【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極２１ａ，２１ｂ及び非リッジ部２２ａ，２２ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、リッジ部３１ａ，３１ｂ及び非リッジ部３２ａ，３２ｂを有するリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの内部の気体を排出させる排気手段９と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段１０とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの対向する面間の距離をｄ_１、放電室２及び変換器３Ａ，３Ｂのリッジ導波管の横幅をａ_０、放電室２のリッジ導波管の長さをｌ_１、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±２％の変動を許容する範囲で以下の式ｄ_１＝０．００４λ、ａ_０＝０．７２λ、ｌ_１＝０．５２λを満たす真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、酸素が六角格子配置された面を主面とするＧａ_２Ｏ_３基板２上に、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を温度Ｔ１で成長させてバッファ層３を形成する工程と、バッファ層３上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を成長させて窒化物半導体層４を形成する工程と、を含む結晶積層構造体１の製造方法を提供する。この製造方法は、バッファ層３を形成するより前に、温度Ｔ１よりも高い温度でＧａ_２Ｏ_３基板２の表面を窒化する工程を含まない。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第１の工程を有し、第１の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列（１１１）に対する結晶方位配列（２２０）への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を３００〜３５０℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、結晶性が高く欠陥密度の低いシリコン膜を得ることができ、また成膜速度が高い成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１の上面にコイル状のアンテナ５２を設け、このアンテナ５２に高周波電力を印加することにより、処理容器１内上部にプラズマ生成空間を形成する。そしてこのプラズマ生成空間に第１のガス供給部からヘリウムガスを供給することによりヘリウムの活性種を生成する。一方この第１のガス供給部よりも下方にて、第２のガス供給部４からモノシランガスを上方へ向けて吐出する。こうしてヘリウムの活性種とモノシランガスとが混合され、モノシランがプラズマ化される。このプラズマ化されたモノシランを含む混合ガスを基板Ｓに供給することにより成膜処理を行う。この成膜処理において水素ガスは用いない。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板１０の薄膜を形成しようとする部分である成膜部１０ｃの他主面１０ｃ２に、基板１０に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部１０ｃを加熱した状態で、成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に対向して配置したノズル３０から成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、成長炉内に配置した基板１０上に、ＧａＮ電子走行層１６を成長する工程と、成長炉に導入する混合ガス中の窒素原料ガスの分圧比を０．１５以上０．３５以下として、ＧａＮ電子走行層１６上に、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を成長する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に、ゲート電極２６と、ゲート電極２６を挟むソース電極２８およびドレイン電極３０と、を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｗと共に配置されるターゲット３_１〜３_４のスパッタ面３ａ側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場Ｍ１，Ｍ２を形成する磁石ユニット４_１〜４_４と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、磁石ユニットをＸ方向及びＹ方向の少なくとも１方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温かつ安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気で酸化物半導体層を形成する酸化物半導体層形成工程と、上記酸化物半導体層形成工程後、上記酸化物半導体層の少なくともチャネル領域に酸素欠損を付与して上記チャネル領域のキャリア濃度を制御するキャリア濃度制御工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。
【解決手段】オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。 （もっと読む）