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Fターム[5F045AF01]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 被成膜面の組成、基板の特徴、ダミー基板、マスク (7,328) | 被成膜面が半導体であるもの (4,466)

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【課題】パージ・システムを有する化学物質デリバリー・システムを提供する。
【解決手段】中レベル真空源、ハード真空源および/または液体フラッシュ・システム(506)の種々の組合せを用いるパージ技術を用いた化学物質デリバリー・システム(500)。また、化学物質デリバリー・システムを加熱するヒータ・システムを備え得る化学物質デリバリー・システムも開示される。 (もっと読む)


半導体層と被覆基板、特には少なくとも1つの導体層、半導体層、および/または絶縁層を含む平坦基板を、セレン元素および/または硫黄元素処理によって製造する方法に関する。少なくとも1つの金属層および/または少なくとも1つの金属含有層を備える少なくとも1つの基板を、処理チャンバ内に導入し、所定の温度にまで加熱し、それをセレンまたは硫黄と目標通りに化学反応させるために、処理チャンバの内部および/または外部に配置されたソースからのセレン元素および/または硫黄元素の蒸気を、軽い真空状態または大気圧状態または加圧状態の下で、キャリアガス、特には不活性のキャリアガスによって、金属層および/または金属含有層の上を通過させ、基板を、少なくとも1つのガスを配合した強制対流によって加熱する。本発明はまたそのような方法を実行するプロセス装置にも関する。
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【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極2に設置した基板8との間にプラズマを形成する複数の放電電極3a〜3jを備え、前記放電電極3a〜3jのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極3a,3jは、前記対向電極2で保持し得る基板8の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】ALD(Atomic Layer Deposition)法によりHfO2(ハフニウムオキサイド)膜を形成する装置にてTEMAHとO3を交互に反応室へ供給することにより、HfO2膜が形成される場合にTEMAHが反応室内の熱を受け加熱分解し、TEMAH供給ノズル内でHf膜が形成され、前記Hf膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。
【解決手段】HfO2膜を形成する縦型のバッチ式半導体製造装置において、気化器からTEMAHの供給手段のガス導入口までの配管温度を気化器の気化温度以上、TEMAHの加熱分解温度以下に制御し、反応室内に供給する。前記手段により、TEMAH供給配管内でTEMAHの加熱分解が起きないため、Hf膜の形成を抑制できパーティクルを低減できる。 (もっと読む)


【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、腐食防止用のパージガスの供給量を抑制することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器22内に設けられて処理すべき被処理体Wを載置するための載置台構造において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段64が設けられた誘電体よりなる載置台58と、処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に接合されて載置台を支持する誘電体よりなる複数の保護支柱管60と、保護支柱管内に挿通されて上端が載置台に届くように設けられた機能棒体62とを備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。
【解決手段】放電空間5を形成する一対の電極11,12及び固体誘電体13,14を含む電極構造10を筐体20に収容し保持する。筐体20の内部に、放電空間5への処理ガスの導入流路30を設ける。導入流路30内の放電空間5と面する箇所に被照射部材41を設ける。被照射部材41を、筐体20より耐光性が高い材料で構成する。 (もっと読む)


【課題】ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件,かつ適切なタイミングでクリーニングを実行するクリーニング方法を提供する。
【解決手段】各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを予め記憶しておき,各処理室においてプロセス処理を実行する前に,クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断しS110,クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には,その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して,切り替わり前のロットのクリーニング条件を読み出してS120,その条件に基づいてクリーニング処理を実行しS140,クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には,その処理室に対するクリーニング処理は実行しない。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ等の基板の熱処理を均一に行うことができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理炉2の下方にロード空間3を設けた熱処理装置である。ボート4の直下に、半導体ウェハWの軸線L1に対して軸対称にノズル63を配置して、ガス供給管61から供給されたプロセスガスを、半導体ウェハWに対して軸対称に供給する。 (もっと読む)


【課題】ガス供給系の構造の簡素化、コスト削減を図ることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】各々基板載置領域を含む複数の下部材2と、これら下部材2に夫々対向して設けられ、前記基板載置領域との間に処理空間20を形成する複数の上部材22と、前記上部材22及び下部材2の組により形成される複数の処理空間20に対して共通化された処理ガス供給機構4と、この処理ガス供給機構4から共通のガス供給路を介して分岐された複数の分岐路34と、前記共通のガス供給路の下流端に設けられ、当該ガス供給路の断面積よりも大きい断面積を有し、その下流側に前記複数の分岐路が接続された拡散室33と、前記処理空間20を真空排気するための真空排気手段64と、を備えるように真空処理装置を構成することで、処理空間20毎にガス供給機構4を設ける必要をなくし、ガス供給系の構造を簡素化し、装置の製造コストを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制した成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器1内にて基板Wの表面に第1、第2の反応ガスとを交互に供給することにより当該基板Wの表面に薄膜を成膜する成膜装置において、基板Wの載置領域を含む複数の下部材2は、各々上部材22と対向して載置領域との間に処理空間20を形成し、処理空間20は、当該処理空間20の周方向に沿って形成され当該処理空間内と真空容器1内とを連通するための排気用開口部61、及び真空容器1内の雰囲気を介して真空排気手段64により真空排気される。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程S1と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程S2と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程S3と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程S4と、モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程S10とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置と、該基板処理装置と通信手段で接続される群管理装置と、基板処理装置に於ける操作権限の範囲、制限を容易に追加、変更できる様にする。
【解決手段】基板処理装置と、該基板処理装置と通信手段で接続される群管理装置とを含む基板処理システムであって、該基板処理装置が持つ機能を使用する為の画面部品を表示し、該画面部品の操作で機能の実行を可能とした表示部を有し、前記群管理装置は、制御演算部11、記憶部12を有し、該記憶部には前記画面部品と作業権限とを関連付ける書換え可能な第1のデータ21と、作業者と作業権限とを関連付ける書換え可能な第2のデータ22と、前記第1のデータと、前記第2のデータに基づきログインした作業者の作業権限に対応した画面部品管理リストを作成し、該画面部品管理リストに基づき作業者の使用可能な機能の設定を行う様構成した。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス頻度を抑える。
【解決手段】プラズマ生成空間と、該プラズマ生成空間に第1のガスを供給する第1ガス供給部と、前記プラズマ生成空間に供給される第1のガスをプラズマ化させ、プラズマ化された前記第1のガスのラジカルを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成空間でプラズマ化された前記第1のガスのラジカル成分を抽出する抽出部と、前記第1のガスと異なる第2のガスを供給する第2ガス供給部と、前記抽出部から抽出されるラジカルと前記第2ガス供給部から供給される前記第2のガスとを反応させて基板を処理する処理室とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板処理時の処理室の温度上昇を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板200を処理する処理室201と、処理室201内で基板200を保持するサセプタ217と、基板200を加熱するヒータ207とを備えた処理装置において、処理室201の内壁面はアルマイト処理せずにアルミニウム合金表面として放射率が小さい第一放射部201aを設け、処理室201の外壁面はアルマイト処理して放射率が大きい第二放射部201bを設ける。処理室外壁面の放射率が大きいので、外壁面側での放射による大気への熱の逃げを増加でき、処理室温度の上昇を抑制できる。処理室内壁面の放射率が小さいので、処理室の輻射による不用意な温度上昇を抑制でき、エネルギ損失を小さく抑制できる。 (もっと読む)


