【課題】微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。
【解決手段】反応管１０内に複数のウエハＷを搭載したウエハボート２０を搬入し、ウエハＷを減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを反応管１０内に導入し、ウエハ上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷却速度、昇温速度が速く、均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】チャンバー内に収容され、ウエハを処理するためのウエハ保持体であって、ウエハの載置面を有し、材料の主成分がＡｌ−Ｃ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｃ、Ｃｕ、Ａｌからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、載置台よりも熱伝導率が低く、載置台を載置面の反対側から支持し、載置台に気密に結合される筒状支持体と、載置台と筒状支持体との間に形成される空隙部と、空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、載置台は、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、空隙部は、チャンバー内の雰囲気と遮断され、冷却モジュールは載置台に設けられ、発熱体は冷却モジュールの載置台とは反対側の面に設けられていることを特徴とするウエハ保持体。 （もっと読む）

【課題】 一定の横方向寸法及び有意なドーピング・レベルを有する半導体ナノワイヤを形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上の触媒粒子が反応器内の半導体材料を含有する反応物質に暴露される。一定の横方向寸法を有する真性半導体ナノワイヤは、十分に低い温度で成長させることで、真性半導体ナノワイヤの側壁上での反応物質の熱分解が抑制される。真性半導体ナノワイヤが所望の長さまで成長すると、半導体ナノワイヤの側壁上での熱分解が可能となるように反応器内の温度が高められ、その後ドーパントが反応物質を含む反応器内に供給される。内側の真性半導体ナノワイヤとドーピング半導体シェルとを有する複合半導体ナノワイヤが形成される。触媒粒子が除去され、その後アニールによってドーパントが複合半導体ナノワイヤの体積中に均一に分散され、その結果、一定の横方向寸法及び実質的に均一なドーピングを有する半導体ナノワイヤが形成される。
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【課題】 処理チャンバ内で使用される被加熱型の基板支持プレートを改良すること、特に熱特性を向上させることにある。
【解決手段】 本発明の基板支持プレート１３６は、加熱要素５４，５６を受け入れるための溝９０，１００を有している。加熱要素５４，５６は、外被２００と、ヒータコイル２０２と、熱伝導充填材料２０４とから構成されている。この加熱要素５４，５６は溝９０，１００内に配置された後、圧縮されて熱伝導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の回転中心で温度が局所的に低下するのを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理用の基板を回転させる回転機構と、前記基板を加熱する複数のランプユニット３００，４００とを備える。各ランプユニット３００，４００は、複数のフィラメントから構成され、前記各フィラメント同士が互いに接続される１又は２以上の接続部を有する発熱体と、前記発熱体を覆うバルブと、前記バルブに設けられ、前記バルブにガスを封入するためのチップと、を有する。複数のランプユニット３００，４００は、前記基板の回転中心部５００に対し対称に配置される。回転中心部５００に最も近い位置に配置されたランプユニット３００ａ，３００ｉ，４００ａ，４００ｉでは、前記基板の回転軸と直交する直線Ｌ１，Ｌ２と当該ランプユニットとの直交点Ｐ１，Ｐ２に最も近い接続部、又は前記チップが、直交点Ｐ１，Ｐ２から離間している。 （もっと読む）

