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Fターム[5F045DA51]の内容

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多層成長層 (2,091)

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【課題】電流の減少を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化シリコンからなる基板10と、基板10上に設けられた窒化アルミニウムからなるバッファ層12と、バッファ層12上に設けられた窒化ガリウムからなるチャネル層14と、チャネル層14上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層16と、電子供給層16上に設けられたソース電極20、ドレイン電極22及びゲート電極24と、を具備し、バッファ層12の厚さの逆数の平均値の逆数は20nm以下であり、バッファ層12の最も厚い部分と、最も薄い部分との厚さの差は6nm以上であることHEMT100である。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたAl含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、GaNを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第1導電形のGaNを含む第1半導体層を含む。Al含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Alを含む窒化物半導体を含む複数の第2層と、複数の第2層の間に設けられ第2層におけるAl組成比よりも低いAl組成比を有する窒化物半導体を含む第1層と、を含む。下地層の厚さは、第1層の厚さよりも厚く、第1半導体層の厚さよりも薄い。 (もっと読む)


【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板3の表面3aに第1の半導体薄膜を、この基板3の裏面3bに第2の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板3の表面3aを赤外線ランプ15で加熱するとともに、この表面3aに第1の原料ガスg1を導入し、この表面3aに第1の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板3の裏面3bに第2の原料ガスg2を導入し、この裏面3bに第2の半導体薄膜を成長させる。 (もっと読む)


【課題】拡大成長させた場合に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体単結晶を得ることができるIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体の種結晶の製造方法は、気相成長法により、種結晶形成用部材1上に複数のIII族窒化物半導体の核を離間させて形成し、前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶2を得る。 (もっと読む)


【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 表面に凹凸が形成された成長用基板の、該表面の凸部の上面に離散的に分布し、化合物半導体からなる複数の支柱を形成する。支柱によって成長用基板の上に支えられ、化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。成長用基板を半導体層から分離する。 (もっと読む)


【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法によって作製したデバイスを提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Hと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ZYの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Sを用い、低欠陥領域ZYにデバイスの内部が、欠陥集合領域Hに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層(上層部B)をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Sと成長層(上層部B)を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。作製されたデバイスは端面が成長によるファセットで形成されている。 (もっと読む)


【課題】良好なグローバルフラットネスを有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハを生じる、シリコンウェハをエピタキシャル被覆する方法を提供する
【解決手段】準備されたシリコンウェハのそれぞれ一つをエピタキシー反応器中のサセプタ上に置き、第1の工程で、水素雰囲気下でだけで1〜100slmの水素流量で前処理し、第2工程で、前記水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら、1〜100slmの水素流量で、0.5〜1.5slmのエッチング媒体の流量で、かつ950〜1050℃の平均温度で前処理し、引き続き前記シリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル被覆し、前記エピタキシー反応器から取り出し、前記前処理の第2の工程において、前記サセプタの上側及び下側に配置された加熱エレメントの出力を、エピタキシャル被覆すべきシリコンウェハの中心軸の周りの放射形対称の領域と前記シリコンウェハの前記領域の外側にある部分との間に5〜30℃の温度差があるように調節する (もっと読む)


【課題】本発明は、回折格子の形状が製造工程中に変化せず所望の形状とすることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。そして更に該基板を該キャップ層の成長温度未満かつ該キャップ層のマストランスポートが起こる温度以上に昇温し、該開口部において露出している該光ガイド層の側面を該キャップ層の一部で覆うマストランスポート工程と、該マストランスポート工程後に該基板上に該回折格子の埋め込み層を形成する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反りが抑制され、結晶性を低下させることなく、高品質なSiC膜が形成された化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板10の表面10aに、前記Si基板10の表面10aに該表面10aにおける幅Wおよび該表面10aからの深さDが、SiC膜20の厚さよりも大きい溝部30を形成し、前記Si基板10の表面10aに、前記溝部30によって島状にそれぞれ分離された複数のSiC島部20aとして、SiC膜20を形成する。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークAM11,A12が隣り合う間の凸部領域SC1の上方におけるエピタキシャル成長層EPの表面には、第1アライメントマークAM11からのパターンダレと第2アライメントマークAM12からのパターンダレとが重なり合い、第1アライメントマークAM11および第2アライメントマークA12の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部CR1が形成され、この凸部CR1に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークPM2を読取ることができる。 (もっと読む)


【課題】 従来の超接合構造のウエハの製造方法は、半導体ウエハの厚み方向に多段階にエピタキシャル層を形成する工程とイオン注入工程が必要となり、工程数が多くなる。また、pn接合面は、波状となり、空乏層の広がりが均一になりにくい問題がある。一方、一部のピラー状の半導体層を斜めイオン注入で形成する方法の場合、超接合構造を多数配置することが困難である。
【解決手段】 半導体基板上に、n型エピタキシャル層形成とエッチングおよびp型エピタキシャル層形成とエッチングを交互に、少なくとも3回以上行い、全ての半導体層をエピタキシャル層で形成する。これにより、各半導体層の不純物濃度プロファイルを均一にでき、pn接合面をウエハ表面に対して垂直に形成できる。更に各半導体層の幅を狭く形成できるので、不純物濃度が高められるため高耐圧、且つ低抵抗が実現できる。 (もっと読む)


