【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体積層構造２を備えたＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴにおいて、３層のキャップ層２ｅを用いることに加え、キャップ層２ｅのドレイン電極５の近傍（ゲート電極６とドレイン電極５との間で、ドレイン電極５の隣接箇所）に高濃度ｎ型部位２ｅＡを形成し、高濃度ｎ型部位２ｅＡでは、そのキャリア濃度が電子供給層２ｄのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮからなる半導体表面上に設けられると共に向上されたトランジスタ特性を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】５×１０^７ｃｍ^−２以下の転位密度を有しＡｌＮからなる半導体表面２１ａ上に、第１のエピタキシャル半導体層１３はコヒーレントに設けられる。第２のエピタキシャル半導体層１５は、第１のエピタキシャル半導体層１３にヘテロ接合２３ａを成すように第１のエピタキシャル半導体層１３上に設けられる。第１のエピタキシャル半導体層１３がこの半導体表面２１ａへのコヒーレントな成長により、第１のエピタキシャル半導体層１３は、半導体表面２１ａの格子定数に合わせて歪んであり、緩和していない。ＡｌＮに対してコヒーレントに設けられた第１のエピタキシャル半導体層１３により、III族窒化物半導体電子デバイス１１のトランジスタ特性が向上可能である。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】基板の製造方法の提供。
【解決手段】下地基板を反応炉内に搬入するステップと、下地基板の上にバッファー層を形成するステップと、バッファー層の上にセパレータ層を形成するステップと、セパレータ層の上に少なくとも二つの温度で半導体層を形成するステップと、下地基板を反応炉から搬出して自然冷却によってセパレータ層を中心に下地基板と半導体層を分離するステップとを含む基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド（ＧａＮ ｎａｎｏ ｒｏｄ）を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ；及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ；を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法は、第１表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第１表面の反対側にある基板の第２表面にＭＯＣＶＤプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、１Ｗ／ｍ℃〜２０Ｗ／ｍ℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを用いた縦型の電界効果トランジスタにおいて、素子の作製にコストの上昇を招くことなく、ドレイン電流密度を大きくできるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層１０１と、ＧａＮより大きなバンドギャップエネルギーを有してアルミニウムを含む窒化物半導体から構成されてチャネル層１０１の一方の面に形成された障壁層１０２を備える。ここで、チャネル層１０１の一方の面は、Ｎ極性面とされ、他方の面はＩＩＩ族極性面とされていればよい。また、チャネル層１０１の他方の面に形成されたドレイン電極１０３と、ドレイン電極１０３に対向して障壁層１０２の上に形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４と離間して障壁層１０２の上に形成されたソース電極１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】ｃ軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がＩＩＩ族極性面１０４ａとされた第２半導体層１０４の主表面に、第１半導体層１０３のＩＩＩ族極性面１０３ａを貼り合わせた後、第１半導体層１０３と基板１０１とを、分離層１０２で分離する。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）