【課題】マスクとして用いた絶縁膜上にIII―Ｖ族化合物半導体膜を成長させることなく良好な埋込成長や選択成長を行うことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。半導体膜１１上にＳｉＯ_２膜１５（絶縁膜）を形成し、このＳｉＯ_２膜１５をパターニングする。ＳｉＯ_２膜１５をマスクとして半導体膜１１をエッチングしてメサ構造１６を形成する。ＳｉＯ_２膜１５の表面をＳＦ_６ガス（フッ素系ガス）でアッシング処理して、ＳｉＯ_２膜１５の表面をフッ素で終端させる。表面をフッ素で終端したＳｉＯ_２膜１５をマスクとして、メサ構造１６をIII―Ｖ族化合物半導体膜１７で選択的に埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板に対向するガス供給面から３種類の処理ガスを基板に供給して成膜処理を行うにあたり、膜厚及び膜質について高い面内均一性を得ることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
ガス供給装置４は処理容器内の載置台に載置された基板に対向する多数のガス供給孔から、この基板に対して処理を行い、ガス供給装置本体４ａは複数のガス導入ポートと、それらから導入されたガスを前記多数のガス供給孔に導くガス流路５１２（５２２、５３２）を備えている。第１のガス供給プレート４５及び第２のガス供給プレート４４は、共にこのガス供給装置本体４ａに設けられ、ガスの種類または流量が互いに異なる多数のガス供給孔を有している。そして前記第１のガス供給プレート４５は、ガス供給孔が処理ガスを供給する導入ポートに連通し、ガス供給装置本体４ａに対して着脱自在となっている。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスの前反応を減じる層析出装置を提供する。
【解決手段】チャンバ（１０）が設けられており、該チャンバ（１０）が、被覆したい少なくとも１つの基板（１３）を受容するための基板キャリア（１２）と、隔壁（２３）を備えるプロセスガス室（１１）とを有しており、前記隔壁（２３）が、プロセスガス室（１１）の第１のセグメント（２１）をプロセスガス室（１１）の第２のセグメント（２２）から仕切っており、かつ前記少なくとも１つの基板（１３）を前記隔壁（２３）に対して相対的に運動させる装置（４４）が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】処理された基板の成膜量の効果的な制御が図られた基板処理システム，基板処理装置の制御方法，およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板処理システムが，複数の基板に成膜する基板処理部と，前記複数の基板内での未処理基板および処理済基板の配置を表す配置パターンの情報を取得する取得部と，前記複数の基板内での未処理基板および処理済基板の配置が基板の成膜量に与える影響を表す配置−成膜量モデルを記憶する記憶部と，前記配置−成膜量モデルに基づいて，前記配置パターンのときの，基板の予測成膜量を算出する算出部と，前記算出される予測成膜量が所定範囲か否かを判断する判断部と，前記算出される予測成膜量が所定範囲であると判断されたときに，前記基板処理部を制御して基板を処理させる制御部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてガス供給装置から金属不純物が発生する可能性を低減することができ、生産性の向上を図ることのできるガス供給装置、半導体製造装置及びガス供給装置用部品を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１の接続用ブロック２２は、ガスに対して耐食性を有するセラミック又は貴金属からなり、ガスと接触する接ガス部を構成する耐食性ブロック部材２２ａと、耐食性ブロック部材２２ａを嵌合させるための嵌合穴２８を有し、耐食性ブロック部材２２ａの周囲を囲むように設けられ、耐食性ブロック部材２２ａを保護する金属製ブロック部材２２ｂとから構成されている。 （もっと読む）

【課題】実用的な速度で加熱することができ、かつ加熱後に短時間で降温可能なロードロック装置を提供すること。
【解決手段】ロードロック装置６，７は、真空の搬送室５に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器３１と、搬送室５との間を開閉可能に設けられた第１のゲートバルブＧ１と、大気雰囲気の搬入出室８との間を開閉可能に設けられた第２のゲートバルブＧ２と、容器３１内の圧力を搬送室５に対応する真空と大気圧に調整する圧力調整機構４８と、容器３１内に設けられウエハＷを載置する載置台３２と、載置台に設けられたウエハＷを加熱する加熱機構６０とを具備し、加熱機構６０は、固体発光素子６４が搭載された加熱源６５を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して液体材料を気化させた気体材料を供給して成膜処理を行うにあたり、高い効率で液体材料を気化して、パーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】基板に対して成膜処理を行うための液体材料中に、正及び負の一方に帯電した粒径がナノレベルの気泡を発生させ、この液体材料を霧化して更にそのミストを加熱して気化させる。液体材料中には、予め極めて微少な気泡が高い均一性をもって分散するため、この液体材料を霧化すると、極微細で均一なミストが得られので、熱交換しやすい状態となる。従って、このミストを気化すると、気化効率が高くなり、パーティクルの発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】成膜元素が半導体デバイスの反成膜源側端面に回り込むことを確実に防止する半導体デバイスの成膜用ホルダを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの被成膜面を露出させ、半導体デバイスを保持するホルダ本体と、半導体デバイスの被成膜面を露出させた状態で、半導体デバイス及びホルダ本体の間に形成される間隙を半導体デバイスの被成膜源側から遮蔽する遮蔽体１７とを備えた。これにより、成膜源３から間隙に向かう成膜元素１６は、遮蔽体１７に進行を遮断される。 （もっと読む）

