と、観察手段で観察された電流狭窄部の大きさ又は電流狭窄部に囲まれた電流注入部の大きさから酸化進行度を求める工程と、酸化進行度から追加酸化量を求める工程と、追加酸化量だけ半導体層を追加酸化する工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 温度を低くしても優れた特性を得ることができる窒化物半導体の製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体１２をＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法あるいはＭＯＭＢＥ法により形成する際に、窒素の原料としてＮＦ₃ などのハロゲン化窒素ガスを用いる。ハロゲン化窒素ガスは、８００℃以下の低温においても高い分解効率を有しているので、形成時の温度を低くしても窒素を十分に供給することができる。よって、Ｉｎを含む窒化物半導体１２のように熱による劣化が大きいものを形成する際に、温度を低くしても窒素不足が起こらず、優れた特性がえられる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成長）法により、透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するための製膜装置及び製膜方法に於いて、原料を節約し、均一で高品質な膜質を保持しつつ製膜速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】多層透明導電膜連続製膜装置は、基板装着部２と、真空排気を行う仕込み部3と、有機金属化合物（ジエチル亜鉛）とジボランと水を気相で反応させＭＯＣＶＤ法により透明導電膜を基板上に形成する製膜処理部４１〜４ｎを複数有する多層製膜処理部と、基板取り出し部５と、基板取外し部５と、基板セッターを基板装着部へ戻させるセッターリターン部７とからなり、前記各部を順次移動しながら基板に多層透明導電膜を連続的に製膜する。各製膜処理部は、有機金属化合物とジボラン、水の夫々を噴射するノズルを設け、これらを冷却する冷却機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 縦型の処理容器内で加熱された触媒体を用いることにより、低温状態で複数枚の被処理体に対して薄膜を堆積させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 薄膜をＣＶＤにより堆積させる成膜装置において、縦型の処理容器４と、被処理体を多段に保持する被処理体保持手段１２と、被処理体を加熱する加熱手段４６と、処理容器の側壁に、その外側へ凹部状に突出させて高さ方向に沿って形成した凹部状のノズル収容部３４と、ノズル収容部の奥にその高さ方向に沿って設けられて処理容器内へ成膜ガスを供給するガス供給ノズル部３０と、ノズル収容部の開口に臨むように設けられて成膜ガスを活性化させるための金属材料よりなる触媒体５０と、触媒体を加熱するための触媒用電源５８と、ノズル収容部に対向する処理容器側壁に縦長に設けられた排気口３６と、装置全体の動作を制御する制御手段７０とを備えたことを特徴とする成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】 光を用いた半導体薄膜の結晶成長にあたり、結晶品質の優れた半導体薄膜を成長させることができる半導体薄膜の成長方法および装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、成長させるべき結晶膜の種類に応じた原料を反応容器１１内に供給し、反応容器１１内の半導体基板１上に光を照射しながらその照射部分に半導体薄膜を結晶成長させる半導体薄膜の成長方法であり、半導体薄膜の成長過程において、半導体薄膜の表面温度を所定範囲内に保持するように光の出力を調整するものである。光の出力調整は、成長する半導体薄膜の膜厚に応じて行う。本発明の半導体薄膜の成長装置は、照射手段１４を備えており、照射手段１４は、光源からの光の出力を調整する光調整手段１６を有している。 （もっと読む）

【課題】
ＴＭＡの様に大気中に漏洩すると発火するガスで、水や炭酸ガス（ＣＯ2 ）等の様に酸素を含む物質では消火できない原料を用いた基板処理装置に於いて、安全に原料を保管できると共に発火時には速やかに消火を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】
酸素と混合することで発火又は爆発する原料を、基板が収納された処理室内に供給し、基板に所望の処理を行う基板処理装置であって、前記原料を収納する原料タンク３０を気密に収納する収納体３１と、該収納体に接続され、該収納体に常時不活性ガスを供給するガス供給手段３６と、前記収納体内での発火又は爆発を検知する検知手段４６，４７，４８，４９と、前記不活性ガスの供給量を制御する制御手段５２とを備え、該制御手段は、前記検知手段が発火又は爆発を検知した際に不活性ガスの供給量を増大させる。
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処理容器の金属汚染を有効に低減させることができるとともにクリーニングガスによる処理容器の損傷を低減させることができる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。内部に被クリーニング物質が存在し、かつ少なくとも内壁面が（Ａ）ＳｉＣ、（Ｂ）石英、（Ｃ）Ｍｇを０．５−５．０重量％含んだＡｌ系材料、及び（Ｄ）Ｎｉ系材料のいずれかから構成された処理容器の内部にβ−ジケトンを含むクリーニングガスを供給して、基板処理装置をクリーニングする。
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【課題】 気化器の使用を繰り返しても、気化室内における原料の気化効率を極端に低下させることなく、安定的に原料ガスを供給することが可能な気化器および該気化器を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 気化器３０は、気化室３２を形成する壁面に、複数の山形突起４０が設けられ、それぞれの山形突起４０は、気化室３２へ向けて突設され、気化ノズル３５から噴霧されるミストの流れのうち壁面近傍の流れを遮るように作用する。これにより気化室３２の壁面に、気化ノズル３５から噴霧されるミストの流れに対して蔭になる領域が形成される。この蔭になる領域には付着物がほとんど付着することないため、熱交換効率の極端な低下が防止され、ミストの気化性能を安定的に維持できる。 （もっと読む）

