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Fターム[5F045CA11]の内容

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【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び/または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき(生産揺らぎ)を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】p型電極11とn型電極12の形成後に、静電容量測定手段が、p型電極11とn型電極12間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程(図示せず)と、第1不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、MOCVD手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第1不純物濃度分布制御工程(図示せず)とを有している。 (もっと読む)


【課題】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】押さえガスを供給する副噴射器の内部に遮熱器25が設けられている。遮熱器25は、押さえガスが流入する複数の流入側通気部27Aと、流入側通気部と互いに連通し、流入側通気部27Aから流入した押さえガスを噴出する複数の流出側通気部27Bを有し、上記流出側通気部27B及び流入側通気部27Aは、流出側通気部27Bの開口部から流入側通気部27Aの開口部への見通し経路を有しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度であり第1下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】 ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、気相成長後の基板ホルダー、サセプタ等の気相成長装置構成部品に付着する付着物あるいは堆積物を効率よく除去する洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】 サセプタ及び基板ホルダーの収納部、サセプタを回転させる手段及び/または基板ホルダーを回転させる手段、ヒータ、洗浄ガス導入部、及び洗浄ガス排出部を備えてなる洗浄装置とする。また、この洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び/または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した付着物あるいは堆積物を除去する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗(表面比抵抗が20Ω/□以下)であり、結晶性が良好(XRD半値幅が50秒以上100秒以下)な窒化物半導体テンプレート、及びそれを用いた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体テンプレート10は、基板11と、基板11上にO(酸素)が添加されたO添加層としてOドープGaN層13を形成し、OドープGaN層13上にSiが添加されたSi添加層としてのSiドープGaN層14を形成してなるIII族窒化物半導体層22とを備え、III族窒化物半導体層の全体の膜厚が4μm以上10μm以下であり、SiドープGaN層14におけるSiの平均キャリア濃度が1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。 (もっと読む)


【課題】転位密度の低減を図ることができる半導体発光素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の第1の主面の側に設けられた第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2の半導体層と、を備えている。そして、前記基板の第1の主面には、頂部に凹部を有する突起部が複数設けられている。 (もっと読む)


【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】III族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、III族窒化物半導体結晶を成長させるIII族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からc軸方向に±90°傾斜した面をK面と定義したとき、該K面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 (もっと読む)


【課題】複数の基板ホルダーをサセプタにより保持するフェイスダウン型の気相成長装置であっても、1000℃を超える気相成長温度を必要とする3族窒化物半導体のフェイスダウン型の気相成長装置であっても、前記サセプタの重力あるいは加熱による変形を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板1を保持する基板ホルダー2、及び該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ3が備えられた気相成長装置であって、中心部が上向きに凸となるように撓ませたサセプタを、基板ホルダーに回転駆動力を伝達するための回転駆動軸10を介して、上から中心部を押圧して配置した気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】簡単な工程で光抽出効率を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子の製造方法は、互いに対向する第1及び第2の主面を有する基板を設ける段階と、基板の第1の主面に柱状を有する複数の凸部を形成する段階と、凸部が形成された第1の主面上に第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を含む発光積層体を形成する段階と、発光積層体のうちの凸部の周囲の溝部に対応する領域に形成された部分を除去して複数の発光構造物を形成する段階と、基板上に形成された複数の発光構造物から個別素子が得られるように溝部に沿って基板を分離する段階と、を有する。 (もっと読む)


【課題】概ね1250℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造する。
【解決手段】AlN層の製造方法において、c面Al基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000℃以上1200℃以下の成長温度にまで昇温する第1ステップと、第1ステップにより1000℃以上1200℃以下で加熱されているc面Al基板上に、1000℃以上1200℃以下の成長温度でAlN層を成長する第2ステップと、第2ステップで形成したAlN層を、HまたはNまたはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNHが混入されたプロセスガス中で1000℃以上1250℃未満の温度でアニールする第3ステップと、第3ステップでアニールされたAlN層上に1000℃以上1250℃未満の成長温度でAlN層を成長する第4ステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の(0001)面上に、第1の窒化物半導体パターンを形成し、該第1の窒化物半導体パターンを成長核として第2の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第1の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 基板を保持する基板ホルダー、及び該基板ホルダーを回転自在に保持し外周に外部からの回転駆動力の伝達を受ける歯車部を有するサセプタが備えられた気相成長装置であって、歯車部等に破損が生じたとしてもサセプタ全体を交換することを要せず、温度むらを原因とした熱応力によるサセプタの破損を抑制できる気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 サセプタの歯車部がサセプタ本体から自由自在に分離できる構成、好ましくは円盤状部材とその外側に設けられたリング状部材からなるサセプタ本体及び歯車部からなる構成、あるいは歯車部が複数の円弧状部材からなる構成とする。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】pクラッド層15は、厚さ0.5〜10nmのp−AlGaN層と、InGaN層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。p−AlGaN層の成長温度は800〜950℃とする。p−AlGaN層上にInGaN層を形成する際、p−AlGaN層の成長温度を保持したまま、TMAの供給を停止してTMIを供給し、Ga源ガスの供給量を増やし、厚さ1〜2分子層のInGaN層を形成する。pクラッド層15の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】基板により均一な膜厚で成膜する気相成長装置および気相成長方法、を提供する。
【解決手段】MOCVD装置10は、処理室12に配置される頂面21aを有し、800rpm以上の速度で回転するサセプタ21と、サセプタ21の頂面21aに向かい合う位置に複数のガス吐出口44,49を有し、複数のガス吐出口44,49を通じて処理室12に原料ガスを供給するシャワーヘッド31とを備える。サセプタ21には、頂面21aから凹み、基板90が載置される凹部22が形成される。基板は、基板と凹部22の内壁との間に隙間が形成されるように配置され、かつ、基板の気相成長面は、サセプタ21の頂面21aよりも高い位置に配置される。 (もっと読む)


【課題】Al含有率が高いIII族窒化物半導体上にP型GaN層が形成された積層体において、その表面が極めて平滑であり、電極特性が良好な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】AlGaInN(X、YおよびZが、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0である)層と、不純物原子がドープされたGaN層と有するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、P型GaN層16が、層厚みをT[nm]とし、P型GaN層の層厚み方向における成長速度をGR[nm/分]とし、P型GaN層を形成するために用いられるGa原料の流量をFGa[μmol/分]とし、不純物原子原料の流量をFi[μmol/分]としたときに、GRが0.15以上2.0以下、(Fi/FGa)×ln(T)が0.1を超え0.4以下となるように成長させる。 (もっと読む)


【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層と、第2半導体層と、それらの間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第1半導体層は、発光層とは反対の側の第1主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第1の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第1の構造体に最も近い第2の構造体の形状の重心と、は、第2軸上に並ぶ。凹部の深さをhbとし、凹部の底部の第2軸に沿った幅をrbとしたとき、rb/(2・hb)≦0.7を満たす。第1主面の単位面積あたりの底部の面積の合計の、単位面積あたりの凸部の合計の面積に対する比は、0.17よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第1半導体層との間に設けられる。第2半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第2半導体層の側の第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有する。下地層は、第2主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合よりも低い。第1主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 (もっと読む)


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