【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉１０のカメラ取り付け穴１８にカメラ１４を取り付け、反応炉１０内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉１０内にウェーハＷを搬入し、サセプタ１１上に載置する。このとき、ウェーハＷのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ１４で撮影する。そして撮影した画像からウェーハＷの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハＷと同一品種を処理する場合に、反応炉１０内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】オフ角を有するＳｉ基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】（１１１）結晶方位面に対して２．０°以上６．０°以下のオフ角を有するＳｉ基板Ｗと、Ｓｉ基板Ｗ上に形成されＡｌＮ単結晶層２０ａ上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶層（０＜ｘ＜１）２０ｂが積層された第一バッファ領域Ａと、第一バッファ領域Ａ上に形成され厚さが３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）からなる第１単層３０ａと厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）からなる第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第二バッファ領域Ｂと、第二バッファ領域Ｂ上に形成された窒化物半導体活性層５０と、からなる窒化物半導体基板Ｚ。 （もっと読む）

【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法は、第１表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第１表面の反対側にある基板の第２表面にＭＯＣＶＤプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、１Ｗ／ｍ℃〜２０Ｗ／ｍ℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハに設けられたノッチ部周辺においても高い平坦性を有するエピタキシャルウェーハを製造することを可能にするサセプタおよび該サセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提案する。
【解決手段】上面にウェーハＷが載置される円形凹状の座ぐり部１１が形成され、該座ぐり部１１は、ウェーハＷの裏面周縁部を支持する上部座ぐり部１２と、上部座ぐり部１２よりも中心側下段に形成された下部座ぐり部１３とを有する二段の座ぐり部で構成され、上部座ぐり部１２の環状底面部１４にウェーハＷを載置してエピタキャル装置内に原料ソースガスを供給した際、ウェーハＷの周縁部に設けられたノッチ部Ｎから下部座ぐり部１３内に流入する原料ソースガスの流入を抑制する、下部座ぐり部１３の内周壁面の一部に下部座ぐり部１３の内周壁面よりも内側に突出する突出部１５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型のＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型のキャリアガスが発生した第１チャネル層１０６と、第１チャネル層１０６上に、第１チャネル層１０６よりバンドギャップが大きいＧａＮ系半導体で形成されたバリア層１１０と、バリア層１１０上に、バリア層１１０よりバンドギャップが小さいＧａＮ系半導体で形成され、第２導電型のキャリアガスが発生した第２チャネル層１１２と、第２チャネル層１１２にオーミック接続する第１ソース電極１１８と、第２チャネル層にオーミック接続する第１ドレイン電極１２０と、第１ソース電極１１８及び第１ドレイン電極１２０の間に形成された第１ゲート電極１２２と、を備え、第２導電型のキャリアガスのキャリア濃度が、第１ゲート電極１２２の下の領域で、第１ソース電極１１８及び第１ドレイン電極１２０の間の他の領域より低く、かつ、第１ゲート電極１２２により制御されるＧａＮ系半導体装置。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体からなる活性層にｎ型不純物原子をドーピングした場合であっても、活性層に発生する転位を減少することができる技術、あるいは、活性層の結晶破壊を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】ベース基板と、第１結晶層と第２結晶層とが交互に複数積層された積層構造体と、第３結晶層とを有し、前記ベース基板、前記積層構造体および前記第３結晶層が、前記ベース基板、前記積層構造体、前記第３結晶層の順に位置し、前記第１結晶層が、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ、（但し０≦ｘ≦１）からなり、前記第２結晶層が、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ、（但し０≦ｙ≦１、ｘ≠ｙ）からなり、前記第３結晶層が、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ、（但し０≦ｚ≦１）からなり、前記第１結晶層、前記第２結晶層および前記第３結晶層にシリコン原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合電界効果型トランジスタに用いられ得る窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハの反りと結晶性を改善する。
【解決手段】ヘテロ接合電界効果型トランジスタに用いられ得る窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハは、Ｓｉ基板上においてＡｌＮまたはＡｌＯＮの第１バッファ層、Ａｌ組成比を段階的に減少させたＡｌＧａＮの第２バッファ層、第２バッファ層の上に配置されていてＡｌ_ａＧａ_１−ａＮ層／Ａｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ層の繰返し多層からなる第３バッファ層、ＧａＮチャネル層、および電子供給層をこの順に含み、第２バッファ層の最上部のＡｌ組成比ｘが０≦ｘ≦０．３の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供する。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】欠陥のないエピタキシャル構造体を結晶成長させることができるエピタキシャルベース及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、カーボンナノチューブ層１０２とを含み、エピタキシャル層の成長に用いられるエピタキシャルベース１０であって、前記基板１００は、少なくとも一つのパターン化エピタキシャル成長面１０１を有し、前記パターン化エピタキシャル成長面１０１は、複数の溝１０３を含み、前記カーボンナノチューブ層１０２は、前記基板１００のパターン化エピタキシャル成長面１０１に配置され、前記複数の溝１０３に対応する位置では懸架される。前記基板１００のパターン化成長表面１０１にエピタキシャル層を成長させる （もっと読む）

【課題】絶縁破壊耐性に優れた化合物半導体積層構造を備えて基板の絶縁破壊の十分な抑止を実現し、ピンチオフ状態とする際にもリーク電流が極めて少ない信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に形成された化合物半導体積層構造２は、その厚みが１０μｍ以下であって、ＡｌＮからなる厚い第１のバッファ層を有しており、ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）の総原子数のうち、Ａｌ原子の比率が５０％以上とされ、換言すれば、Ｖ族元素のＮとの化学結合（Ｇａ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ）の総数のうち、Ａｌ−Ｎが５０％以上とされる。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせずに、均一に高品質な結晶が形成できるようにする。
【解決手段】まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶からなる基板１０１の主表面におけるテラスの幅を、主表面の（１００）面からの傾斜角度により制御する。この制御では、後述する第３工程で形成する第２半導体層１０３の第２原子間隔と、基板１０１の主表面における第１原子間隔と、自然数Ｎとを用いて表されるＮ×第１原子間隔≒（Ｎ−１）×第２原子間隔の関係が成立する条件で、テラスの幅がＮ×第１原子間隔となる状態に基板１０１の主表面を傾斜させる。なお、第２原子間隔は、第１原子間隔と同じ方向の、第２半導体層１０３を構成する原子の間隔である。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが１３０ａｒｃｓｅｃ以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】厚膜化が可能で、反りが小さく、かつリーク電流が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上方に形成された第１のバッファ領域と、第１のバッファ領域上に形成された第２のバッファ領域と、第２のバッファ領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された少なくとも２つの電極とを備え、第１のバッファ領域は、第１半導体層と、第２半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有し、第２のバッファ領域は、第３半導体層と、第４半導体層と、第５半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有し、第４半導体層の格子定数は、第３半導体層と第５半導体層の間の格子定数を有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）