【課題】固体の粒子を安定的に昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子３０を気化させる気化器２１において、前記固体の粒子３０を供給するための供給部３１と、前記供給部３１より供給された前記固体の粒子３０を気化するため、複数の孔部が設けられた加熱部を有する気化部３３とを有し、前記気化部３３は、重力の働く方向に上から順に設けられた分散網３４と加熱網３５と加熱傾斜部３６からなる。 （もっと読む）

【課題】熱処理用治具を洗浄した後に外部から熱処理用治具表面に付着する汚染物を可及的に低減できる熱処理用治具の清浄化方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉内で用いる治具を酸系の薬液で酸洗浄する工程ａと、酸系の薬液で酸洗浄した前記治具を水洗・乾燥する工程ｂと、水洗・乾燥した前記治具の表面に酸化膜を形成する工程ｃと、還元性ガス雰囲気中で気相エッチングして前記酸化膜を除去する工程ｄとを有する清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。
【解決手段】シャフト８には突起部であるガイド板１４を設け、ガイド板１４に電磁波が照射される位置にヒーター７を配置する。ガイド板１４がヒーター７からの電磁波によって加熱される。ガイド板１４はシャフト８に取付けられているので、ガイド板１４からシャフト８に熱が移動しシャフト８は高温となる。シャフト８が高温となるので、サセプター６からシャフト８に移動する熱が少なくなり、サセプター６のシャフト８との取付部の温度が低下することが無く、サセプターの温度が均一となる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に良好なステップカバレッジを得ることができるシリコン酸化膜用成膜原料およびそれを用いたシリコン酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜するにあたり、カルボニル基を有するシロキサン系化合物からなり、エネルギーが与えられることにより分解してＣＯが脱離し、ＣＯが脱離して生成された成膜に寄与する生成物が化学構造上ダングリングボンドが存在しないシリコン酸化膜用成膜原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板上に成長された活性層を含み発光強度を向上可能なウエハ生産物を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。III族窒化物半導体層１５の堆積は、改質されたバッファ層上に行われる。改質されたバッファ層は例えばボイドを含む。III族窒化物半導体層１５はＧａＮ及びＡｌＧａＮからなることができる。これらの材料でIII族窒化物半導体層１５を形成するとき、改質されたバッファ層１４上に良好な結晶品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ１と、複数の被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜２０ｃをそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタ１１，２１を搬送する搬送部８とを備え、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切り第１の凸部に処理室４を定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切り第２の凸部にロードロック室７を定義し、第１及び第２のサセプタ１１，２１をロードロック室７と処理室４との間を交互に搬送する。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを高効率で冷却するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、基板吸着電極４０とトレイ吸着電極２０２を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入される。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面に基板２が載置される。基板２は基板吸着電極４０により基板載置面に静電吸着され、トレイ１５はトレイ吸着電極２０２によりトレイ支持面に静電吸着される。 （もっと読む）

【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内に前処理ガスを供給して前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内に処理ガスを供給して前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内に前記前処理ガスとしてシラン系ガスを供給し、前記反応炉内の温度を２００℃以上４３０℃以下の温度に設定し、前記反応炉内の圧力を１Ｐａ以上１０Ｐａ以下の圧力に設定する。 （もっと読む）

【課題】温度測定装置において、熱の影響を受けることなく、真空環境下において複雑に移動する被測定物の温度を正確に測定できるようにする。
【解決手段】装置本体３１と、これを固定状態で収容する内装ケース３３と、内面寸法が内装ケース３３の外面寸法よりも大きく形成されて、内装ケース３３との間に隙間が形成されるように内装ケース３３を収容する外装ケース３５と、外装ケース３５の外側に配されると共に内装ケース３３及び外装ケース３５の挿通孔３３ｃ，３５ｃを介して装置本体３１に電気配線された温度計３７と、外装ケース３５内において内装ケース３３を非接触状態で浮遊させる浮遊手段４９とを備える温度測定装置５を提供する。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を、より良く抑制することが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを用い、被処理体に対する処理エリアを制限しながら被処理体に対して処理を行う基板処理方法であって、加熱機構を有した載置台上に、被処理体を載置する工程（ｔ１）と、加熱機構を用いて、載置台に載置された被処理体を目標加熱温度まで加熱する工程（ｔ２）と、目標加熱温度に達した被処理体に、被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを接触させる工程（ｔ３、Ａ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により均一な膜質の薄膜を基板上に成膜する原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する第１の容器と、第１の容器の内部に設けられ、第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、第２の内部空間内に向けて、基板上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口を筒形状の一端に備える第２の容器と、原料ガスを、第１の開口を通して第２の内部空間に供給するガス供給口を備え、かつ、第２の容器の筒形状の長手方向に第２の容器を押えることにより、第１の内部空間に対して第２の内部空間を隔てる押え部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内膜厚分布を均一に成膜できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド２４０と、シャワーヘッド２４０と対向する位置に設けられ処理室２０１内でウェハ２００を支持する支持台２０３と、支持台２０３よりも下方に設けられ処理室２０１内を排気する排気口２６０と、シャワーヘッド２４０の上部からシャワーヘッド２４０内に処理ガスを導入する処理ガス導入口２１０とを備えた基板処理装置において、シャワーヘッド２４０の外周にシャワーヘッド２４０内を排気する複数の排気口２４１を周方向に等間隔に開設し、各排気口２４１に排気流量調整器２４３を接続する。複数の排気口２４１から排気される処理ガスの排気流量を調整することで、シャワーヘッド２４０内部の中心部から外周方向への圧力勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、面内均一性高く成膜処理を行える成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】夫々複数の反応ガスが供給される複数の処理領域９１、９２と、これらの処理領域９１、９２の間に設けられ、分離ガスが供給される分離領域Ｄと、を基板が順番に位置するように、夫々複数の反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給手段３１、３２及び分離ガスを供給するための分離ガス供給手段４１、４２と、基板を載置する回転テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させて基板上に反応生成物の層を積層した後、回転テーブル上の基板を鉛直軸回りに自転させ、次いで再び基板が各領域９１、９２、Ｄを順番に位置させることによって反応生成物の層からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極間距離の微調整を容易かつ効率的に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバーＭ１と、チャンバーＭ１内に配置されてプラズマ放電を発生させる平板形の第１電極１１ｅおよび第２電極１２ｅと、第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを平行に対向してそれぞれ支持する第１支持部１３および第２支持部１４と、第１および第２支持部１３、１４にて支持された第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを相対的にねじで移動させて電極間距離Ｌ１を微調整する微調整機構Ａとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないクリーニング方法を提供する。
【解決手段】内部に耐熱性非金属部材を有する処理室内で基板に対して成膜を行う工程と、成膜後の基板を取り出した後の処理室内を第１の処理条件とし、耐熱性非金属部材に付着した付着物を除去する第１の除去工程であるＳＩＮ膜のクリーニング工程と、第１の処理条件よりも耐熱性非金属部材のエッチングレートが大きくなる第２の処理条件とし、第１の除去工程において、耐熱性非金属部材が付着物と一緒に剥がれることでパウダー状となった耐熱性非金属部材を除去する第２の除去工程であるＳＩＮ膜と石英パウダーのクリーニング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）