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Fターム[5F045AC00]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 導入ガス (14,721)

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【課題】金属機能物質粒子ガスを生成し、当該生成金属機能物質粒子ガスをCVDチャンバー側に供給することが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルを囲繞する筐体とを備えている。前記電極セルは、第一の電極3と、放電空間6と、第二の電極1と、誘電体2a,2bと、平面視において中央部に形成された貫通口PHとを、有する。円筒形状の絶縁筒部21が、貫通口PHの内部に配設されており、円筒形状の絶縁筒部21側面部に噴出孔21xを有する。さらに、プラズマ発生装置は、絶縁筒部21の空洞部21Aに配設される導電性部材を備えている。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第1の反応ガス供給部から基板に対して第1の反応ガスを供給し、第1の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第2の反応ガス供給部から基板に対して、第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスを供給し、基板に吸着される第1の反応ガスと第2の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第1及び第2の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第1の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第1の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第2の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第2の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 (もっと読む)


【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜202上に絶縁膜204が形成されたウエハ12であって、絶縁膜204の一部に開口部206が形成されこの開口部206に金属膜202が露出したウエハ12を処理室106内へ搬送し処理室106内へ少なくともDCSとCl2とを供給してウエハ12の金属膜202上に選択的に第1のSi膜252を形成し、処理室106内へ少なくともDCSを供給してウエハ12の絶縁膜204及び第1のSi膜252上に第2のSi膜254を形成する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板1の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板10および単結晶炭化珪素からなるSiC基板20を準備する工程と、ベース基板10の主面10A上に接触するようにSiC基板20を載置して、積層基板を作製する工程と、積層基板を、SiC基板20よりもベース基板10の温度が高くなるように加熱することにより、ベース基板10とSiC基板20とを接合する工程と、SiC基板20が接合されたベース基板10の、SiC基板20とは反対側の主面10B上にエピタキシャル成長層30を形成する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】膜質のばらつきを抑制しつつ、処理時間を短縮することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を支持する基板支持部220と、基板支持部の周囲から複数の基板を加熱する加熱部230と、基板と直交する方向に離間して配置され、薄膜を形成するためのガスを供給する3つのガス供給部300,320,340と、ガス供給部から供給されるガスの温度を調節する、3つの温度調節部306,326,346と、温度調節部を個別に制御する温度制御部と、を備え、ガス供給部の各々は、原料ガスを供給するための原料ガス供給管302,322,342と、反応ガスを供給するための反応ガス供給管304,324,344と、を備え、温度制御部は、3つのガス供給部のうち、中心側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度が、周辺側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度よりも高くなるように、温度調節部を制御する。 (もっと読む)


【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Wを載置する載置台構造22において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ26が設けられた載置台本体114と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路28が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台116とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 (もっと読む)


【課題】高周波ノイズによる影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ207に電力を供給するヒータ用電源線208に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ212を接続し、ヒータ用電源線208の導電性配線209を被覆した絶縁性の配線被覆部材210の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材211をヒータ207とノイズ除去フィルタ212との間に組み込む。熱電対263の補償導線264に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ262を接続し、補償導線264の導電性配線265を被覆した絶縁性の配線被覆部材266の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材268を熱電対263とノイズ除去フィルタ262との間に組み込む。 (もっと読む)


【課題】炉口に溜まった水を短時間で除去し、製品の生産速度をあげるとともに、デバイス特性不良を少なくすることができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の熱処理装置は、底部に設けられた炉口23を通してプロセスチューブ22内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉2と、前記炉口23を開放可能に閉塞する開閉扉と、前記熱処理炉2の下方に設けられたロード空間3と、前記基板をボート4で保持して前記炉口23を通してロード空間3側からプロセスチューブ22内に搬入するとともに、当該プロセスチューブ22からロード空間3に搬出する昇降リフト5と、前記プロセスチューブ22内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段32と、前記プロセスチューブ22内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段30とを備えている。 (もっと読む)


【課題】第1反応ガスと第2反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第1及び第2反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】本成膜装置は、基板載置領域を一の面に含む回転テーブル;容器内の第1供給領域に配置され、一の面へ第1反応ガスを供給する第1反応ガス供給部;第2供給領域に配置され、一の面へ第2反応ガスを供給する第2反応ガス供給部;第1及び第2反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部からの分離ガスを第1及び第2の供給領域へ向けて供給する分離空間を形成する天井面とを含み、第1及び第2供給領域の間に配置される分離領域;第1及び第2供給領域に設けられる第1及び第2排気口;を備え、第1及び第2排気口の少なくとも一方が、対応する供給領域へ向かって分離領域から供給される分離ガスを、反応ガス供給部が延びる方向に沿った方向に導くように配置される。 (もっと読む)


