【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】 熱処理容器内の全域を素早く均一な温度に昇温することができ、熱処理容器内に収納された複数枚の処理基板の全てに対して均一な熱処理を短時間で行うことができるようにする。
【解決手段】縦型炉装置１０は、第１のヒータ２の内側面２１、収納部１２の内側面１３、隔壁１４、第２のヒータ３の外側面３１を、平面視において互いに相似形である正方形状に形成し、互いの中心位置を一致させて備えている。ボート４は、収納部１２内の第１のヒータ２及び第２のヒータ３からの距離が互いに等しい４箇所のそれぞれで、処理基板Ｗの主面を内側面１３及び隔壁１４の外側面に平行にして処理基板Ｗを１０枚ずつ搭載している。処理基板Ｗは、第１のヒータ２が発生する熱によって外側面の全面を略均一に加熱され、第２のヒータ３が発生する熱によって内側面の全面を略均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する搬入工程Ｓ１４と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスとゲルマニウム原子含有ガスを供給して、基板上に第一膜を成膜する第一成膜工程Ｓ２２と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスを供給して、第一膜上に第二膜を成膜する第二成膜工程Ｓ２４と、基板を処理室内から搬出する搬出工程Ｓ３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】急激な温度差が発生する急速昇降温装置で使用しても、温度追従性が良い気相成長用ＳｉＣ製治具を提供する。
【解決手段】 半導体基板を載置する載置表面を有する気相成長用ＳｉＣ製治具において、前記載置表面の室温における拡散反射率と透過率の和が０．１１％以上２０％以下であり、かつ前記載置表面の平均粗さ（Ｒａ）の値が単位μｍにおいて気相成長の工程最大使用温度における黒体放射強度が最大になる波長の０．０２倍以上０．２倍以下の値である。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短縮しスループットを高める。
【解決手段】基板処理装置において、垂直方向に複数段設置されたウエハローディングポート１３と、ウエハローディングポート１３に載置されたポッド１０のキャップを開閉する際にキャップを水平方向に個別に移動させる、ウエハローディングポート１３それぞれに設けられたポッドオープナ２０と、少なくともウエハローディングポート１３夫々に載置されたポッド１０に収納された複数枚のウエハ９を支持するボート８と、ウエハローディングポート１３とボート８との間で複数枚のウエハ９を搬送するウエハ移載装置１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速で再現性のある、均一性が高く、かつ高速な半導体又は液晶ディスプレイの製造を可能とする装置を提供する。
【解決手段】設定流量より任意の過剰のガスを任意の時間供給することが可能である装置内の圧力及び複数のガス分圧の制御システムを装置の上流に備え、制御システムと装置の下流に備えられた開度可変型流体制御バルブもしくは排気速度可変型真空排気装置とを連動させる事により装置内の圧力及び複数のガス分圧を一定に保つ事が可能なフィードフォワード方式の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内を真空引きする技術を提供する。
【解決手段】 真空引き装置１０は、チャンバ３０と、チャンバ３０内を脱気する真空ポンプ６０と、チャンバ３０内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置５０を備えている。チャンバ３０は、半導体ウエハ２０を収容する収容部４０を備えている。また、チャンバ３０は、マイクロ波を透過するとともに、気密性、及び耐圧性に優れた素材で形成されている。この真空引き装置１０では、収容部４０を真空引きする際に、真空ポンプ６０を用いて収容部４０内を脱気するとともに、収容部４０にマイクロ波を照射する。これによって、収容部４０内の水分子が水蒸気化し、収容部４０内に存在する水蒸気が真空ポンプ６０によって脱気される。収容部４０にマイクロ波を照射することで、半導体ウエハ２０に無用な熱履歴を与えることなく、チャンバ３０内を短時間で高真空化することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドへの膜成長を抑制する。
【解決手段】アノード電極３とカソード電極１７間に高周波電力を印加してプラズマを発生させて、アノード電極３とカソード電極１７間に第一ガスと第二ガスを供給し、アノード電極３上に保持した基板４に成膜するＰＥＣＶＤにおいて、下側室５４と上側室５５とを形成したシャワーヘッド本体５０にカソード電極１７を設け、下側室５４には第一ガス供給ライン５１を接続し、上側室５５には第二ガス供給ライン５２を接続する。カソード電極１７には処理室にガスを吹き出す第一ガス供給孔５８と第二ガス供給孔５９を複数本ずつ開設し、第一ガス供給孔５８は下側室５４に連通させ、第二ガス供給孔５９は上側室５５に連通させる。カソード電極１７下面には突起６０を各第一ガス供給孔５８に対向する位置に突設し、凹部６１を各第二ガス供給孔５９に対向する位置に没設する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス中の原料ガスの濃度を安定化させ、原料の巻き上げや飛散による影響を抑制する。
【解決手段】 容器内に収容された常温常圧下において固体である原料を固体から液体に変化させる工程と、液体に変化させた前記原料を固体に戻す工程と、固体に戻した前記原料を昇華させて前記容器内で原料ガスを生じさせる工程と、前記容器内で生じさせた前記原料ガスを基板に対して供給し、基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの熱処理を一枚ずつ順次開始することができる提供する。
