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Fターム[5F045AF01]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 被成膜面の組成、基板の特徴、ダミー基板、マスク (7,328) | 被成膜面が半導体であるもの (4,466)

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【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 (もっと読む)


【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード10は、基板100と、第一半導体層120と、第二半導体層140と、活性層130と、第一電極150と、第二電極160と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層102である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 (もっと読む)


【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器11内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器11に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器11からガスを排気する排気機構25と、成膜容器11から排気機構25にガスが流れる排気流路55の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部30と、成膜容器11とトラップ部30との間で排気流路55に合流するように接続されており、排気流路55にパージガスを供給するパージガス供給部50と、パージガス供給部50から排気流路55にパージガスが流れるパージガス供給流路52の途中に設けられた圧力計51とを有する。 (もっと読む)


【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型CVD装置を提供する。
【解決手段】コイル18によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部12から中性粒子を取り出して反応室10内のウェハ14に向けて導入できる複数の開口22aを有するカソード電極22と、ウェハ14の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部31と、を具備するCVD装置とする。 (もっと読む)


【課題】処理ガスを基板面内に十分拡散させて、面内均一性、面間均一性を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積層して収容する処理室201と、該処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部240cと、前記処理室内へ改質ガスを供給する改質ガス供給部240bと、前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給部240a、240dと、前記処理室内を排気する排気部246と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスと前記改質ガスを互いに混合しないように交互に複数回供給して基板上に膜を形成する際に、前記排気を停止した状態で前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程を行い、その後、前記処理室内を調圧しつつ前記排気を再開し、かつ、前記原料ガスの供給を停止した状態で前記不活性ガスを供給する膜厚分布制御工程を行い、さらにその後、前記改質ガスを供給する改質ガス供給工程を行う。 (もっと読む)


【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体3を収納して被処理体3上に薄膜を成膜する反応チャンバー1と、反応チャンバー1内に配置され、被処理体3を保持するステージ4と、反応チャンバー1内に第1のガスを供給する第1のガス供給部10と、反応チャンバー1内に第1のガスとは異なる第2のガスを供給する第2のガス供給部14と、反応チャンバー1内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源7とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー1内において、高周波放電によってプラズマ化された第1のガスと、プラズマ化が抑制された第2のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ4に保持された被処理体3上に薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ支持部の面内の温度分布を適切にする処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理室10と、該処理室内に設けられたウェーハWの支持部22と、該支持部を加熱するヒータhと、前記支持部に対向して設けられ、前記処理室に通じる複数のガス吹出孔14を有するシャワープレート12と、を備え、該シャワープレートにおける前記支持部に対向する表面は、前記支持部側からの輻射熱に対する反射率が相対的に異なる複数の領域を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 (もっと読む)


【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル4は、ガスが流れる貫通孔12,14を備えた本体13を有する。本体13は、貫通孔12,14のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部16a,16b,16cを有し、ガスが流れる方向における各段差部16a,16b,16cの上流よりも下流において、貫通孔12,14のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 (もっと読む)


【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路51(第2の配管50)に介装され、前記流路51
を開閉可能なバルブ52と、前記流路51から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部16と、前記プラズマ発生部16及び前記バル
ブ52に接続され、前記バルブ52の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部16を駆動させる制御部60と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置50であって、前記チャンバーと接続される吸入口52と、前記排気部と接続される排出口53と、第1の空間57を有するバイパス部51と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第2の空間61を有する冷却トラップ部60と、を有し、前記ガスは、第1の状態では前記第1の空間57を介し流れ、第2の状態では前記第2の空間61を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部60に対し第1の流路55及び第2の流路56を、回転部54により相対的に移動させることにより、前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える。 (もっと読む)


