説明

Fターム[5F045AC14]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 導入ガス (14,721) | 水素以外のキャリアガスを使用 (2,784)

Fターム[5F045AC14]の下位に属するFターム

Fターム[5F045AC14]に分類される特許

1 - 16 / 16


【課題】下地膜の結晶性の影響を抑え、高誘電率の結晶構造としたキャパシタ絶縁膜とする。
【解決手段】基板200の上に形成された結晶質膜310の上に非晶質膜320を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜320の上に結晶質膜310の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜330を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。結晶性絶縁膜形成工程においては、基板200を加熱して前記絶縁膜330の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 プラズマCVD法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマCVD装置を用い、式Si2n+2(ここで、nは2以上の数を意味する)で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマCVDを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜401を第1の処理部により窒化する第1の工程と、窒化された酸化膜401n上に第2の処理部によりシリコン酸化膜402を形成する第2の工程と、シリコン酸化膜402を第1の処理部により窒化402nする第3の工程と、を有し、第1の工程を実施した後、第2の工程と第3の工程とを1サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】切替部30によって処理媒体供給部10から処理媒体70をチャンバ40に供給することにより基板50の表面51側に埋め込み膜60を形成する成膜工程と、切替部30によってエッチング媒体供給部20からエッチング媒体80を供給することにより溝53の開口部側に形成された埋め込み膜60をエッチングするエッチング工程と、を繰り返し行う。これにより、溝53の開口部側に形成された埋め込み膜60をエッチング媒体80によって選択的にエッチングして溝53の開口部が埋め込み膜60によって閉塞されることを抑制しつつ、基板50の表面51側に成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】成膜原料から形成されたパーティクルの配管等への付着を防止すると共に、成膜原料を除害する。
【解決手段】超臨界流体に成膜原料が溶解した処理媒体をチャンバ16から冷却装置17に導入し、該冷却装置17によって臨界温度以下に冷却して超臨界流体を液体溶媒40に変化させる。これにより、液体溶媒40と成膜原料とに分離する。次に、液体溶媒40と成膜原料とをトラップ18に導入し、トラップ18に備えられたトラップ溶媒30に成膜原料を溶解する。そして、トラップ18から減圧バルブ19に液体溶媒40を導入し、減圧バルブ19によって液体溶媒40を減圧することにより気化させる。以上により、成膜原料を回収すると共に液体溶媒40のみを気化できるので、成膜原料が核化したパーティクルが発生することはない。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】ヒータ23に第1の電圧を印加する間に基板30の表面31側よりも裏面32側の温度上昇速度を大きくする第1の工程と、ヒータ23に第2の電圧を印加する間に基板30の裏面32側よりも表面31側の温度下降速度を大きくする第2の工程とを繰り返し、基板30の表面31側と裏面32側との間の温度勾配を大きくすることにより基板30の表面31側に成膜を行う。これにより、基板30の表面31側と裏面32側との温度変化速度に差を生じさせ、基板30の表面31側と基板30の裏面32側との温度差を大きくする。したがって、溝33の底部における成膜の速度が溝33の開口部側よりも速くなり、溝33の底から順に成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】省スペースで簡単な構造でありながら、被処理体の表面に薄膜を形成する処理容器から排出される排気ガス中から金属成分を回収し、且つ排気ガスを除害することが可能な金属回収装置を提供することにある。
【解決手段】有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜の形成するようにした処理容器から排出される排気ガス中から金属成分を回収して排気ガスを除害する金属回収装置66において、排気ガスを高温に曝して排気ガス中に含まれる未反応の原料ガスを熱分解させて原料ガス中に含まれている金属成分を付着させる捕集部材84を有する捕集ユニット80と、捕集ユニットを通過した排気ガス中に含まれる有害なガス成分を酸化して除害する触媒100を有する除害ユニット82と、を備える。 (もっと読む)


