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Fターム[5F045BB00]の内容

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【課題】ウェハ面内の輝度ムラを低減することができ、しかも順方向電圧の上昇を抑制することが可能なLED用エピタキシャルウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱されたn型基板1上に、必要とするIII族原料ガス、V族原料ガス、キ
ャリアガス、ドーパント原料ガスを供給して、n型基板1上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層3,活性層4,p型クラッド層5を有する発光部7と、p型GaP電流分散層6とを成長させるLED用エピタキシャルウェハの製造方法であって、p型クラッド層5の成長後、成長温度を、p型クラッド層5の成長温度より昇温しつつ、供給ガス中のGa原料ガスの供給量を次第に増加させながら下部p型GaP電流分散層6aを成長する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるICPを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にICPコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの1次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの2次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 (もっと読む)


【課題】平面視したときに限定された範囲にp型領域が形成されているIII族窒化物系化合物半導体基板であり、p型領域とその周囲の領域との間に段差がない基板を提供する。
【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体下層6の表面にIII族窒化物系化合物半導体を結晶成長させるに先立って、p型領域12を形成したい範囲に相当する範囲内の下層6の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方を含ませておく。下層6の限られた範囲の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方が含まれていると、その上に上層16を結晶成長したときに、結晶成長する上層16の限られた範囲にマグネシウムが移動してp型領域12になるともに、下層6に含まれているアルミニウムがマグネシウムの移動範囲を制約し、下層6におけるマグネシウムの含有範囲10と上層16におけるマグネシウムの含有範囲12をよく一致させる。 (もっと読む)


【課題】バレル型気相反応装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写を抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置の反応室1内に複数枚の板状のサセプタ2が角錐台形状に設置され、該サセプタ2は表面にSi膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタ2の外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部4が形成され、該ザグリ部4の底面の形状は凹状のラウンド形状である。 (もっと読む)


【課題】 ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 GaAs単結晶基板1上に(AlGa1−xIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0<y≦1)にて構成されるエピタキシャル層24,7aを気相成長する有機金属気相成長工程と、GaAs単結晶基板1の裏面に付着したInP含有粒子D1,D2,D3を除去するInP含有粒子除去工程と、塩化ガリウムを原料ガスとして使用し水素雰囲気中でGaP層を前記エピタキシャル層24,7a上に気相成長するハイドライド気相成長工程とをこの順に行なう。 (もっと読む)


【解決手段】低誘電体膜層において炭素欠乏した低誘電率材料を修復するための装置、システム、および、方法が開示されており、それらは、炭化水素基を有し、炭素欠乏した低誘電率材料を修復するよう構成された修復剤を特定することと、低誘電体膜層における炭素欠乏した低誘電率材料が、低誘電率材料を実質的に修復する修復剤メニスカスに十分に曝露されるように、特定された修復剤メニスカスを低誘電体膜層に適用することと、を含む。修復された低誘電率材料は、低誘電体膜層と実質的に同等の低誘電率特性を示す。 (もっと読む)


【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも1つの第1キャリアガスと共に、少なくとも1つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第2キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、歪Si基板の製造方法において、表面ラフネス、貫通転位密度、およびパーティクルレベルの低い歪Si基板の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明では、少なくとも、シリコン単結晶基板上に格子緩和したSiGe層を形成し、該SiGe層の表面をCMPにより平坦化し、該平坦化したSiGe層の表面上に歪Si層を形成する歪Si基板の製造方法において、前記平坦化した格子緩和SiGe層の表面上に歪Si層を形成させる前に該SiGe層の表面をSC1洗浄し、前記SC1洗浄後のSiGe層を有する前記基板を800℃以上の水素含有雰囲気中で熱処理し、該熱処理後800℃より低温に降温することなく直ちに前記熱処理をした基板上のSiGe層表面に保護Si層を形成し、該保護Si層の形成温度より低い温度で該保護Si層の表面上に歪Si層を形成することを特徴とする歪Si基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理後のウエーハ表面の帯電による静電気を原因とした汚染の問題を解決した非処理基板であるウエーハを複数枚一括してプラズマで処理する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板18にプラズマ処理を行う処理炉16の搬入出口の近傍に、交流電源55および正極の直流電源56を接続した複数の針電極を備えた除電装置34を配置し、ボートエレベータ22により処理炉16から搬出された帯電基板18を除電する。 (もっと読む)


【課題】自己組織膜形成材料を化学蒸着することによって高品質の自己組織化単分子膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】基材に自己組織化単分子膜形成材料を化学蒸着することによって該基材上に自己組織化単分子膜を作製するにあたり、前記基材が雰囲気温度よりも低い温度(例えば60℃以上低い温度)に維持されるように該基材を冷却しつつ前記化学蒸着を行う。これにより、規則的な配向性を有する自己組織化単分子膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 基板上にエピタキシャル層スタックを形成する方法の提供。
【解決手段】 (1)エピタキシャル層スタックのターゲット炭素濃度を選択するステップと、(2)基板上に炭素含有シリコン層を形成するステップであって、炭素含有シリコン層が、選択されたターゲット炭素濃度に基づいて選択される初期炭素濃度、厚さ及び堆積時間の少なくとも一つを有する、前記ステップと、(3)エッチングの前に炭素含有シリコン層上に炭素を含有しないシリコン層を形成するステップと、を含む方法を用いる。多数の他の態様も提供される。 (もっと読む)


【課題】 Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層の発光効率向上が図れる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層を有する半導体発光素子の製造方法において、多重量子井戸構造の障壁層と井戸層の成長界面で、III族原料ガスの供給を停止する成長中断工程を有し、障壁層成長終了から井戸層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間tと、井戸層成長終了から障壁層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間tが、t<tを満たす。 (もっと読む)