【課題】1つ以上の基板処理装置を群管理する。
【解決手段】管理サーバ18は、接続許可要求をした操作端末16以外の操作端末16が、接続許可要求があった基板処理装置14にリモートアクセスをしているか否かを接続情報テーブル50に基づいて判定する。また、管理サーバ18は、接続許可要求をした操作端末16がリモートアクセスをすることを許可し、許可した操作端末16を特定する情報である接続情報52を接続情報テーブル50に追加する。操作端末16は、リモートアクセスが成功している操作端末16を特定する情報(接続操作端末名称56)及びユーザを特定する情報(接続ユーザ名称57)をUI装置22により表示する。 (もっと読む)


【課題】カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内において被処理基板Wを載置する基板載置台5を備えている。基板載置台5は、AlNからなる載置台本体51と、載置台本体51内に設けられた基板加熱用の発熱体56と、載置台本体51の表面を覆う石英製の第1のカバー54と、被処理基板Wを昇降させる複数の昇降ピン52と、載置台本体51内で昇降ピン52が挿通される複数の挿通孔53と、第1のカバー54の挿通孔53に対応する位置に形成された複数の開口部54aと、開口部54aに露出する部分および挿通孔53内面の一部または全部を覆うように、第1のカバー54とは別体として設けられた石英製の第2のカバー55とを有する。 (もっと読む)


【課題】高い耐食性を有する耐食性部材およびこれを用いた半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】基材と、その表面に形成されたY23膜とからなり、前記Y23膜は、その表面に400面に配向する結晶を有しており、前記Y23膜表面をEBSD法により測定して得られた方位マップにおける前記400面付近に配向する結晶の割合が、5〜50%となるようにした耐食性部材である。この耐食性部材を、腐食性ガスおよびそのプラズマに曝される部位に用いた半導体製造装置である。 (もっと読む)


【課題】改良したシャワーヘッドガス注入技術を有するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】RFプラズマ反応器30は、反応器槽を含み、その中の1対の電極は、間隔をあけて向き合って配置されてその間にプラズマ放電空間36が規定される金属表面からなり、金属表面のうち少なくとも1つは、貫通する多数のガス給送開口部44を有する金属表面のプレート40であり、ガス給送開口部44は、プラズマ放電空間36に面するプレート40に沿って延在する分散室から、金属表面を通って、プラズマ放電空間36に向かい、それにより分散室は、プレート40に向き合って離れた後壁31を有し、かつ多数のガス注入開口部50を備えたガス注入構成48を含み、これは後壁31に沿って分散され、かつ反応器への少なくとも1つのガス給送線に接続される。 (もっと読む)


【課題】気化器のコンダクタンスを従来以上に向上させながら,ミストトラップ部の加熱効率を従来以上に高めることができる。
【解決手段】液体原料を液滴状にして吐出する液体原料吐出部300Aと,その液滴を気化させて原料ガスを生成する気化室360と,生成された原料ガスを送出口378から外部に送出する原料ガス送出配管382と,これを塞ぐように設けたミストトラップ部390とを有する原料ガス生成部300Bと,気化室とミストトラップ部を外側から加熱する第1加熱部(ヒータ392,394)と,加熱用ガス供給配管132に設けられた第2加熱部(ヒータ430)とを備え,第2加熱部で加熱された加熱用ガスをミストトラップ部の表面に直接接触させるように構成した。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、基板上で複数の反応ガスが混合されることを防止しつつ、プロセスに応じて処理領域の大きさなどを変更することの可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器12内の回転テーブル2の回転方向において第1の反応ガス供給手段31と第2の反応ガス供給手段32との間に設けられた分離領域D及び真空容器12の中心部の中心部領域Cから処理領域側に分離ガスが流れるための狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するための天井面を設けることで分離領域Dに反応ガスが侵入することを阻止すると共に、回転テーブル2の周縁と真空容器12の内周壁との間における前記反応ガスの侵入を阻止するために真空容器の内周壁から突出すると共に当該真空容器12に対して交換可能に設けられた突出壁部121を備えている。 (もっと読む)


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