説明

Fターム[5F045AC08]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 導入ガス (14,721) | 有機化合物ガス (3,422) | メチル化合物 (1,539)

Fターム[5F045AC08]に分類される特許

61 - 80 / 1,539


【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。 (もっと読む)


【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ24において気相堆積を用いて基板上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ24を開ける前に、前記第一堆積チャンバ24中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ24から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ26から第一堆積チャンバ24を分離して第一堆積チャンバ24中に存在する反応体が第二堆積チャンバ26における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板を第二堆積チャンバ26へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ26において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を有する半導体素子において、消費電力を増大させず、かつ、大型化することなく、半導体素子の電極に電圧をかけたときに発生する電流コラプス現象を抑制する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体が積層されて形成された半導体素子と、半導体素子に対して積層方向に形成され、外部からのエネルギーの入力なしで半導体素子に光を照射する自己発光体とを備える半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、高精度な流量制御の下でプロセスチャンバへ安定供給できる原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置を提供する。
【解決手段】マスフローコントローラ3を通してキャリアガスGをソースタンク5内へ供給し、恒温部により一定温度に保持して発生させた原料4の飽和蒸気Gをプロセスチャンバへ供給する原料気化供給装置において、前記ソースタンクからの混合ガスGの流出通路に自動圧力調整装置8を設け、その下流側にマスフローメータ9を設け、前記自動圧力調整装置のコントロールバルブ8aを開閉制御することによりソースタンク5の内部圧力Poを所定値に制御する。マスフローコントローラ3によるキャリアガスGの流量Qと前記ソースタンク内圧Poとマスフローメータ9の混合ガスGsの流量QSの各検出値を原料濃度演算部へ入力して原料4の流量Qを演算し、更に原料濃度Kを演算し、表示する。 (もっと読む)


【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板(4インチ基板、6インチ基板)の表面に、1000℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部の鉛直方向に仕切られた複数枚のガス仕切板の間隙から原料ガスを供給する方法において、基板に最も近接するガス仕切板の先端部の温度を300〜700℃に設定し、かつ基板に最も近接するガス噴出口から噴出する原料ガスのガス仕切板の位置における線速が、0.3〜3m/sとなるように原料ガスの供給を調整して基板の表面に窒化ガリウム層の形成を行なう方法とする。 (もっと読む)


【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部(サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等)が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極によるチャネルのポテンシャル制御性を大幅に向上させ、信頼性の高い所期の高耐圧及び高出力を得ることのできる化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、Si基板1と、Si基板1の上方に形成された電子走行層2bと、電子走行層2bの上方に形成された電子供給層2cと、電子供給層2cの上方に形成されたソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6とを含み構成されており、電子走行層2cは、平面視でソース電極4とドレイン電極5とを結ぶ方向と交差する方向に並ぶ複数の段差、例えば第1の段差2ca、第2の段差2cb、第3の段差2ccを有する。 (もっと読む)


【課題】材料の熱膨張係数の差に起因するクラック等を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1上方に形成されたGaN系化合物半導体積層構造3と、基板1とGaN系化合物半導体積層構造3との間に設けられたAlN系の応力緩和層2と、が設けられている。応力緩和層2のGaN系化合物半導体積層構造3と接する面に、深さが5nm以上の窪み2aが2×1010cm-2以上の個数密度で形成されている。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11上に単結晶炭化シリコン膜14を形成する単結晶炭化シリコン膜14の製造方法であって、シリコン基板11の表面に炭化シリコン膜12を形成する第1の工程と、炭化シリコン膜12の表面にマスク材13を形成する第2の工程と、マスク材13に開口部13hを形成し、炭化シリコン膜12の一部を露出させる第3の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板11を加熱し、炭化シリコン膜12を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14を形成する第4の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、5.0×10−4Pa以上かつ0.5Pa以下である。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、閾値電圧を高くする。
【解決手段】第2窒化物半導体層200は、Alの組成比が互いに異なる複数の窒化物半導体層を順次積層した構造を有するため、Al組成が階段状に変化している。第2窒化物半導体層200を形成する複数の半導体層は、それぞれが同一方向に分極している。そしてゲート電極420に近い半導体層は、ゲート電極420から遠い半導体層よりも、分極の強度が強く(又は弱く)なっている。すなわち複数の半導体層は、ゲート電極420に近づくにつれて、分極の強度が一方向に変化している。この分極の方向は、複数の半導体層内の界面において負の電荷が正の電荷よりも多くなる方向である。 (もっと読む)