【課題】半導体の品質低下を防止できるＭＯＣＶD法による半導体製造設備のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応炉ＰＣへの原料ガスを供給するメインガス供給ラインＬ_１と前記原料の排気をするべントガス供給ラインＬ_２とを備え、前記メインガス供給ラインの入口側に圧力式流量制御装置ＦＣＳ−Ｎを設け、当該圧力式流量制御装置により流量制御をしつつ所定流量のキャリアガスＣ_１〜Ｃ_５をメインガス供給ラインへ供給すると共に、前記ベントガス供給ラインの入口側に圧力制御装置ＦＣＳ−ＲＶを設け、当該圧力制御装置により圧力調整をしつつ所定圧力のキャリアガスをベントガス供給ラインへ供給し、前記圧力式流量制御装置のオリフィスＯＬ下流側で検出したメインガス供給ラインの圧力Ｐ₁₀とベントガス供給ラインの圧力Ｐ₂とを対比し、両者の差が零となるようにベントガス供給ラインのガス圧Ｐ₂を調整する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】長尺の可撓性基板１１１上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板１１１上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置１００であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さＬ１の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室１３１〜１３５と、可撓性基板１１１を成膜室１３１〜１３５の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面にウェーハｗを載置するための凸部を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタ１２を開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタの座ぐりの側面との固着による不良発生を低減して、ウェーハを上面から熱の反射、下面から高周波誘導によって加熱する機構を有するエピタキシャル成長装置に用いられるサセプタおよびエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１４の上面に、内部にウェーハ１６が配置される座ぐりが形成され、前記座ぐりの側面において、配置される前記ウェーハ１６の水平中心面３０より上部に相当する部分３２を、上方に向かって広がる傾斜面とする。 （もっと読む）

【課題】保護材料でコーティングされた開口を有する半導体処理装置部品及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体処理反応器部品２００のホール２１０は、大気圧化学気相成長のような方法による保護コーティングの成膜を促進するようなサイズを有する。いくつかの実施の形態では、ホール２１０は各々、該ホール２１０を部分的に狭くし、且つ、該ホールを１つ以上の他の部分に分割するフロー狭窄２１２を有する。いくつかの実施の形態では、１つ以上の他の部分のアスペクト比は約１５：１以下であり、あるいは約７：１以下であり、円筒か円錐の横断面形状を有する。ホール２１０は、大気圧化学気相成長法を含む化学気相成長法によって、炭化けい素コーティングのような保護コーティングでコートされる。 （もっと読む）

【課題】熱移送流体通路内のプラズマ形成及びアーキングを減少させる静電チャックのための流体分配要素を準備するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態は、プレート４４０と、上記プレート４４０へ挿入される誘電体コンポーネント４４２とを備える。上記プレートは、プレナム３３６を画成するためにチャネル内に配置されるように適応され、上記誘電体コンポーネント４４２は、上記プレナム３３６に結合される流体通路の少なくとも一部分を与える。上記誘電体コンポーネント４４２上に形成される多孔性誘電体層は、上記プレナム３３６に結合される流体通路の少なくとも別の部分を与える。他の実施形態では、流体分配要素は、基板のための支持表面からプレナム３３６への視線路を与えないような流体通路を画成するための種々なコンポーネントの配置を備える。 （もっと読む）