【目的】
平坦性と配向性に優れ、低欠陥・低転位密度で、基板残留不純物の拡散・蓄積が極めて抑制されたZnO系単結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する
【解決手段】
MOCVD法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、アンモニア(NH)ガスを供給しつつ基板上に600℃ないし850℃の範囲の成長温度でZnO系単結晶層を成長する単結晶成長工程と、上記ZnO系単結晶層上に、n型及びp型ZnO系半導体層のうち少なくとも1つを含むデバイス層を成長する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第1および第2電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体3とを備え、第1および第2電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ9を生成し、被処理基材10を処理する。 (もっと読む)


【課題】処理室内にある複数の基板(ウエハを含む)の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積層保持する基板保持具217と、該基板保持具217に保持された基板200を処理する処理室201と、前記処理室201内の前記基板200の積層方向に延在し、前記基板200の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔248を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部241と、前記処理室201内の圧力を制御する圧力制御部243と、前記基板200の処理中に、複数のガス供給孔248の少なくとも一つのガス供給孔248から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部241、又は前記圧力制御部243を制御するコントローラ280とから構成する。 (もっと読む)


【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第1の元素を含む第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、第1の元素とは異なる第2の元素を第1の絶縁膜に添加してアモルファスである第2の絶縁膜を前記基板上に形成する第2の工程と、第2の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第3の絶縁膜へと相転移させる第3の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第2の元素の添加濃度を制御する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体発光素子の製造において、発光層中のIn偏析に起因する非発光領域の発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、発光層の形成は、III族原料ガスと、第1のアンモニアガスと、第1のキャリアガスとを供給することによりInGaN井戸層を形成する第1の結晶成長工程と、第2のアンモニアガスと、第2のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第1の成長中断工程と、第3のアンモニアガスと、第3のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第2の成長中断工程と、III族原料ガスと、第4のアンモニアガスと、第4のキャリアガスとを供給することによりInGaNを含む障壁層を形成する第2の結晶成長工程とをこの順に含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Wを内部に保持し、ポンプ71により減圧されている成膜室2内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁41により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室2内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁51により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】p型電極のコンタクト抵抗を低減することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】n型GaN基板上に、V族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて、p型GaN層(p型窒化物半導体層)を形成する。次に、p型GaN層にオーミック接触するp側電極を形成する。p型GaN層を形成した後に450℃より高い温度で熱処理を行わない。これにより、p側電極58のコンタクト抵抗を低減することができる。従って、動作電圧を低くすることができるため、発熱による電力消費を低減することができ、高出力でも劣化の少ない長寿命の半導体レーザーを得ることができる。また、コンタクト抵抗が低いため、高速の応答が可能になる。さらに、高温の熱処理を必要としないため、プロセス変動の影響を受けにくく、歩留まりを向上させることができ、低コスト化が可能になる。 (もっと読む)


【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、面内均一性高く成膜処理を行える成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】夫々複数の反応ガスが供給される複数の処理領域91、92と、これらの処理領域91、92の間に設けられ、分離ガスが供給される分離領域Dと、を基板が順番に位置するように、夫々複数の反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給手段31、32及び分離ガスを供給するための分離ガス供給手段41、42と、基板を載置する回転テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させて基板上に反応生成物の層を積層した後、回転テーブル上の基板を鉛直軸回りに自転させ、次いで再び基板が各領域91、92、Dを順番に位置させることによって反応生成物の層からなる薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないクリーニング方法を提供する。
【解決手段】内部に耐熱性非金属部材を有する処理室内で基板に対して成膜を行う工程と、成膜後の基板を取り出した後の処理室内を第1の処理条件とし、耐熱性非金属部材に付着した付着物を除去する第1の除去工程であるSIN膜のクリーニング工程と、第1の処理条件よりも耐熱性非金属部材のエッチングレートが大きくなる第2の処理条件とし、第1の除去工程において、耐熱性非金属部材が付着物と一緒に剥がれることでパウダー状となった耐熱性非金属部材を除去する第2の除去工程であるSIN膜と石英パウダーのクリーニング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室201内に基板200を搬入する工程と、処理室201内に処理ガス232a,bを供給して基板200上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室201内から搬出する工程と、処理室201内にボロンを含むハロゲン系ガス232cを供給して処理室201内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室201内をクリーニングする工程と、処理室201内に酸素系ガス232dを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 (もっと読む)


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