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Fターム[5F045AC08]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 導入ガス (14,721) | 有機化合物ガス (3,422) | メチル化合物 (1,539)

Fターム[5F045AC08]に分類される特許

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【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 (もっと読む)


【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び/または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【課題】抵抗加熱ヒータとしてSiCヒータを用いてGaN薄膜を気相成長させる気相成長装置において、SiCヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置1における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板25の加熱手段としてSiCヒータ11を用い、SiCヒータ11によって基板25の温度を1000℃以上に加熱して基板25に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるSiCヒータ11のパージ方法であって、SiCヒータ11をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層12と、複数の量子ドット層12間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層12に含まれる量子ドット12aの組成が、InxGa1-xAsySb1-y(0<x≦1、0<y≦1)で表わされる。中間層には、組成がInaGa1-aAsb1-b(0<a<1、0<b<1)で表わされ、厚さが10nm以上40nm以下のInGaAsP層13、15と、InGaAsP層13、15の底面から10nm以上40nm未満の高さに位置し、厚さが0.3nm以上2nm以下のInP層14と、が含まれている。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、p型層と基板との間に形成されたp側電極と、n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、n側電極に対向する領域を含んで、p型層内、またはp型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のp型層に形成され、p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置され、上面に複数の領域を有するサセプタ120と、サセプタ120と対向し、上記複数の領域の各々に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130とを備える。また、複数の材料ガスを上記複数の領域の数だけ所定の分岐比率で分岐して所定の流量でシャワーヘッド130に導入するための複数のガス分岐機構と、複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合し、複数のガス分岐機構とそれぞれ接続された複数の混合配管と、複数のガス分岐機構を制御する制御部190とを備える。制御部190は、複数のガス分岐機構の各々の上記所定の分岐比率を設定することにより、上記複数の領域のそれぞれにおいて供給される複数の材料ガスの流量を調整する。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】III−V族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板30と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク32と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第1物質層34と、第1物質層上に形成された上部物質層36、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第1物質層は、III−V族物質層であり、該上部物質層は、第1物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第1物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程(ステップ11)と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程(ステップ12)と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板1上に設けられた発光層24を含む化合物半導体層10と、基板1と化合物半導体層10との間に設けられたオーミックコンタクト電極7と、化合物半導体層10の基板1の反対側に設けられたオーミック電極11と、オーミック電極11の表面を覆うように設けられた枝部12bと枝部12bに連結されたパッド部12aとを含む表面電極12と、発光層24のうちパッド部12aと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層24aと、パッド部12aと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層24との間に設けられ、パッド下発光層24aに供給される電流を妨げる電流遮断部13とを備える発光ダイオード100とする。 (もっと読む)


【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置されるサセプタ120と、サセプタ120と対向し、被処理基板10上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130と、シャワーヘッド130に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド130は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 (もっと読む)


【課題】サセプタからの熱逃げが抑制され、かつサセプタ支持部材の熱による破損を防止できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
ヒーター23によってサセプタ21を加熱し、原料ガス導入部13から真空槽11内に原料ガスを導入し、サセプタ21の板部21aの表面に配置された基板51に薄膜を形成する成膜装置10であって、サセプタ21の筒部21bの端部とサセプタ支持部材31との間には、サセプタ21とは別の材質である熱抵抗部材22が配置されており、サセプタ21の熱が熱抵抗部材22で遮られてサセプタ支持部材31に伝わりづらくなっている。 (もっと読む)


【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10では、半導体発光層15は第1導電型の第1半導体層12と第2導電型の第2半導体層14の間に設けられている。網目状の第1電極16は、半導体発光層15と反対側の第1半導体層12上に設けられている。ドット状の第2電極18aは、半導体発光層15と反対側の第2半導体層14上に、第2半導体層14の表面に対して平行な平面視で第1電極16の網目の中心と重なるように設けられている。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Si単結晶基板の(111)主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたAlN結晶層、およびこのAlN層上に堆積された複数のAlGa1−xN(1>x>0)結晶層を含み、これら複数のAlGa1−xN結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなAl組成比xを有しており、複数のAlGa1−xN層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するAlN中間層を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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