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Fターム[5F045AE01]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成膜条件−成膜時の圧力 (3,707) | 減圧(圧力が明示されていない) (3,333)

Fターム[5F045AE01]の下位に属するFターム

P<10^−9Torr(P<1.33×10^−7Pa) (11)
10^−9≦P<10^−8Torr(1.33×10^−7≦P<1.33×10^−6Pa) (8)
10^−8≦P<10^−7Torr(1.33×10^−6≦P<1.33×10^−5Pa) (15)
10^−7≦P<10^−6Torr(1.33×10^−5≦P<1.33×10^−4Pa) (20)
10^−6≦P<10^−5Torr(1.33×10^−4≦P<1.33×10^−3Pa) (26)
10^−5≦P<10^−4Torr(0.01≦P<0.1mTorr 1.33×10^−3≦P<1.33×10^−2Pa) (32)
10^−4≦P<10^−3Torr(0.1≦P<1mTorr 0.0133≦P<0.133Pa) (77)
10^−3≦P<10^−2Torr(1≦P<10mTorr 0.133≦P<1.33Pa) (173)
10^−2≦P<0.1Torr(10≦P<100mTorr 1.33≦P<13.3Pa) (334)
0.1≦P<1Torr(100≦P<1000mTorr 13.3≦P<133Pa) (640)
1≦P<7.6Torr(0.0013≦P<0.01気圧 133≦P<1013Pa) (585)
7.6≦P<76Torr(0.01≦P<0.1気圧 10.13≦P<101.3hPa) (552)
76≦P<760Torr(0.1≦P<1気圧 101.3≦P<1013hPa) (540)
Torr、気圧、Pa以外の単位 (14)

Fターム[5F045AE01]に分類される特許

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【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】強度を確保できる形状の面状発熱体を有するヒータおよびそれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】ヒータの発熱体1は、断面がコの字形状となるリボン状の発熱体部材2を基本構造とし強度を確保できる形状を有する。発熱体1は、発熱体部材2が長手方向に曲げられた構造を有して環状または円盤状をなし、面状発熱体を構成する。発熱体1を有するヒータは、成膜装置に適用され、発熱体1の上部面Sがウェハの裏面と対向するようにウェハの下方に配置される。発熱体1では撓みの発生が低減され、変形の発生を抑えることができる。成膜装置では、発熱体1を有するヒータによって、所望条件でのウェハの加熱を実現するとともに、ウェハ裏面からの均一な加熱を可能とする。 (もっと読む)


【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器65と、処理容器65内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部44と、処理容器65を加熱する加熱部63と、気体を供給する供給部91と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口92aとを含み、供給部91が供給口92aの各々を介して処理容器65に気体を供給することによって処理容器65を冷却する冷却部90とを有する。冷却部90は、供給口92aの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 (もっと読む)


【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第1の開口寸法を有する一又は複数の第1の開口部、及び前記第1の開口寸法よりも小さい第2の開口寸法を有する複数の第2の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第1の開口部と、隣のバッフル板の前記第1の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から2倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】ガスクリーニングの際に供給されるO2に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、SiC成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内22内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート15を反応室22に搬入し、反応室22内を所望の圧力(真空度)、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ42,45、およびバルブ46,49を制御し、クリーニングガス(Cl2、Ar)を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってO2ガスが発生する。この発生したO2ガスが、SiC膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内22内のクリーニングが行われる。 (もっと読む)


【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Sを収容する処理容器2と、処理容器2内で複数の基板を保持する基板保持部材3と、処理容器2内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル15と、誘導加熱コイル15に高周波電力を印加する高周波電源16と処理容器2内に処理ガスを供給するガス供給手段8,9,10と、処理容器2内を排気する排気手段11,12,14と、処理容器2内で基板保持部材3を囲うように誘導加熱コイル15と基板保持部材3との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材3に保持された基板Sを加熱する誘導発熱体7とを具備し、誘導発熱体7により、基板Sへ誘導電流が流れることが阻止される。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法の提供。
【解決手段】本シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法は、半導体産業において半導体装置製造に用いられる。本発明によると、UHVCVDシステムを使用してGeフィルムをSi基板上に成長させ、その後、高電子移動度トランジスタを該Geフィルム上に成長させることで、バッファ層の厚さとコストを低減する。該Geフィルムの機能は、Si基板上にMOCVDによりIII-V MHEMT構造を成長させるときに、シリコン酸化物の形成を防止することである。本発明においてMHEMTを使用する理由は、MHEMT構造中の変成バッファ層がGeとSi基板間の非常に大きな格子不整合度のために形成される貫通転位をブロックし得ることにある。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ8の座ぐり部8aに基板7を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板7の上にSiC膜301を形成する(第1の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、基板7が取り除かれたサセプタ8を回転させながら、サセプタ8の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ8の座ぐり部8aからその周縁部8bに至る段差部8cに形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第2の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ8の上に形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第3の工程)。第1の工程と第2の工程を繰り返した後に第3の工程を行う。 (もっと読む)


