【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】サセプターのうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
回転部３０により板部２１を筒部２２と一緒に回転させながら、ヒーター２３によって板部２１と筒部２２とを加熱し、原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入し、板部２１の表面に配置された基板５１に薄膜を形成する成膜装置１０であって、板部２１のうち、基板５１が配置される範囲より外側には、基板５１が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分４１が環状に設けられており、基板５１が配置される範囲内から外側に熱が逃げにくくなっている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮを含む半導体の形成で、高品質・高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともＩｎＧａＮを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のＮ源とＩｎ源とを反応させ、ＩｎＮ源を生成する第１のステップと、前記気相成長装置内で、第一のＮ源とは異なる第二のＮ源とＧａ源とを反応させ、ＧａＮ源を生成する第２のステップと、前記第１のステップで生成された前記ＩｎＮ源と、前記第２のステップで生成された前記ＧａＮ源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第３のステップとを有する気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法は、第１表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第１表面の反対側にある基板の第２表面にＭＯＣＶＤプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、１Ｗ／ｍ℃〜２０Ｗ／ｍ℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】押さえガスを供給する副噴射器の内部に遮熱器２５が設けられている。遮熱器２５は、押さえガスが流入する複数の流入側通気部２７Ａと、流入側通気部と互いに連通し、流入側通気部２７Ａから流入した押さえガスを噴出する複数の流出側通気部２７Ｂを有し、上記流出側通気部２７Ｂ及び流入側通気部２７Ａは、流出側通気部２７Ｂの開口部から流入側通気部２７Ａの開口部への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のＭＯＣＶＤ装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器１２は材料ガス供給室２３，２４と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器２１と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口２５，２６を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口３１，３２を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口３１，３２から材料ガス流入開口２６，２６への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】ｃ軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がＩＩＩ族極性面１０４ａとされた第２半導体層１０４の主表面に、第１半導体層１０３のＩＩＩ族極性面１０３ａを貼り合わせた後、第１半導体層１０３と基板１０１とを、分離層１０２で分離する。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱するためのヒータに通電する電流導入端子が、冷媒を導入する冷却容器に備えられた構成を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、ヒータからの熱が電流導入端子を介して気相成長装置の各部品に拡散することを、効果的に抑制できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電気絶縁された電流導入端子の少なくとも一部を厚さ０．１〜１ｍｍのフッ素樹脂膜で被覆し、該フッ素樹脂膜を介して該電流導入端子を冷媒により冷却できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板へのダスト付着を抑制または防止して、高歩留まりで高品質な化合物半導体デバイスを製造する。
【解決手段】グローブボックス室内部にリアクタ３が内蔵された開閉自在なチャンバ５が設けられ、チャンバ５内のリアクタ３で基板４の表面に所定の材料膜を成膜する気相成長装置１において、グローブボックス室上部よりパージガスを導入してグローブボックス室下部のダストトラップ部８を介してその下部よりパージガスが排気されるように構成されている。 （もっと読む）