【課題】クリーニング時間の短縮、クリーニング実施間隔の長期化、メンテナンスサイクルの長期化が図れ、製品品質、スループット、稼働率の向上を図ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する反応管と、該反応管に連設され、該反応管の内壁より該反応管の軸心側に突出した突出部７４を有する非金属部材で構成されるマニホールド４１と、温度検出器を収納し、前記マニホールド４１に保持されつつ前記反応管内に設けられ、非金属部材で構成される保護管６５と、前記突出部７４に設けられ、前記保護管６５の移動を抑制する非金属部材で構成される保護管移動抑制部８７とを備え、又前記突出部７４の内壁側には前記保護管の移動を抑制する溝７８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１０１が収容されるインナチューブ２０４と、インナチューブ２０４を取り囲むアウタチューブ２０３と、インナチューブ２０４内に配設されたガスノズル２３３ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂに開設されたガス噴出口２４８ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂを介してインナチューブ２０４内にガスを供給するガス供給ユニットと、インナチューブ２０４の側壁に開設されたガス排気口２０４ａ，ｂと、アウタチューブ２０３とインナチューブ２０４とに挟まれる空間を排気してガス噴出口２４８ａ，ｂからガス排気口２０４ａ，ｂへと向かうガス流をインナチューブ２０４内に生成する排気ユニットとを備え、基板の外縁とガス排気口２０４ａ，ｂとの間の距離が、ガス噴出口２４８ａ，ｂとの間の距離よりも長くなるようにインナチューブ２０４の側壁が構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置を構成する部材に蓚酸系陽極酸化処理を施すことにより、前記部材からの微粒子の発塵を抑制する。
【解決手段】ウエハを真空処理する複数の真空処理室７と、該各真空処理室にウエハを搬入出する真空搬送手段８を備えた真空搬送容器６と、前記各真空処理室にウエハを搬入出するための大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能なロードロック室９と、ウエハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段１０と、該カセット載置手段上の任意のカセット内からウエハを抜き取れるように構成された大気搬送手段４とを備え、前記任意のカセット内のウエハを前記大気搬送手段及び前記切り替え可能なロードロック室並びに前記真空搬送手段を介して各真空処理室に搬入し、前記各真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出する真空処理装置において、前記真空搬送容器６を構成する部材の内表面には蓚酸を用いた陽極酸化処理を施した。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、反応炉内の熱容量を低く抑え、且つ、炉内温度の昇降応答性能を向上することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５は、石英ガラスにより形成され、前記被処理基板Ｗの周囲を囲む第１のベルジャ７と、第１のベルジャ７の外側を覆うと共に、第１のベルジャ７との間に所定の空間層８を形成する第２のベルジャ９と、空間層８のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第１の気圧調整手段１５，１６と、チャンバ５内のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第２の気圧調整手段２，２４と、前記気圧調整手段の駆動制御を行う制御手段２１と、前記空間層８の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第１の気圧センサＳ１と、チャンバ５内の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第２の気圧センサＳ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

【課題】固体原料を使用する基板処理装置において、原料供給用タンクを装置から外すことなく原料供給用タンクに原料を補充することができる基板処理装置および原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料を保持する第１の原料容器２７０と、該第１の原料容器と第１の配管を介して接続され固体原料が補充される第２の原料容器２６０と、該第２の原料容器と処理室を接続する第２の配管２３０と、少なくとも第１の原料容器及び第１の配管を加熱可能な加熱手段２８３と、少なくとも第１の原料容器及び第２の原料容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを設け、第１の原料容器から第２の原料容器へ固体原料を補充する際には、固体原料を気体原料へ変態させて補充するように加熱手段及び圧力調整手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】処理室内を短時間で冷却することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハ１を処理する処理室１２と、処理室１２の外周側に設けられたヒータ３９と、ヒータ３９の外周側に設けられた内側壁３４と、内側壁３４との間に空間３６を形成して設けられる外側壁３５と、空間３６に設けられる冷却された水冷ジャケットと、内側壁３４及び外側壁３５の一方と接触する接触位置と、内側壁３４及び外側壁３５のいずれにも接触しない非接触位置との間で水冷ジャケットを移動させる移動機構６４と、移動機構６４を制御するコントローラとを有する。 （もっと読む）

