【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板４は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（０≦ｘ≦０．５）からなり、積層方向に沿って組成比ｘが連続的に増大するバッファ層２と、バッファ層２上に形成されたＧａＡｓ層３とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１に、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスを供給しながらＧａＡｓ層の成長温度よりも高い温度で熱処理するステップと、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスの供給を停止して熱処理されたＳｉオフ基板１の温度をＧａＡｓ層の成長温度まで低下させるステップと、Ｓｉオフ基板１上にＧａＡｓ層を成長させるステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートを備えた気相成長装置であって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する中央プレートと、中央プレートを保持する周辺プレートからなり、中央プレートの端面と、中央プレートの端面と向かい合う周辺プレートの側面との間に空間部を設け、空間部は中央プレートの熱膨張による伸長以上の空間を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】
基板上の、またはこの基板を覆う窒化物の核生成層または緩衝層と、
前記窒化物の核生成層または緩衝層上の、またはそれらを覆う半極性窒化物膜であって、この半極性ＩＩＩ族窒化物膜の成長表面は該基板の表面に平行である半極性窒化物膜とを備え、前記窒化物核生成層またはバッファ層の一つ以上の特徴が、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の５μｍ×５μｍの面積あたりの表面凹凸が７ｎｍ未満であり、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の微小構造品質は、ｘ線回折で測定された０．４３°未満の半値全幅（ＦＷＨＭ）を有するロッキング・カーブにより特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にバッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第三ステップと、前記バッファ層の表面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、０．３以上で０．８以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記処理室に有機シリコン系ガスを供給し、前記有機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記処理室に無機シリコン系ガスを供給し、前記無機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、を備えるように半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高特性かつ手頃な価格の複合ＧａＮ基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合ＧａＮ基板１は、比抵抗が１Ωｃｍ未満の導電性ＧａＮ基板１０と、導電性ＧａＮ基板１０上に配置された比抵抗が１×１０⁴Ωｃｍ以上で厚さが５μｍ以上の半絶縁性ＧａＮ層２０と、を含む。本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス２は、上記の複合ＧａＮ基板１と、複合ＧａＮ基板１の半絶縁性ＧａＮ層２０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン置換技術に関し、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、応力を有する異なる材料を堆積することに関し、大気に曝すことなく、エッチングとその後の堆積とを行う方法の提供。
【解決手段】エッチングおよびデポジションによりＣＭＯＳトランジスタの接合領域を形成する方法であって、
第１接合領域２７０を形成すべくゲート電極１９０の隣の基板１２０の第１箇所と、前記基板１２０に第２接合領域２８０を形成すべく前記ゲート電極１９０を介して前記第１箇所とは反対側に位置する前記基板１２０の第２箇所とを除去する工程と、前記第１接合領域２７０と前記第２接合領域２８０とに結晶質材料のエピタキシャル厚みを有する層を形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの封止を破ることなく行う。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】格子定数が下地基板と略等しい乃至同一の単結晶の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるに当たり、当該化合物半導体結晶をクラックフリーのものとして大面積のエピタキシャル半導体基板を提供すること。
【解決手段】半導体バルク結晶の製造に際し、下地基板と化合物半導体単結晶との間に、下地基板と化合物半導体単結晶とが直接接する態様で空洞を形成したり、下地基板の主面に凹凸を形成し、さらに、化合物半導体単結晶のエピタキシャル成長方向に直交する結晶軸の下地基板の格子定数ａ₁と化合物半導体単結晶の格子定数ａ₂の差の比率である格子不整合度（２｜ａ₁−ａ₂｜／［ａ₁＋ａ₂］）を１×１０^-3以下とした。上記空洞や凹凸によりエピタキシャル成長途中におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積のクラックフリーのエピタキシャル半導体バルク結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を歩留まりよく製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を備える空洞含有層を形成する。（ｂ）空洞含有層上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層を形成する。（ｃ）ｎ層上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層を形成する。（ｄ）活性層上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層を形成する。（ｅ）ｐ層上方に、支持基板を接着する。（ｆ）空洞が形成されている位置を境界として、成長基板を剥離する。工程（ａ）または（ｂ）において、空洞を閉じる前に、加熱を行いながら、層を構成する材料の少なくとも一部の供給を減少させる。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 （もっと読む）