【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の製造方法の提供。
【解決手段】下地基板を反応炉内に搬入するステップと、下地基板の上にバッファー層を形成するステップと、バッファー層の上にセパレータ層を形成するステップと、セパレータ層の上に少なくとも二つの温度で半導体層を形成するステップと、下地基板を反応炉から搬出して自然冷却によってセパレータ層を中心に下地基板と半導体層を分離するステップとを含む基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン化された窒化ガリウムのテンプレートの上に酸化亜鉛の半導体エピ層を製作する方法を提供する。
【解決手段】この方法は以下の工程を含む：（1）サファイア基板１０１ａを含む基板１０１上に窒化ガリウム層１０３を少なくとも１０００℃の温度で成長させ；（2）SiO₂マスク１０５を窒化ガリウム１０３上で配向した開口１０７にパターン化し；（3）成長温度と反応器を選択することによって結晶面を制御して（ELO）窒化ガリウム層のエピタキシャル横方向異常成長を行い、窒化ガリウム層１０３から開口１０７の配列を通して成長した窒化ガリウム層１０９（テンプレート）が形成され；（4）この窒化ガリウムテンプレート上に単結晶酸化亜鉛半導体層１１１を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】堆積速度が速く、好ましくは約７００℃以下のような低いプロセス温度を維持し、置換型炭素濃度が高い、ＳｉとＣを含有する選択エピタキシャル層を得る方法を提供する。
【解決手段】基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも一つの第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、プロセスチャンバ内の圧力を少なくとも３００トールに維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンがドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成するステップと、７００℃以下のプロセスチャンバ内の温度の下で、ＨＣｌを含むエッチングガスに該基板をさらすことにより該基板を更に処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒ素（Ａｓ）を高濃度にドーピングした状態でエクステンション領域のエピタキシャル成長膜表面に凹凸を発生させることなく、平滑な面に形成することを可能とする。
【解決手段】半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３を備え、前記ゲート電極１３の両側の前記半導体基板１１上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域１７、１８を備えた半導体装置１であって、前記エクステンション領域１７、１８は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなり、このエピタキシャル成長膜は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板１１上に選択的にエピタキシャル成長させて形成される。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１の放射温度計の第１の温度検出手段と、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、温度を検出する第２の温度検出手段とを有し、前記第１の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第２の温度検出手段に切り替え、前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第１の温度検出手段に切り替え、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、加熱手段の制御を切り替える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗（表面比抵抗が２０Ω／□以下）であり、結晶性が良好（ＸＲＤ半値幅が５０秒以上１００秒以下）な窒化物半導体テンプレート、及びそれを用いた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体テンプレート１０は、基板１１と、基板１１上にＯ（酸素）が添加されたＯ添加層としてＯドープＧａＮ層１３を形成し、ＯドープＧａＮ層１３上にＳｉが添加されたＳｉ添加層としてのＳｉドープＧａＮ層１４を形成してなるIII族窒化物半導体層２２とを備え、III族窒化物半導体層の全体の膜厚が４μｍ以上１０μｍ以下であり、ＳｉドープＧａＮ層１４におけるＳｉの平均キャリア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ガスクリーニングの際に供給されるＯ₂に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、ＳｉＣ成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内２２内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート１５を反応室２２に搬入し、反応室２２内を所望の圧力（真空度）、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ４２，４５、およびバルブ４６，４９を制御し、クリーニングガス（Ｃｌ₂、Ａｒ）を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってＯ₂ガスが発生する。この発生したＯ₂ガスが、ＳｉＣ膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内２２内のクリーニングが行われる。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エピタキシャル成長工程前のエッチング工程においてエッチング量の面内均一性を改善することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面をエッチングするエッチング工程後、前記シリコン単結晶基板の表面に原料ガスを用いてエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長工程を行うエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エッチング工程において、エッチングガスとキャリアガスに前記原料ガスを含めたガスで前記シリコン単結晶基板の表面をエッチングすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去する際、エッチング終点を正確に検出し、反応室内のダメージを抑え、歩留り、生産性を向上させることが可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、ウェーハが所定温度となるようにヒータの出力を制御し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、反応室よりウェーハを搬出し、反応室内にエッチングガスを供給して、反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、ヒータの出力が所定量に制御されるときの支持部上の温度である第１の温度の変動、又は第１の温度が所定温度となるように制御されるヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の形成に際し、半導体基板を支持するサセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減し、サセプタのエッチング処理の時間の低減する気相成長方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２の表面の少なくとも一部をＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。そして、サセプタ１０２上でシリコンウェハ１０１を加熱しながら、シリコンウェハ１０１上に原料ガスを供給し、サセプタ１０２上への原料ガスに起因する膜の付着を抑制して、シリコンウェハ１０１上にエピタキシャル膜を成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）