【課題】紫外線を利用して、プラズマによるダメージの少ない良質な膜を基板上に形成することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、成膜容器の成膜室内に配設された、基板が載置される基板ステージと、成膜容器の、成膜室の上方に位置するプラズマ発生室内に配設された、紫外線を発生するプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマ発生室と成膜室とを区切るように成膜容器内に配設された、プラズマ発生室から成膜室に紫外線を透過させる紫外線透過板と、を備えている。成膜容器内に供給されたガスは、紫外線透過板を透過した紫外線により活性化されて基板上に酸化膜が生成される。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を媒体としてウエハ上に形成された微細構造表面に均一な膜を形成する成膜処理装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理容器と、前記成膜処理容器内の上面にウエハを保持する保持具と、前記成膜処理容器内の上面に保持されたウエハを加熱する、前記成膜処理容器の上部に埋設されたヒーターと、前記成膜処理容器内を攪拌する攪拌器と、膜原料の少なくとも1つを超臨界流体に溶解した原料溶液を調製する調合器と、前記成膜処理容器内に前記原料溶液を導入する原料溶液導入ポートとを有する成膜処理装置を用いて成膜する。 (もっと読む)


【課題】温度測定装置の先端への不要な蒸着を妨げる。
【解決手段】ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。温度測定装置はそれを囲むシース1601を通じて延び、前記シース1601からのガスの流束が温度測定装置の先端への不要な蒸着を妨げる。 (もっと読む)


【課題】ドライクリーニングを行う上で堆積物の除去効率を低下させることなく、反応容器内壁にダメージを与えることなく堆積物を除去する。
【解決手段】基板を反応容器内に搬入する工程と、該反応容器内に成膜用ガスを供給しながら前記基板に成膜する工程と、該成膜後の前記基板を前記反応容器内から搬出する工程と、前記反応容器内の温度を降下させながら該反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記成膜工程において少なくとも前記反応容器内壁に堆積した堆積物を除去する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 リンでドープされたシリコンと炭素を含有するエピタキシャル層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 圧力は、堆積中100トール以上に維持される。方法は、置換型炭素を含む膜の形成を生じさせる。特定の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。 (もっと読む)


【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数1332cm−1(波長7.5μm)のピーク吸収係数が0.05cm−1以上10cm−1以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が2%以上10%以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が0.1%以上6%以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が0.1%以上5%以下とすることによって得られる。 (もっと読む)


【課題】
室温で容易に重合する性質を有する含酸素フッ素化合物、特にテトラフルオロフランを、そのエッチング性能等を実質的に低下させることなく安定にプラズマ処理装置へ供給する方法、及びそのようにして供給された含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
式:COで表される繰り返し単位からなる重合体を熱分解して、式:COで表される含酸素フッ素化合物を得た後、得られた含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給することを特徴とする含酸素フッ素化合物のプラズマ処理装置への供給方法、この供給方法により、含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給し、該装置内で、前記含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法、このプラズマ処理方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高密度なダイヤモンドライクカーボン膜、シリコン膜、ゲルマニウム膜等の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 14族元素を含む化合物、及び超臨界状態とした物質の混合系でプラズマ放電を行うことにより基材上に膜を形成する膜の製造方法である。ここで、14族元素が炭素であり、形成される膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることが好ましい。また、14族元素がケイ素であり、形成される膜がシリコン膜であることが好ましい。さらに、14族元素がゲルマニウム原子であり、形成される膜がゲルマニウム膜であることが好ましい。 (もっと読む)


高密度プラズマ酸化(HDPO)処理を用いてMOS TFTデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置が開示されている。一実施形態においては、HDPO処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、1つ以上の誘電体層をHDPO層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。HDPO処理は、一般的に、誘導及び/又は容量結合RF伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第2誘電体層をCVD又はPECVD堆積処理を用いて基板上に堆積する。本発明の態様は、さらに、高品質ゲート誘電体層を堆積可能な少なくとも1つの特殊なプラズマ処理チャンバを収容するクラスタツールを提供する。

(もっと読む)


1 - 16 / 16