【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】高電圧を印加しても短絡破壊を生じないトランジスタとして動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１０（シリコン基板１０ａ）の上に形成されたバッファ層２１と、バッファ層２１の上に形成されたチャネル層２２と、チャネル層２２の上に形成され、チャネル層２２とヘテロ接合を構成する障壁層２３とを備える。バッファ層２１およびチャネル層２２は、窒化物半導体で形成されている。チャネル層２２は、膜厚を１μｍ以上２μｍ以下とされ、炭素濃度を５×１０¹⁶ｃｍ^-3以下とされている。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】固体前駆体の蒸気濃度が均一でかつ充分に高い濃度のままである、固体前駆体の蒸気を送達するための改良された送達装置および方法を提供する。
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れは２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れおよび第２の流れは一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れにおける固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れのフロー方向、第２の流れのフロー方向および第３の流れのフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとし、凸部の第２軸に沿った幅をＲｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７、及び、ｒｂ／Ｒｂ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ支持部材15を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、このヒータエレメント19aの各端部に設けられる第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とを有するヒータ18、19と、第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とそれぞれ接続される第１の電極部品と第２の電極部品と、第１の電極部品が固定される第１の溝と、第２の電極部品が配置され、ヒータエレメント19aの円周方向において、第１の電極部品と第１の溝との第１の遊びより、第２の電極部品との第２の遊びが大きくなるように設けられる第２の溝とを有するベース28と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマＣＶＤ装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離（Ｅ／Ｈ）、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離（Ｅ／Ｓ）の差Ｄ＝（Ｅ／Ｓ）−（Ｅ／Ｈ）が、
２ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、かつ該距離（Ｅ／Ｓ）が、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】電子のトラッピング現象を緩和すると共に、ヘキサゴナル欠陥の発生を抑制可能な窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に核生成層２を形成し、その核生成層２上に第一の窒化物半導体層３を形成し、その第一の窒化物半導体層３上に、前記第一の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層４を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハ１０の製造方法において、前記第一の窒化物半導体層３を形成する際の成長温度が、前記第二の窒化物半導体層４を形成する際の成長温度よりも低くするものである。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】充分な選択比を備え、また、除去が比較的容易なエッチングストッパ層を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造２０と、高電子移動度トランジスタ構造２０の上に設けられたヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０と、を備え、高電子移動度トランジスタ構造２０とヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０との間には、Ａｓ濃度が１．０×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下のＩｎＧａＡｓＰ層からなるエッチングストッパ層３０を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】低シート抵抗化、リーク電流の低減、および、オーミック電極の接触抵抗の低減を実現する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、チャネル層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた第１電極と、チャネル層の上方に設けられた第２電極とを備え、バリア層は、チャネル層上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、第２の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第３の窒化物系化合物半導体からなり量子準位が形成された量子準位層とを有する半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）