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Fターム[5F045BB12]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 目的 (9,309) | 歪・反り防止 (1,345) | 結晶性・格子整合性の向上・結晶欠陥の防止 (911)

Fターム[5F045BB12]に分類される特許

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【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材1は、膨張黒鉛シート2と、膨張黒鉛シート2の上に配された、結晶性窒化ガリウム層3とを備える。黒鉛材1の製造方法は、膨張黒鉛シート2を準備する工程と、膨張黒鉛シート2の上に、結晶性窒化ガリウム層3を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層3は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート2の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、50秒を超えて300秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】III−V族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板30と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク32と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第1物質層34と、第1物質層上に形成された上部物質層36、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第1物質層は、III−V族物質層であり、該上部物質層は、第1物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第1物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Si単結晶基板の(111)主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたAlN結晶層、およびこのAlN層上に堆積された複数のAlGa1−xN(1>x>0)結晶層を含み、これら複数のAlGa1−xN結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなAl組成比xを有しており、複数のAlGa1−xN層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するAlN中間層を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。
【解決手段】当該サセプタ10は、上面24、および当該上面24と反対の下面26を有する本体20を備える。当該サセプタ10は、当該上面24から当該本体20に仮想の中央軸22に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハ12を受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタ10は、当該本体20を貫通し凹部から下面26まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタ10は、本体20から中央軸22に沿って凹部から下面26まで延びる中央開口部を有する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー内にウェーハを載置するサセプタを具備するコールドウォールタイプの気相成長装置を用いて、前記サセプタ上に載置されたウェーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記気相成長を行い、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のMOCVD装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器12は材料ガス供給室23,24と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器21と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口25,26を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口31,32を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口31,32から材料ガス流入開口26,26への見通し経路を有しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ、第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ、第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第2の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるIII族元素ガスに対するV族元素ガスのモル流量比が240以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、n−GaNからなる基板10と、基板10上に設けられ、InAl1−xN(0.15≦x≦0.2)からなる第1バッファ層12と、第1バッファ層12上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下のAlNからなるスペーサ層14と、スペーサ層14上に設けられ、GaNからなるチャネル層16と、チャネル層16上に設けられ、窒化物半導体からなる電子供給層18と、を具備する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板101は、基板110の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜120と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第1の窒化物半導体層111と、各第1の窒化物半導体層111の側面上にのみ成長により形成された複数の第2の窒化物半導体層112と、複数の第1の窒化物半導体層111及び複数の第2の窒化物半導体層112を覆うように成長により形成された第3の窒化物半導体層113とを有している。複数の第2の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第3の窒化物半導体層は、第2の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたn型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、(100)面から<011>±10度方向に10度以上40度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン(P)を含有するn型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、(100)面から<011>±10度方向に10度以上40度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン(P)を含有するn型ダイヤモンド半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板、接着層、バッファ層および活性層がこの順に位置し、前記ベース基板の前記接着層と接する領域にSiが存在し、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層が、窒化物半導体からなる半導体基板の製造方法であって、前記ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後に、前記ベース基板の温度を1000℃以上に維持しつつ前記ベース基板の表面をアンモニアガスとキャリアガスとの混合ガスに暴露するアンモニアガス暴露工程と、前記アンモニアガス暴露工程の後に、前記ベース基板の上に、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程と、を有する半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Si単結晶基板の(111)主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたAl層とAlN結晶層またはAlGaN結晶層とを有し、AlN結晶層またはAlGaN結晶層の表面は(0001)の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 (もっと読む)


【課題】パターン化された窒化ガリウムのテンプレートの上に酸化亜鉛の半導体エピ層を製作する方法を提供する。
【解決手段】この方法は以下の工程を含む:(1)サファイア基板101aを含む基板101上に窒化ガリウム層103を少なくとも1000℃の温度で成長させ;(2)SiO2マスク105を窒化ガリウム103上で配向した開口107にパターン化し;(3)成長温度と反応器を選択することによって結晶面を制御して(ELO)窒化ガリウム層のエピタキシャル横方向異常成長を行い、窒化ガリウム層103から開口107の配列を通して成長した窒化ガリウム層109(テンプレート)が形成され;(4)この窒化ガリウムテンプレート上に単結晶酸化亜鉛半導体層111を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板、接着層、バッファ層および活性層を有し、前記ベース基板、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層がこの順に位置し、前記ベース基板の前記接着層と接する領域にSiが存在し、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層が、窒化物半導体からなる半導体基板の製造方法であって、前記ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後、前記ベース基板の温度を1000℃以上1150℃以下に維持しつつ前記ベース基板の表面を水素ガスに暴露する水素ガス暴露工程と、前記水素ガス暴露工程の後、前記ベース基板の上に、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程と、を有する半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


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