【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Wを載置させる載置台11は、所定の温度に温度調節される載置台本体12と、載置台本体12の上部に配置された、基板Wを吸着するための静電チャック13を備え、静電チャック13の上面に、中央に配置される第1の熱伝達用ガス拡散領域47と、周縁部に配置される第2の熱伝達用ガス拡散領域48とが形成され、第1の熱伝達用ガス拡散領域47に熱伝達用ガスを供給する第1の熱伝達用ガス供給部51と、第2の熱伝達用ガス拡散領域48に熱伝達用ガスを供給する第2の熱伝達用ガス供給部52とを備え、第1の熱伝達用ガス拡散領域47と第2の熱伝達用ガス拡散領域48において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第2の熱伝達用ガス拡散領域48は、静電チャック13の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 (もっと読む)


【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1の内部に設けられた中空筒状のライナ2と、ライナ2の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート15とを有する。シャワープレート15がライナ2の上部開口部52を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ1の壁に設けられた基板搬出入口47を介してチャンバ1の外部とライナ2の内部とが連通する。また、成膜装置100は、ライナ2の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板7を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部50と、基板搬出入口47を通じて反応室に出入するロボットハンド48とを有する。基板支持部50とロボットハンド48との間で基板7の受け渡しが行われる。 (もっと読む)


【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室1a内を臨むガス導入部4を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間4a、4bを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段51を介設したガス供給管5、5が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口42a、42bが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段71を介設した1本のガス管7を分岐した分岐管が7、7夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 (もっと読む)


【課題】温度測定部が挿入され、反応管の内面に沿って延びる保護管が反応管の内面に張り付くのを避ける。
【解決手段】複数の基板が間隔をおいて重なるように当該複数の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管に収容される基板保持具に保持される複数の基板に対し、複数の基板上に成膜される薄膜の原料ガスを供給する原料ガス供給管と、反応管を支持する支持部と、反応管の外側に配置され、複数の基板を加熱する加熱部と、支持部に一端部で固定され、基板保持具と反応管との間において複数の基板の配列方向に沿って延び、内部に温度測定部が挿入される保護管と、保護管の外面と反応管の内面との少なくとも一方に設けられ、保護管の外面と反応管の内面との間に空隙を形成する突起部とを備える成膜装置により上記の課題が解決される。 (もっと読む)


【課題】熱CVD法やALD法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのSi−NR(R及びRは、水素(H)又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルキル基)結合が、HSi−NR構造としたときの正規化双極子モーメントが1.37以上を有するとともに、分子内にアミノ基を3個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を4個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置11におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置11への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 (もっと読む)


【課題】成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置VDと、排気装置VDの排気状態を制御する制御装置CTLと、成膜処理室が成膜を行なう第1状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第1のピラニゲージPGAと、成膜処理室の内部を洗浄する第2状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第2のピラニゲージPGBとを備えている。上記制御装置CTLは、第1および第2状態の間で排気装置VDの排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第1および第2のピラニゲージPGA,PGBを切換える。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る(波長が異なる)高周波電力をプラズマCVD装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 (もっと読む)


【課題】ヒータアセンブリの内容積が大気に曝され、構成部品の機械的強度が使用中に劣化することを防止する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを処理する方法であって、加熱ディスク116から基部まで広がり、加熱ディスクに接続された少なくとも一つの加熱エレメント112を囲んでいる内容積を有するヒータを含む反応チャンバ108内でウェハを処理するステップ、内容積は反応チャンバから内容積を隔離する密封を有し;ヒータで反応チャンバを加熱するステップ;ヒータ内容積の内部に不活性ガスをパージするステップ;内容積から反応チャンバの外側まで不活性ガスを排出するためヒータ内容積に接続されたガス抜きポートで不活性ガスをガス抜きするステップ;を含む、方法。 (もっと読む)


【課題】カート上に配置された基板の面内膜厚分布のばらつきを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長方式の成膜装置であって、成膜処理対象の複数の基板が配列して搭載される矩形の搭載面を有するカートを備え、搭載面の四隅の各頂点からそれぞれ一定の範囲の表面が、搭載面の他の範囲の表面よりも表面粗さが大きい粗面である。 (もっと読む)


【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室201と、処理室内に配設された複数本のガスノズル231a,231bと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも1本は、内管及び外管から成る2重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 (もっと読む)


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