【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴い生成される副生成物が、ガス供給ラインに逆流することを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にウエハ２００を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給管３１２，３２２と、処理ガス供給管３１２，３２２に合流するように接続され、処理室２０１内をクリーニングするためのクリーニングガスを処理室２０１内に供給するクリーニングガス供給管３３０，３４０と、クリーニングガス供給ラインを制御して、処理室２０１内に前記クリーニングガスを供給させ、処理室２０１内に付着した付着物を除去させ、処理室２０１内をクリーニングさせるコントローラ２４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】モーターの回転子の位置と加速度を考慮してバルブの振動を適切に抑制できる半導体用バルブ駆動モーター制御装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用バルブ３を駆動するモーター１２と、このモーター１２の回転子の回転を制御する制御手段１４とを備えている。制御手段１４は、モーター１２の回転子の位置を数値化するサーボ回路部２２と加速度を計測する加速度計測部２４と、サーボ回路部２２及び加速度計測部２４からの情報を処理する中央処理部２６とを有する。中央処理部２６は、サーボ回路部２２からの情報に基づいてモーター１２に流れる電流を制御してモーター１２の回転子の位置を目的位置に調整すると共に、加速度計測部２４により計測されたモーター１２の回転子の回転の加速度の変位からモーター１２の振動状態を診断してモーター１２の振動状態の振幅周期と逆位相の回転状態となるように、モーター１２の回転子の回転の加速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 目標温度の補正値を簡易に生成することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、反応炉の温度を調整するヒータ２と、調整された反応炉内の第１の温度を検出する炉内温度センサ２１と、炉内温度センサ２１の内側に設けられたインナーチューブ５と、インナーチューブ５の内側に設けられ、反応炉内の第２の温度を検出するプロファイル温度センサ１５と、プロファイル温度センサ１５により検出された第２の温度に基づいて算出される温度と目標温度とを一致させるように制御した後、炉内温度センサ２１により検出される第１の温度と当該目標温度とに基づいて関係係数を算出し、当該関係係数と目標温度とに基づいてヒータ２を制御する温度コントローラ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理室のドライクリーニングを行った場合の、サセプタの変形に伴う成膜膜厚の均一性の変動を抑制し、成膜膜厚の均一性、再現性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】処理室４６と、サセプタ５６と、成膜ガス供給ライン５８と、フッ素系ガスを供給するフッ素系ガス供給ライン１０２，１０３と、フッ素系ガスをプラズマにより活性化する活性化機構１０１と、該活性化機構でプラズマにより活性化したフッ素系ガスを前記処理室内に供給する活性化ガス供給ライン５８と、前記基板に成膜ガスを供給して成膜する処理を少なくとも１回以上行った後、前記処理室内にダミー基板を搬入し、前記サセプタ上に載置して前記処理室内にプラズマで活性化したフッ素系ガスを供給する処理を複数回繰返し、再び前記処理室内に前記基板を搬入し成膜する処理を少なくとも１回以上行う様制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に温度を制御して、温度調節機構に接する部分の温度の偏差を小さく保つことができる温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】冷却ジャケット６は、冷却流路６１と、ヒートレーン６２とを備える。ヒートレーン６２は、受熱部６３と、放熱部６４と、その間を折り返しながら往復する環状の細管に２相凝縮性作動流体（以下、作動液と称する）を封入して構成される。放熱部６４は冷却流路６１で冷却される部分、受熱部６３は放熱部６４より温度が高い部分である。受熱部６３では熱を受け作動液が核沸騰により自励振動し、循環しながら顕熱を輸送する。また、受熱部６３では液相が熱を吸収し気相へ相が転移し、放熱部６４では気相が熱を放し冷却され凝縮し液相へ相が転移し、気液の相転移により潜熱を輸送する。受熱部６３と放熱部６４の間で熱の輸送が行われ、短時間で温度を均一にする。 （もっと読む）

【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】静電チャックに載置した基板がずれることなく、プラズマを励起させたときに発生する異常アーク放電を抑制する半導体装置の製造方法、半導体製造装置、及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】反応容器内の静電チャック上に被処理基板を載置し、該静電チャックに第１の静電チャック電圧ＨＶ１を印加することにより該静電チャック上に該被処理基板を吸着させる第１工程と、前記第１の静電チャック電圧ＨＶ１を第２の静電チャック電圧ＨＶ２に低減させる第２工程と、前記反応容器内の平行平板電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる第３工程と、前記第２の静電チャック電圧ＨＶ２を前記第２の静電チャック電圧ＨＶ２より大きい第３の静電チャック電圧ＨＶ３にする第４工程とを順次有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの加熱に電磁波加熱方法を使用する際に、ウエハの面状態や放射率によらずウエハの温度を非接触かつ正確に測定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】電磁波加熱形バッチ式熱処理装置は、ウエハ１を収納するキャビティと、キャビティ内に電磁波を導入してウエハ１を加熱する電磁波源５５と、ウエハ１と同質の材料によって形成されキャビティ内のウエハ１近傍に配置される温度検出体５８と、温度検出体５８の中心に埋設された熱電対５７とを備える。温度検出体５８は直径が電磁波の波長λの１／４または１／２の球形状に形成する。ウエハ１を複数枚積層したボート上に処理ウエハ１と同等のダミーウエハ１Ａを設置し、キャビティの上に放射温度計５９を設置する。熱電対５７の温度を放射温度計５９の温度によって補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供する。
【解決手段】加熱されたガス状の雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置であって、多くの機械部品を含み、その部品のうちの少なくとも１つに加熱反射アモルファスＳｉＯ_２粒子コーティングが少なくとも部分的に設けられる装置が開示される。さらに、半導体処理装置の構成要素を処理する方法であって、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ_２粒子コーティングを少なくとも部分的に設けるステップと、任意で、前記塗布されたコーティングの表面を密封するステップと、を含む方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】アンテナを別途設ける必要がなく、しかも金属汚染等を生ずることなくワイヤレスで且つリアルタイムで被処理体の温度を精度良く正確に検出できる被処理体の熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すための熱処理部を有する熱処理装置において、被処理体と温測用被処理体５８ａ〜５８ｅとを収容する処理容器８と、加熱手段１２と、処理容器内へロードされる保持手段２２と、ガス導入手段４０と、測定用電波を送信する送信用アンテナと、弾性波素子より発せられる温度に応じた周波数の電波を受ける受信用アンテナと、受信用アンテナで受けた電波に基づいて温測用被処理体の温度を求める温度分析部７０と、加熱手段を制御する温度制御部５０とを備え、送信用アンテナと受信用アンテナとを前記熱処理部に設けられた導電性部材にそれぞれ兼用させる。 （もっと読む）

【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）