【課題】優れた特性の炭化ケイ素半導体素子を作製することが可能な、ステップテラス構造を持った炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の（０００１）面に対して傾いた主面を有する炭化ケイ素単結晶基板であって、前記主面はステップｓとテラスｔとのステップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造における前記ステップｓの平均高さｈが０.２５ｎｍ以上３ｎｍ
以下であり、前記主面の（０００１）面に対する傾斜角をθとするとき、前記主面内のいずれかの場所において、前記ステップｓに沿う方向に対して垂直な方向に、前記ステップｓと前記テラスｔとが連続する１０対の前記ステップテラス構造におけるテラス幅Ｗ_１〜Ｗ_１０のうち９０％以上が、Ｗ_０＝ｈ／ｔａｎθで求まる平均テラス幅Ｗ_０との相対誤差が１０％以内にある。 （もっと読む）

【課題】選択成長において、露出しているコア層の端面の酸化を抑制し、選択成長前にハリゲン系ガスを用いる必要をなくし、端面の酸化に起因する異常成長を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に、Ａｌを含まない化合物半導体からなる第１のコア層２０を形成する。半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第２の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第２のコア層３０を形成する。第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層を用い、緩やかに傾斜したフィールドプレートの形成が容易に形成ができ、電界集中を緩和して高耐圧化が実現できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。側壁が斜めの凹部は、アルミニウムを含む窒化物半導体層の結晶性を劣化させながら成長させ、その後、結晶性の違いに応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。あるいはアルミニウムの組成比を変化させて形成することも可能である。 （もっと読む）

【課題】ノッチ角部への残留物を減らし、窒化物半導体基板上への結晶成長歩留を向上できる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】円形の窒化物半導体基板本体２の外周に結晶方位と表裏面とを特定するノッチ３を形成する窒化物半導体基板１において、窒化物半導体基板本体２の外周に、複数の辺からなるノッチ３が形成され、そのノッチ３の結晶方位を示す方位辺４が結晶方位と±０．３°以内で一致するように形成され、かつ、表裏面を特定する表裏判別辺６と方位辺４との角度θが９０°よりも大きくなるように形成され、かつ、各辺の交点の曲率半径が０．１ｍｍ以上となるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】精度のよいオリフラおよびインフラを有するIII族窒化物半導体基板を簡単に、かつ短時間で製造できるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２上に第一の層３、金属膜４を順次形成した後、第一の層３中に空隙６を発生させて下地基板７とし、その下地基板７上に第二の層８を形成し、第二の層８を、III族窒化物半導体基板１１とすべく下地基板７から剥離して形成するIII族窒化物半導体基板１１の製造方法において、第一の層３中に空隙６を発生させる際に、空隙割合が過多となる部分Ｃを形成し、その後、第二の層８を形成して、その第二の層８に空隙割合が過多となる部分と対応する部分にピット列１２を形成し、その剥離後のIII族窒化物半導体基板１１にピット列１２を境界にしてオリフラ９およびインフラ１０を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 シリコンをエッチング可能なエッチング材を利用して半導体下地層の表面を洗浄する工程と、洗浄後の半導体下地層をアルコールに浸漬する工程と、浸漬された状態で半導体下地層をガス置換室に搬入する工程と、ガス置換室内を大気から置換ガスに置換する工程と、ガス置換室に連結する反応室に液体から取り出した半導体下地層を搬入する工程と、反応室内で半導体下地層の表面に前記半導体層を結晶成長させる工程を備えている。置換ガスは、シリコン濃度が０．２ppm以下である。 （もっと読む）

【課題】 電流コラプスの抑制と高耐圧化が実現できると共に、微結晶構造の窒化物半導体層を緩やかに傾斜した形状に形成し、電界集中を緩和することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウムを含まない高絶縁性の第２の窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。側壁が斜めの凹部は、第２の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。 （もっと読む）

【課題】面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は基板１１が載置される陽極１０２と、陽極１０２との間でプラズマを発生させる陰極１０３と、ステージ１０４と、ステージ１０４内に設置された冷却部２０１と、を備える。冷却部２０１の冷却ヘッド部２０１ａのステージ１０４と対向する面に、凹部２０１ｃが形成されることにより、冷却ヘッド部２０１ａの周縁部のみがステージ１０４に当接する。これにより基板１１は周辺領域から冷却され、基板の中心領域から周辺領域へと熱流を生じさせることができ、基板１１内に温度勾配を生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】発熱体４と基板ホルダー５間を遮蔽及び開口するためのシャッター７を備えた化学蒸着装置において、シャッター７の開閉制御を最適化して成膜開始初期の膜質の劣悪性を解消する。
【解決手段】前記シャッター７が遮蔽位置にある状態で前記発熱体４への通電を開始し、前記発熱体４を所定温度まで発熱させた後、原料ガスの供給を開始すると共に、排気速度を制御して、処理容器１内を所定の圧力とし、その後前記シャッター７を開口位置へ移動させる制御部８を設ける。 （もっと読む）

基板の結晶方位によって画定された面に対して約５°から約４５°のオフカット角でオフカットされた成長表面を備える基板が設けられる。この成長表面上に、熱電膜がエピタキシャル成長される。熱電膜の結晶方位は、成長表面に対して約５°から約３０°の角度で傾斜しているとよい。熱電膜のエピタキシャル成長の前に、基板の成長表面は、基板から突出する複数のメサを画定するように、パターン化されてもよい。関連する方法および熱電素子も検討されている。
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【課題】基底面転位欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下であり、二乗平均粗さが０．１ｎｍ以下である表面１０ａを有する炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程とを包含し、前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さＲｑ（ｎｍ）がエピタキシャル層１１の成長速度をＶ（μｍ／ｈ）として、Ｒｑ（ｎｍ）＜０．００７×Ｖ（μｍ／ｈ）＋０．０７４の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法は、有機金属化合物と溶媒を準備する工程と、有機金属化合物と溶媒を混合してＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体を形成する工程を備え、ＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体は、ＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入される。ＰＭＯ前駆体とＣＭＯ前駆体を交互にＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入することによりナノサイズのＰＣＭＯ薄膜または結晶質のＰＣＭＯ薄膜を形成するために堆積パラメータが選択される。選択された堆積パラメータは、ＰＣＭＯ薄膜の特定部分において所望のＰｒ：Ｃａ濃度比を有するＰＣＭＯ薄膜種を堆積するために維持される。得られたＰＣＭＯ薄膜は選択された温度で選択された時間アニーリングされる。 （もっと読む）

【課題】 モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ薄膜を成膜する方法であり、シリコン基板が載置された反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスを導入する第１工程（I）と、反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスとヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）とを導入する第２工程（II）と、反応装置内にヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を導入する第３工程（III）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＰＣＭＯスイッチング薄膜を有する抵抗性ランダムアクセスメモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＣＭＯ前駆体を準備する工程（＃１２）と、基板を準備する工程（＃１４）と、前記基板をＭＯＣＶＤ反応室内に戴置する工程（＃１６）と、前記ＰＣＭＯ前駆体を前記ＭＯＣＶＤ反応室内に導入してＰＣＭＯ薄膜を前記基板上に堆積させる工程（＃１８）と、ＭＯＣＶＤ気化器を２４０〜２８０℃の温度範囲に維持し、且つ、前記ＭＯＣＶＤ反応室を３００〜４００℃の温度範囲に維持する工程（＃２０）と、前記ＰＣＭＯ薄膜を担持した基板を前記ＭＯＣＶＤ反応室から取り出す工程（＃２４）と、前記抵抗性ランダムアクセスメモリ装置を完成させる工程（＃２６）を有する。 （もっと読む）