説明

Fターム[5F045DA51]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 半導体成長層の構造 (3,415) | 半導体成長層の形状、構造 (2,125)

Fターム[5F045DA51]の下位に属するFターム

多層成長層 (2,091)

Fターム[5F045DA51]に分類される特許

21 - 34 / 34


【課題】基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、発光層およびp型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。
【解決手段】サファイア基板2上に、バッファ層3を形成し、1000℃の成膜温度でn型窒化ガリウム化合物半導体層4、発光層5およびp型窒化ガリウム化合物半導体層6を成膜した後、800℃に温度を下げて、四角錐状の凸部7を結晶核成長させ、その凸部7をマスクとして、p層6をエッチングして凹凸8を形成する。したがって、光取出し効率を向上するための凹凸8が矩形波状ではないので、発光層5からp層6に略垂直に入射する光に対する光取出し効率を向上することができる。また、前記凹凸8は、p層6をそのまま成長させたものであるので、界面が少なく、一層光取出し効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 より高輝度の半導体発光素子を製造するのに役立つ半導体積層基板及びその製造方法並びに半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板2の上に、n型窒化物半導体層3、発光層4、及びp型窒化物半導体層5がこの順序で積層されて成る窒化物半導体層を有して成る窒化物半導体発光素子用の半導体基板1において、p型窒化物半導体層5は多数の無機粒子6を配した窒化物半導体層となっており、無機粒子6の一部分がp型窒化物半導体層5の表面に露出している。これにより、半導体積層基板1が与える半導体発光素子が高い輝度を示す。 (もっと読む)


【課題】 単結晶炭化ケイ素(SiC)のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素(SiC)基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素(SiC)膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、SiC高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記多結晶SiC基板19に対し、単結晶炭化ケイ素(SiC)基板5を近接又は密接させて密閉容器に収納して、1,600℃〜2,100℃(好ましくは1,700℃〜1,900℃)の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶炭化ケイ素(SiC)基板5と多結晶SiC基板19との距離(隙間gの大きさ)は、密接から0.6mm以下が好ましく、0.1mm以上0.3mm以下が更に好ましい。 (もっと読む)


【課題】長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の窒化物半導体層の少なくとも1層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料とIII族原料の供給量のモル比を1000以下として、最上部に形成された窒化物半導体層の表面に段差が50nm以上の凹凸面を形成する。 (もっと読む)


【課題】高いシートキャリア濃度を持つ電子ガスを与える窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイスの製造方法は、InGa1−xN(0≦x≦1)層27を成長させるステップと、InGa1−xN層27の上にアルミニウム含有窒化物半導体層26を500℃以上の成長温度で成長させ、これによりInGa1−xN層27と窒化物半導体層26との間の界面に電子ガス領域28を形成させるステップとを含む。その後、上記アルミニウム含有窒化物半導体層を800℃以上の温度でアニールする。この方法により、比較的低いアルミニウム濃度、例えば0.3以下のアルミニウム・モル分率等を持つアルミニウム含有窒化物半導体層26を用いて、アルミニウム含有窒化物半導体層26またはInGa1−xN層27をドープする必要なしに、6×1013cm−2以上のシートキャリア濃度を持つ電子ガスを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成された良質のGaN層を含む窒化物系半導体素子及びその製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたGaN層を含む。 (もっと読む)


空隙からなる凹部(102b)およびIII族窒化物からなる凸部(102a)が表面に形成されている基板(101)と、基板(101)上に形成された窒化物半導体層(106)と、窒化物半導体層(106)上に形成され活性層を有する窒化物半導体積層体とを備え、基板(101)の格子定数は、III族窒化物(102a)の格子定数とは異なり、基板(101)は誘電体(104)からなるマスク(104a)を有しており、マスク(104a)は、凸部(102a)の側面にのみ形成され、凸部(102a)の上面は露出しており、かつ凹部(102b)には基板(101)が露出しており、マスク(104a)の高さL1は、50nm以上5000nm以下であり、凹部(102b)の幅L2は、5000nm以上50000nm以下であり、凹部(102b)のアスペクト比L1/L2は、0.001以上1.0以下である窒化物半導体素子である。このような構成により、窒化物半導体素子の信頼性を高めることができる。
(もっと読む)


【課題】 本発明は、クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、掘り込み領域内において、側面部と底面部の境界に窪みを形成するとともに、丘の両端部に突起部を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 (もっと読む)


【課題】貫通転位密度が低減され、かつ歪み緩和されたSiGe層を有する歪みシリコンウェーハおよびその製造方法を得る。
【解決手段】本歪みシリコンウェーハは、単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャルSiGe層と、窒素濃度が1×1019atoms/cc以上の窒化膜層と、歪みSi層とを備えたことを特徴としている。 (もっと読む)


Geリッチな含有率(Ge>50原子%)および正確な化学量論的SiGe、SiGe、SiGeおよびSiGeを有するSi−Ge材料をSi(100)上に成長させる方法が提供される。化合物(HGe)SiH4−x(x=1〜4)の群から得られる直接Si−Ge結合を有する新たな水素化物を用いて、約300〜450℃という前例のない低温で、欠陥密度の低い均一でリレーされた(relayed)高度に平面状の膜を成長させることで、厚い組成勾配のある緩衝層およびリフトオフ法を用いる必要が全くなくなる。約500〜700℃では、SiGe量子ドットが、狭い径分布、無欠陥微細構造および原子レベルで高度に均質な元素含有率にて成長する。その方法は、気体前駆体の全Si/Ge骨格の膜への組み込みを介して、形態、組成、構造および歪みの正確な制御を提供するものである。成長した材料は、高周波数電子および光学システム、ならびに高移動度SiおよびGeチャネルに基づく商業的デバイスの開発のための鋳型および緩衝層での利用に必要な形態的および微細構造的特徴を有している。
(もっと読む)


【課題】エッチング処理を組み合わせることにより、半球状の結晶粒のサイズを小さく制御することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、成膜ガスにより前記被処理体の表面に結晶核92を形成して該結晶核92を成長させることにより半球状の結晶粒6が表面に形成された結晶粒薄膜94を形成する結晶粒薄膜形成工程と、前記結晶粒薄膜94の表面を酸化することにより酸化膜96を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜96をエッチングにより除去するエッチング工程と、を有する。このように、エッチング処理を組み合わせることにより、HSGシリコン結晶粒における半球状の結晶粒6のサイズを小さく制御する。 (もっと読む)


【課題】不純物領域に3C−SiC欠陥が混入しないようにすると共に、選択マスクを着実に除去できるようにする。
【解決手段】トレンチ5内に形成される不純物領域7の成長上面が選択マスクとなるカーボン膜2の下面よりも下方となるようにする。すなわち、カーボン膜2の下面までにトレンチ5内に形成される不純物領域7の成長上面を抑える。これにより、不純物領域7の横方向の拡大を抑制することができ、横方向成長した場合に発生する3C−SiC膜8の多形混入を防止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】多孔構造体の材料として、様々な材料を適用できる多孔構造体及びその製造方法を提供するにある。
【解決手段】基板1上にナノサイズの金属微粒子2をアレイ状に形成し、次いで、該金属微粒子2上に第一の化合物をVLS成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造3を形成し、引き続き、前記柱状構造3の高さよりも下まで前記基板上に第二の化合物4を充填した後、前記第一の化合物と前記第二の化合物4の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の化合物である柱状構造3を除去して、微細孔4aをアレイ状に有する構造体5を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


21 - 34 / 34