基板の表面上にシリコン含有材料をエピタキシャルに形成する方法は、プロセスチャンバー温度及び圧力の調整を通じてハロゲン含有ガスをエッチングガス及び担体ガスの両方として使用する。HClをハロゲン含有ガスとして使用するのが有益である。なぜなら、HClを担体ガスからエッチングガスへ変換することが、チャンバー圧力の調整で容易に遂行できるからである。 (もっと読む)


【課題】反応ガスがウエハ裏面へ回り込むのを抑制し、ウエハ裏面おける薄膜形成が抑制される半導体ウエハ支持部材及び及び半導体ウエハ支持部材の評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体ウエハ支持部材は、半導体ウエハを搭載する凹形状のウエハ保持部を有する半導体ウエハ支持部材であって、前記ウエハ外周部が当接する部分の相対高さを周方向にわたって測定し、その測定結果を縦軸に高さ、横軸に位置角度をとった図に示し、前記図中で垂直方向に相対高さが高い2点と、垂直方向の相対高さが最も低い点とによって描かれる三角形の面積が、0.15cm2以下であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】基板上にエピタキシャル層を成長させる際、新たな保護膜の形成や除去の工程を必要とすることなく、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。
【解決手段】半導体エピタキシャルウェハは、劈開により形成されたオリエンテーションフラット2を有する基板1と、該基板1上に形成された半導体のエピタキシャル層とからなり、前記基板1のオリエンテーションフラット2の両端2aが、前記基板内側へ所定距離入った領域まで被覆部材15で覆い隠された状態で前記基板1上にエピタキシャル層が形成され、前記被覆部材15を前記基板1から取り除いた状態で前記エピタキシャル層が形成されていない未成長部が前記オリエンテーションフラット2の両端2aに存在する。 (もっと読む)


【課題】 圧力を支配している排気速度を小さくしてオイルバック防止ガスの流量を節減できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 CVD装置に用いられる真空チャンバ10に真空配管11を接続し、その真空配管11に二段油回転ポンプ12を接続し、その二段油回転ポンプ12の吸込側の真空配管11に不活性ガスを供給するオイルバック防止ガス供給配管15を接続し、上記二段油回転ポンプ12をインバータ装置16で駆動し、スタンバイ状態のとき、オイルバック防止ガス供給配管15から不活性ガスを供給しつつインバータ装置16で二段油回転ポンプ12の能力を下げて運転する。 (もっと読む)


III族窒化物材料を、m面炭化珪素(m−SiC)のような適当な基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)を用いて成長することを特徴とする、平坦な無極性m面窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル層のようなm面III族窒化物材料を成長する方法を提供する。前記の方法は、基板表面から酸化膜を除去するために基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、基板を熱処理する工程と、熱処理された基板上に窒化アルミニウム(AlN)のような核形成層を成長する工程と、MOCVD法を用いて核形成層上に無極性m面III族窒化物エピタキシャル層を成長する工程を含む。
(もっと読む)


【課題】大気圧近傍で処理を行うプラズマ放電処理装置におけるプラズマ中の電子エネルギー分布等を時間依存のボルツマン方程式等により正確に算出して制御パラメータを決定するシミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システムを提供する。
【解決手段】シミュレーション装置2は、大気圧近傍の圧力下で電極間の電界を周期的または連続的に変化させてプラズマ放電処理を行うプラズマ放電処理装置10を制御する制御パラメータの中から修正する制御パラメータを指定し、シミュレーションの終了条件を設定する入力手段3と、ガスと電子との素反応の衝突断面積が記憶されたデータベース手段5と、指定された制御パラメータを修正しながら衝突断面積に基づいて時間依存のボルツマン方程式を用いてシミュレーションを行う演算手段6と、演算結果が終了条件を満たしているか否かを判断し、制御パラメータの値を決定する制御手段7とを備える。 (もっと読む)


【課題】 透明膜の欠損部分を効率よく修正すること。
【解決手段】 基板上に成膜された透明膜の欠損部分の透明膜が除去され、予め定められた立体形状の整形後除去部が整形され(S101)、整形後除去部の表面形状が測定され(S102)、表面形状に応じて整形後除去部の体積が算出され(S103)、整形後除去部の体積に応じて透明膜相当材料の塗布量が算出され(S104,105)、塗布量の透明膜相当材料が整形後除去部に塗布され(S106)、硬化した硬化後透明膜相当材料の表面形状が測定され(S111,121)、表面形状に応じて硬化後透明膜相当材料の体積を除いた未塗布除去部の体積が算出され(S112,122)、未塗布除去部の体積に応じて透明膜相当材料の塗布量が算出され(S113〜115,123〜125)、塗布量の透明膜相当材料が未塗布除去部に塗布される(S116,126)。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの信頼性を改善するという結果をもたらす望ましい大きさおよび距離を有したウェハー表面上にエピタキシャルの小島の製造を容易化できる選択場所にエピタキシャル膜を成長させるための装置および方法を提供すること。
【解決手段】選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置は、イオン銃3、イオンの方向とエネルギを制御する制御手段4b、ウェハーホルダ2、ガス導入口5、および排気ポート6を備えるウェハーパターニングチャンバ1と、別置きのエピタキシャル膜成長チャンバから構成されている。当該装置において、ウェハーパターニングチャンバにおけるイオン銃は予め定められた直径およびイオンエネルギのイオンビームを放射し、その結果、ウェハー表面上の衝突イオンはウェハー表面に原子間のいくつかの結合を破壊しまたは転位することによってダメージを与える。 (もっと読む)


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