【課題】酸化反応の進行度合いを経時追跡することができ、これにより酸化反応を適切に制御することができる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】酸化炉１０内の半導体前駆体１２に白色光源１４から光を照射して、酸化反応中の半導体前駆体１２からの反射光を反射光検出手段１６により検出し、検出した反射光に基づいて、反射率、平均反射率、反射率の変化率、または平均反射率の変化率をコンピュータ１８により演算し、演算結果をモニター２０に表示すると共に、演算結果に基づいて酸化反応を制御し、半導体前駆体１２の酸化可能領域の一部を選択的に酸化して半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 新規素子の開発リードタイムを短縮するとともに、さまざまな種類の材料を用いて開発・製造コストを低減し、かつ、素子の小型化・微細化を図ることができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基板２を内部に収容する容器３と、基板２上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスＧを、容器３内に供給するガス供給手段１１と、基板２に励起線Ｅを照射する複数の励起線源４と、基板２と励起線Ｅとを相対移動させる移動手段６と、所定膜種の膜の成膜位置および成膜状態を検出する成膜検出手段１２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮなどの結晶の原料ガスとして原料酸化物と還元材との還元反応によって生成されたガスを用いる。
【解決手段】 酸化物原料と還元材との反応によって原料ガスを生成する還元反応部と、前記で生成された原料ガスと他の原料ガスとを反応させて結晶を生成し成長させる結晶成長反応部と、前記還元反応部および結晶成長反応部を内部に備える密閉反応容器１とを備え、還元反応部と前記結晶成長反応部とは、それぞれヒータ２ａ、２ｂなどによって独立して雰囲気温度が調整可能となっている。所望量の原料ガスを安価に安定して供給できる。結晶成長反応部では所望の結晶が効率よく生成・成長する。また、原料ガスの供給量を調整して、針状、羽毛状、板状、膜状の所望の形態の結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により半導体層を形成する際の加工寸法誤差を少なくすることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物を含有する感光性ペーストを塗布した後ベークして、基板１上に感光性マスク層を形成する。この感光性マスク層をフォトリソグラフィによりパターニングし、更に酸化処理又は還元処理して、基板１上に金属酸化物を主成分とするエピタキシャルマスク４を形成する。そして、基板１表面のエピタキシャルマスク４が形成されていない領域上にダイヤモンドをエピタキシャル成長させて、半導体ダイヤモンド層５ａ及び５ｂを形成する。エピタキシャルマスク４を除去した後、半導体ダイヤモンド層５ａ及び５ｂ上に夫々ソース電極７及びドレイン電極８を形成すると共に、基板１表面におけるチャネル領域上にゲート絶縁膜６を介してゲート電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質がそれ程良好でない安価なＺｎＯ単結晶基板を用いても、ＭｇＺｎＯ系酸化物素子層を高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶ｃ軸を主表面法線としたＺｎＯ単結晶基板からなる成長用基板１０の主表面上に、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなるバッファ層１１を、少なくともＺｎＯ単結晶基板１０と接する層が、成長雰囲気圧力が１００Ｐａ以上１ＭＰａ以下、成長温度が５００℃以下にそれぞれ設定された気相成長法による低温成長層１１Ａとなるように成長する。該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板５６を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】効率良く塵埃を低減することにより、堆積膜特性の向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】下記の工程、を有することを特徴とする堆積膜形成方法。
（１）減圧可能な反応容器内に、投入ステージにてゲートバルブから被処理基体を設置する工程、
（２）前記反応容器を投入ステージから切り離し、処理ステージに移動させ、被処理基体に堆積膜形成処理を行う工程、
（３）減圧状態にて、前記ゲートバルブより被処理基体を反応容器から取り出す工程、
（４）処理ステージにて、前記反応容器にクリーニング性のガスを用いた、ドライエッチングを実施する工程、
（５）反応容器を処理ステージから切り離し、反応容器メンテナンスステージに移動させる工程、
（６）反応容器メンテナンスステージで、少なくとも前記ゲートバルブのメンテナンスを実施する工程。 （もっと読む）

【課題】高い静電破壊耐性を示す素子を与える窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】〔１〕一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系化合物半導体の製造方法であって、ｐ型コンタクト層とｎ型コンタクト層との間に、５５０〜８５０℃の範囲で５０〜５００ｎｍのノンドープの一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１）で表される窒化物系化合物半導体（Ａ）を設けることを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。〔２〕上記窒化物系化合物半導体（Ａ）とｎ型コンタクト層との間に、９００〜１２００℃の範囲で２０〜６００ｎｍのノンドープの一般式Ｉｎ_dＧａ_eＡｌ_fＮ（ただし、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１）で表される窒化物系化合物半導体（Ｂ）を設けることを特徴とする〔１〕記載の製造方法。 （もっと読む）