【課題】 欠陥のないエピタキシャル膜を形成する
【解決手段】 異物除去処理を有し、ドライエッチング処理を行って形成した開口部５内の単結晶シリコン基板１に、ＳｉＧｅエピタキシャルベース７を成長させる半導体装置の製造方法である。異物除去処理は、前記ドライエッチング処理後からＳｉＧｅエピタキシャルベース７の成長までの間に、被成長基板を酸素雰囲気中において、熱処理を行い、ドライエッチング処理によって、シリコン酸化膜２に堆積した炭素系付着物１０を、シリコン酸化膜２から完全に除去し、これによって、欠陥のないエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）