【解決手段】 半導体ウエハの熱処理装置は、管状の加熱炉と、その加熱炉内を伸びる複数の搬送シャフトと、複数の搬送シャフトをそれぞれ回転させるアクチュエータを備えている。管状の加熱炉は、半導体ウエハを搬入可能な搬入口から、半導体ウエハを搬出可能な搬出口まで伸びている。複数の搬送シャフトは、搬入口から加熱炉内を通って搬出口まで伸びているとともに、半導体ウエハの外周縁に当接可能な位置関係で配設されている。各々の搬送シャフトには、軸方向に沿って螺旋状に伸びるとともに、半導体ウエハの外周縁を受入可能な螺旋溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域の膜厚が、内側領域の膜厚に比べて厚くなる膜厚の盛りあがり現象の発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】スピンチャック４１に保持された基板Ｗの側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周とカップ４３の内壁との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ１を形成するとともに、その内周と基板Ｗの端面との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ２を形成する部材（側方整流部材４５）を設ける。被処理基板Ｗの周囲には、基板Ｗの表面から側方整流部材４５の上面に沿って流れ、微小間隙Ｋ１を通って排気される気流ＡＲ１と、基板Ｗの表面に沿って流れ、微小間隙Ｋ２を通って排気される気流ＡＲ２とが形成される。その結果、基板Ｗのエッジ領域付近に形成される気流が安定し、膜厚の盛りあがりが生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】 回転軸の凸状先端の係合面と凹状回転軸支持部の係合面とがすべって空転現象が生じることを回避できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置が、半導体基板を水平に載置するサセプタと、前記サセプタを水平方向に支持するサセプタ支持部材と、前記サセプタ支持部材を垂直方向の周りに回転可能に支持する凸状先端を有する回転軸と、前記サセプタ支持部材の下部に配置され前記回転軸の凸状先端に対して垂直上方から載置される凹状回転軸支持部を有する。前記凸状先端および前記凹状回転軸支持部が互いに係合する係合面を有し、前記回転軸の空転現象を回避するために、それらの係合面の横断面形状が少なくとも２つの異なる曲率を有する曲面形状（例えば楕円形状）のみで構成され、かつ、その曲面形状が点対称の形状である。 （もっと読む）

【課題】 表面に凹部を有する対象物について、空孔を生じることなく速やかに成膜することが可能な技術を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の装置は、表面に凹部を有する対象物に成膜する装置である。その装置は、対象物を収容する密閉容器と、密閉容器に原料ガスを導入するガス導入口と、密閉容器内の原料ガスを液化する液化手段と、密閉容器内の対象物を加熱する加熱手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】異常や誤動作、故障からの復旧をより短時間で行え、稼働率の低下を抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の処理室の内側に配置された半導体ウエハ等の試料をこの処理室内で処理する真空処理装置において、複数の制御対象の機器と、それらの機器の少なくとも１つと接続された入出力基板とを有した制御ユニットであって、他の制御ユニットと接続されてこれと制御のための信号を送受信するコネクタ部を複数備えて、デイジーチェーン接続が可能な複数の制御ユニットを備え、根元側の制御ユニット又はコントローラが末端側の制御ユニットの動作記録を記憶する手段を備える。 （もっと読む）

【課題】シートフィルムなどの担持体に形成された薄膜材料を基板に転写することで基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、薄膜形成のために必要な真空度が得られ、しかもメンテナンス性に優れた装置を提供する。
【解決手段】上側ブロックと下側ブロックとの間で、薄膜を形成されたシートフィルムと基板とを挟み込んで薄膜を基板に転写させる薄膜形成装置である。上側ブロックを装着される上板１１と下側ブロックを装着される底板１９とが、アングル１０１により組まれたフレーム１０により結合される。その側面の開口部に、パネル状の前板１３、側板１４および裏板１６がシール部材１３８、１４８および１６８を介して取り付けられて処理チャンバ１が構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用ガスを処理表面に対して均一に供給することができると共に、ガスを供給する圧力を適切に調整することができる半導体装置用ガスの流動制御方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程においてチャンバへ供給されるガスの流量をバルブケース１０に収納されるコントロールバルブ１２の開閉により制御する。バルブケース１０の内壁面１０ａとコントロールバルブ１２との間に水平方向及び上下方向のギャップ１４Ａ、１４Ｂを形成し、ガスをこのギャップ１４Ａ、１４Ｂによりコントロールバルブ１２の全周方向から回り込むように対流させてチャンバへ供給する。この場合、コントロールバルブ１２を上下動させることにより、上下方向のギャップ１４Ｂの大きさを制御して、ガスの供給圧力を所定の値に調整する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）