【課題】ウエハの処理枚数が多く、また、ウエハへの膜の成膜後のウエハ良否の選別処理機能を有する常圧気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウエハトレー1と、前記ウエハトレー1を水平方向に搬送するウエハトレー駆動装置と、ウエハ3に、原料ガスを吹き付けるガスヘッド6と、前記ウエハトレー1を加熱するヒーター7と、成膜前にウエハ上部を加熱しウエハ3の反りを矯正する機構71と、成膜後のウエハトレー1を垂直下降方向に移動させるDOWNリフトと、成膜前のウエハトレー1を、垂直上昇方向に移動させるUPリフトとで構成され、前記DOWNリフトの下端と、UPリフトの下端との間に、ウエハトレー反転機構4が配置されており、DOWNリフトから運搬された成膜後のウエハトレー1を設定した角度内で反転させて、成膜途中にて破損したウエハ3を、ウエハトレー1から脱落させる機能を有する常圧気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】真空雰囲気と大気雰囲気とを切り替える真空室内における異物低減とスループット向上を両立できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】複数のプロセス処理装置、該プロセス処理装置のそれぞれに試料を搬送するための真空搬送室、真空搬送室内に設置され試料の搬送を行う真空搬送ロボットと、大気中で、複数の試料を収納したカセットを備え、カセット内に収納された試料を搬送するための大気搬送室、該大気搬送室内に配置され試料の搬送を行う大気搬送ロボットと、前記真空搬送装置と大気搬送装置との間に配設されたロック室とを備えた真空処理装置において、前記真空処理装置を構成する室は、ベント用バルブ207を介して乾燥ガスを供給するガス供給路209とロック室内の湿度を検出する湿度センサ211を備え、真空排気に際して湿度が所定値以下となるまで前記ベント用バルブを開いて乾燥ガスを供給して、液体微粒子の発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室の内壁状態やプラズマの内部状態を把握するために、プラズマ処理室の内壁にプローブ基盤219を配置し、このプローブ基盤219にパルス化したバイアス電力を掛け、コンデンサ222の電圧変化を解析することにより、処理室内壁状態とプラズマ内部状態をリアルタイムでモニタし、そのデータ値からプラズマ処理装置を制御することにより、効率の良い処理を行い、且つ処理室内のプラズマを直接管理して、安定した半導体装置の製造を行う。 (もっと読む)


【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 (もっと読む)


【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にSi含有ガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したSi含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Si含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 (もっと読む)


【課題】複数の異なる周波数を出力する半導体基板を提供する。
【解決手段】p型半導体またはn型半導体を含む第1の不純物半導体と、第1の不純物半導体に接する複数の空乏領域を有する空乏化半導体とを備え、複数の空乏領域のそれぞれは、第1の不純物半導体との第1界面と、第1界面と対向する表面とを有し、複数の空乏領域のそれぞれは、第1界面に垂直な方向における第1界面と表面との平均距離および組成の少なくとも一つが異なる半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、RFアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのRFアンテナ54が設けられている。このRFアンテナ54は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される2組または2対のコイル54(1),54(2)を有している。高周波給電ライン62の終端部と内側および外側コイルセグメント56A,56Bの両端部との間に第1のスイッチ回路網64が設けられている。RFアース線66の始端と内側および外側コイルセグメント58A,58Bの両端部との間に第2のスイッチ回路網68が設けられている。 (もっと読む)


【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ−FeSi層2を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第1のβ−FeSi層2上に粒径が10乃至100μmの第2のβ−FeSi層3を形成する。 (もっと読む)


【課題】誘導加熱方式を使用した基板処理装置を構成する被誘導体の破損を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、サセプタ218Hの上段にさらに、少なくとも、ダミーサセプタDMY1が配置され、または、サセプタ218Lの下段に、さらに、少なくとも、ダミーサセプタDMY3が配置されている。これらのダミーサセプタDMY1、DMY3には、ウェハ200が搭載されておらず、サセプタ218Hもしくはサセプタ218Lに載置されたウェハ200を加熱する。 (もっと読む)


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