単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

ＲＦセンサをＲＦ電流キャリアと電気的接触させるためのクランプアセンブリが、本明細書で提供される。クランプアセンブリ（１０１）は、第一のウェッジ状エレメント（１０３）と、第一のウェッジ状エレメントとスライドして係合する第二のウェッジ状エレメント（１０５）を備える。さらに、クランプアセンブリは、第一と第二のウェッジ状エレメントが配置される首部（１１３）を備えることが好ましい。クランプアセンブリは、さらに、第一と第二のエレメントを隣接させるネジのような締め付け具（１１１）を備えることが好ましい。この場合、ネジが第一の方向に回転するにつれ、第一と第二のエレメントの少なくとも一方が、首部および／またはＲＦ電流キャリアに対して膨張するのに、クランプアセンブリは、適応するようになっている。
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プラズマインピーダンスを測定するためのプラズマプロセスシステム、方法及びコンピュータにより読み込み可能な媒体。このシステムは、プラズマを中に有するように構成され、内部の領域の中にチャックを有しているチャンバと、支持面及び底面を有するチャックと、チャンバの外部でチャンバと電源との間のＲＦ伝送線に位置している第１の位置の第１の電圧―電流プローブとを有している。このシステムは、また、第１の電圧―電流プローブに接続され、この第１の電圧―電流プローブから伝送された測定値に基づいて、第１の位置とチャンバの中に位置している第２の位置との間のＲＦ伝送線のＲＦモデルを解くように構成されている、シミュレーションモジュールを有している。
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バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）

本発明の高密度ＲＦプラズマ源は、１３．５６ＭＨｚなどの周波数の波を送り出すために特殊なアンテナ構成を使用する。アンテナは、共通軸の周りに軸に沿って相互に間隔を置いて配置される数個の伝導性ループを含む。ループは、軸方向伝導性セグメントによって電気的に接続され、各ループは複数の直列接続された容量性素子を含む。このアンテナはチューニング可能なので、半導体製造のプラズマ加工において見られる発生プラズマにＲＦエネルギー（１０）を能動的に結合させるのに適する。このプラズマ源は以下の用途に使用することができる：プラズマ・エッチング、蒸着、スパッタリング・システム、宇宙推進、プラズマに基づく滅菌、プラズマ切削システム。別の実施態様において、プラズマ源は、１つまたはそれ以上の加工チャンバと組み合わされ、プロセス・チャンバは磁石アレイ（１４）及びＲＦコイル（１５、１６）を含む。これらの素子は、フィードバック制御法によってプラズマの閉じ込めまたは能動的プラズマ制御（プラズマ回転）のために使用することができ、一方、水分などの現場ＮＭＲモニタリングまたは分析のために使用することができる。
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