【課題】抵抗加熱ヒータとしてＳｉＣヒータを用いてＧａＮ薄膜を気相成長させる気相成長装置において、ＳｉＣヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置１における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板２５の加熱手段としてＳｉＣヒータ１１を用い、ＳｉＣヒータ１１によって基板２５の温度を１０００℃以上に加熱して基板２５に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるＳｉＣヒータ１１のパージ方法であって、ＳｉＣヒータ１１をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、回転軸の耐久性の低下を抑制する。
【解決手段】成膜室１と、成膜室１内に成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド７と、成膜室１内において被処理基板３を加熱するヒータ６と、成膜室１内において被処理基板３が載置される回転可能なサセプタ４と、サセプタ４を支持し、サセプタ４に回転力を伝達する回転軸２５とを備える。回転軸２５は、この回転軸２５の軸方向に並んで一体に連結される複数の軸部材５１，２２，５３を含む。複数の軸部材５１，２２，５３の各々は、外径が拡径した継手部５１ａ，２２ａ，２２ｂ，５３ａを有する。複数の軸部材５１，２２，５３のうちの互いに隣接する少なくとも１組の軸部材５１，２２の継手部５１ａ，２２ａ同士は、この軸部材５１，２２の材料より熱伝導率の低い材料で形成された側面視平板状の環状部材２１を間に挟んで互いに連結されている。 （もっと読む）

【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】本発明は、工程チャンバと真空ポンプの間に位置し、低圧プラズマを生成して工程チャンバから排出される汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】プラズマ反応器３１０は、内部にプラズマ生成空間を形成する少なくとも１つの誘電体３０と、誘電体３０の少なくとも一端に連結する接地電極４１，４２と、誘電体３０の外周面に固定され、交流電源部６０と連結して交流駆動電圧が印加される少なくとも１つの駆動電極５０と、を含み、接地電極４１，４２は、プラズマ反応器３１０の長さ方向に沿って非均一直径を有する。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１のチャンバー６内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーＷが搬入され、保持プレート７によって保持される。フィルタ機構２は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ２０をチャンバー６のチャンバー窓６１とフラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬとの間に挿入する。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光がフィルタ２０を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体１００と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス３００と、を有し、前記ガスボックス３００の上方に設けられた吸気口３０５から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口３０３から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部（サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等）が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 （もっと読む）

【課題】温度制御用の温度検出素子が故障しても、被加熱物の温度をほとんど変動させることなく、継続して温度制御可能な温度制御方法を提供する。
【解決手段】各々が互いに異なる位置に設けられた複数の温度検出素子Ａｉ１〜Ａｉ１０が温度を検出した検出値に基づいて、各々が互いに異なる位置に設けられた複数の発熱素子６３−１〜６３−１０を含み、被加熱物を加熱する加熱部６３における発熱素子６３−１〜６３−１０の発熱量を制御することによって、被加熱物の温度を制御する温度制御方法において、複数の温度検出素子Ａｉ１〜Ａｉ１０のいずれかが故障したときに、故障した温度検出素子以外の温度検出素子が検出した検出値に基づいて、複数の温度検出素子Ａｉ１〜Ａｉ１０の各々の温度を推定する第１の推定アルゴリズムにより、複数の温度検出素子Ａｉ１〜Ａｉ１０の各々の温度を推定し、推定した推定値に基づいて、被加熱物の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる温度検出装置を提供する。
【解決手段】鉛直方向に延在するように設置され鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって前記絶縁管の貫通穴に挿通され前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されるように温度検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】カセット内のウェハを処理装置に搬送して処理する際、搬送したウェハに各カセットとも共通な真空処理を施すカセットの並列処理、１つのカセット内に収納された複数のウェハに共通の真空処理を施す真空処理室の並列処理等のいずれかを選択的に施す。
【解決手段】ウェハを前記真空処理室に搬送し、真空処理されたウェハを搬出する制御を行う制御手段とを備え、制御手段は、少なくとも２つのカセットを使用し、各カセットに収納されたウェハを各カセット毎に対応する真空処理室に搬送し、各カセット毎に割り付けられ各カセットとも共通な真空処理を施すカセットの並列処理と、１つのカセット内に収納された複数のウェハを複数の真空処理室へ順次搬送し、前記順次搬送された複数のウェハに共通の真空処理を施す真空処理室の並列処理とを備え、ウェハ供給停止、カセット供給停止、実行中の真空処理等の動作を停止するサイクル停止、実行中のカセットの真空処理の動作を全て即時停止する即停止の何れかにより実行中の処理を終了させる。 （もっと読む）

【課題】静電気の発生を抑制できる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜装置のクリーニング方法は、成膜装置の周辺を加湿するステップ（Ｓ４０）と、成膜装置を大気開放するステップ（Ｓ６０）と、成膜装置の内部の堆積物を除去するステップ（Ｓ７０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 前記のような基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置を用いた窒化ガリウムの気相成長方法であって、基板表面の温度、基板表面と該基板の対面表面との温度差を適切な範囲内に設定し、かつ基板の位置における原料ガスの線速を適切な範囲内となるように原料ガスの供給を調整して基板表面に窒化ガリウム層の形成を行なう気相成長方法とする。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第１の開口が形成された外部チャンバと、第１の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第２の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）