【課題】六角棒状GaN系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系半導体からなり、m面である表面を有する下地結晶10の前記表面上に、前記下地結晶10のc軸に沿って延びる複数のストライプ22を含むマスク20を形成する工程と、前記マスク22が形成された前記表面の上にGaN系半導体結晶30をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状GaN系半導体結晶の製造方法において、GaN系半導体結晶30は下地結晶10の露出面15から成長し始め、マスク20と略同じ厚さのGaN系半導体結晶膜40がまず形成される。更にGaN系半導体結晶30を成長させ続けると、GaN系半導体結晶膜40の上に六角棒状GaN系半導体結晶30が形成される。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体からなる活性層にn型不純物原子をドーピングした場合であっても、活性層に発生する転位を減少することができる技術、あるいは、活性層の結晶破壊を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】ベース基板と、第1結晶層と第2結晶層とが交互に複数積層された積層構造体と、第3結晶層とを有し、前記ベース基板、前記積層構造体および前記第3結晶層が、前記ベース基板、前記積層構造体、前記第3結晶層の順に位置し、前記第1結晶層が、AlGa1−xN、(但し0≦x≦1)からなり、前記第2結晶層が、AlGa1−yN、(但し0≦y≦1、x≠y)からなり、前記第3結晶層が、AlGa1−zN、(但し0≦z≦1)からなり、前記第1結晶層、前記第2結晶層および前記第3結晶層にシリコン原子を含む半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】逆方向漏れ電流が抑制されてなるとともに二次元電子ガスの移動度が高い半導体素子を提供する。
【解決手段】下地基板1の上にIII族窒化物層群を(0001)結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成したエピタキシャル基板10と、ショットキー性電極9と、を備える半導体素子20において、エピタキシャル基板10が、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1、z1>0)なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層3と、Inx2Aly2N(x2+y2=1、x2>0、y2>0)なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層5と、GaNからなり障壁層5に隣接する中間層6aと、AlNからなり中間層に隣接するキャップ6b層と、を備え、ショットキー性電極9がキャップ層6bに接合されてなるようにする。 (もっと読む)


【課題】 固体原料或いは液体原料を加熱して生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置を用いて流量制御しつつプロセスチャンバへ安定して供給できるようにすることにより、原料の気化供給装置の小型化と、半導体製品の品質向上を図ると共に、原料の残量管理を容易に出来るようにする。
【課題解決手段】 原料を貯留したソースタンクと,ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と,当該原料蒸気供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と,前記ソースタンクと供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が増加することなく、オン抵抗を低くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板の上に形成されたバッファ層21と、バッファ層21の上に形成された遷移金属がドープされている高抵抗層22と、高抵抗層22の一部または高抵抗層上に形成された低抵抗となる不純物元素がドープされた低抵抗領域122と、低抵抗領域122を含む領域上に形成された電子走行層23と、電子走行層23の上に形成された電子供給層25と、電子供給層25の上に形成されたゲート電極31、ソース電極32及びドレイン電極33を有する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が小さく、かつ、ノーマリオフ動作をするデバイスに適した半導体基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられた、IIIa族元素を含む窒化物の第1結晶からなる第1エピタキシャル結晶層と、第1エピタキシャル結晶層上に設けられ、第1結晶よりも大きなバンドギャップを有し、かつ、IIIa族元素及びIIIa族元素の一部を置換したIIIb族元素を含む窒化物の第2結晶からなる第2エピタキシャル結晶層とを備える半導体基板を提供する。上記の半導体基板において、第2エピタキシャル結晶層は、第1エピタキシャル結晶層に格子整合又は疑格子整合してもよい。 (もっと読む)


【課題】複数の基板ホルダーをサセプタにより保持するフェイスダウン型の気相成長装置であっても、1000℃を超える気相成長温度を必要とする3族窒化物半導体のフェイスダウン型の気相成長装置であっても、前記サセプタの重力あるいは加熱による変形を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板1を保持する基板ホルダー2、及び該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ3が備えられた気相成長装置であって、中心部が上向きに凸となるように撓ませたサセプタを、基板ホルダーに回転駆動力を伝達するための回転駆動軸10を介して、上から中心部を押圧して配置した気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム200は、原料ガスXを生成するバブリングユニット212と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスPが導入されることにより、反応室112よりも高圧の混合ガスMを生成する加圧タンク214と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部216と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Lに戻すガス回収部220と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部222と、を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板直上の窒化アルミニウム層の平坦性が低いことに起因する信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板上に配置された、不純物としてシリコンがドープされた領域を有する窒化アルミニウム層20と、窒化アルミニウム層上に配置された、複数の窒化物半導体膜が積層された構造のバッファ層30と、バッファ層上に配置された、窒化物半導体からなる半導体機能層40とを備える。 (もっと読む)


【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板(4インチ基板、6インチ基板)の表面に、1000℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 前記のような基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置を用いた窒化ガリウムの気相成長方法であって、基板表面の温度、基板表面と該基板の対面表面との温度差を適切な範囲内に設定し、かつ基板の位置における原料ガスの線速を適切な範囲内となるように原料ガスの供給を調整して基板表面に窒化ガリウム層の形成を行なう気相成長方法とする。 (もっと読む)


61 - 80 / 1,539