【課題】ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、電極形成工程の困難さを回避する。
【解決手段】ナノコラム2を、n型GaNから成るコア部21を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいn型AlGaNから成る筒状のシェル部22で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部21自体を活性層とする。そして、成長基板から分離して、n型電極となるAl基板5上に多数散布し、その上にp型電極となる透明な有機金属から成る封止部材4をスピンコートで被せる。ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム2に対して、その自己整合によって、Al基板5の表層部において、ナノコラム2の影になっていない部分5aを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。こうして、電極を容易に形成できる。 (もっと読む)


本発明は、多層構造を製造するためのプロセスであって、a)シリコン基板上で成長層をエピタキシャル成長するステップ(S1)と、b)成長層において少なくとも1つのパターンを形成するステップ(S2、S3)と、c)シリコン基板上に酸化層を堆積するステップ(S5)と、d)シリコン活性層を酸化層上へ転移するステップ(S7−S10)と、e)各パターンの上のシリコン活性層及び酸化層内にキャビティを形成するステップ(S11、S12)と、f)III−V族の物質のキャビティを成長層の各々の暴露されたパターンから成長させるステップ(S14)とを少なくとも備えることを特徴とするプロセスに関する。
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【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。
【解決手段】先ず、図1(a)で示すように、Si基板1上に種結晶層となるAlN膜2を蒸着する。次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO薄膜3を蒸着し、ナノコラム5を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でAlN膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。したがって、図1(c)で示すようにGaNナノコラム5が成長すると、SiOをナノコラム5間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】ソース・ドレイン領域とチャネル領域との境界付近における欠陥発生を抑制して、トランジスタ特性を向上させること。
【解決手段】シリコン基板1に形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置において、電界効果型トランジスタのチャネル部分を含む領域におけるシリコン基板1、実質的に(100)面または(100)面と結晶学的に等価な面を底面とし、かつ、実質的に(111)面または(111)面と結晶学的に等価な面を側面とする溝9が形成されており、溝9にシリコンとは異なる半導体材料10が埋め込まれている。半導体材料10は、シリコンよりもキャリアの移動度の高い半導体材料であり、エピタキシャル成長させたシリコンゲルマニウムまたはゲルマニウムを用いることができる。 (もっと読む)


ポリマーを含有する溶液中に溶解されている金属前駆物質を、小滴噴霧分布を用いて基板上に配置することは知られている。引き続きカルコゲン含有試薬との気相反応は、ポリマーマトリックス中の量子ドットを生じさせる。任意の、しかしながらポリマー不含のマトリックスを生じさせるために、本発明による方法は、前駆物質(PC)からなる量子ドット(QD)の施与後に、これを引き続き施与された量子ドット(QD)及び覆われていない基板(SU)と気相の試薬(RG)とを接触させることを用意し、この試薬は生じさせるべきマトリックス(MA)の全ての成分を含有し、その際に、前駆物質(PC)及び試薬(RG)の間の化学反応は、接触と同時の又は次の温度増大によりもたされる。それゆえ、量子ドット(QD)及びマトリックス(MA)の間の調和する組成が製造されることができ、その際に量子ドット(QD)は、前駆物質(PC)及び試薬(RG)の元素からなる添加組成を有し、かつマトリックス(MA)は試薬(RG)の元素から専らなる組成を有する。相応する元素選択により、二元系、三元系又は多元系の化合物半導体が製造されることができ、これらはナノオプティクス及びナノエレクトロニクスにおいて、しかしまた太陽電池の場合に使用される。 (もっと読む)


【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止で
きるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1上にSi層13/SiGe層11を成膜し、素子領域の外周に沿
って溝h1を形成する。次に、Si基板1上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエ
ッチングして支持体22を形成する。続いて、支持体22下から露出しているSi層13
/SiGe層11をドライエッチングする。この状態でSiGe層11をフッ硝酸溶液で
エッチングすると、支持体22にSi層13がぶらさがった形でSi層13下に空洞部が
形成される。その後、Si基板1を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する(BOX酸
化工程)。支持体22を形成する工程では、BOX酸化工程での支持体22の反りを防止
するために、素子領域外周の長辺の一部から溝h1にかけて反り防止支持部22bを形成
する。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系半導体デバイスのための基板を提供する。
【解決手段】基板11aは、ナノコラム領域13と、窒化ガリウム半導体膜15と、支持基体17とを備える。ナノコラム領域13は、窒化ガリウムからなる複数のナノコラム13aを有する。窒化ガリウム半導体膜15は、複数のナノコラム19の一端19aの各々に接続されている。窒化ガリウム半導体膜15の導電型は、ナノコラム領域13の窒化ガリウムの導電型と同じである。また、窒化ガリウム半導体膜15は主面15aを有する。主面15a上には、窒化ガリウム系半導体デバイスを形成するための半導体膜が堆積される。支持基体17は、複数のナノコラム19の他端19bを支持しており、また窒化ガリウムとは異なる材料からなる支持体21を含む。 (もっと読む)


HVPEを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体(15)を異種基板(10)上に成長させる。半導体材料のナノ構造(12)は、分子線エピタキシャル成長(MBE)、化学気相成長(CVD)、有機金属化学気相成長(MOCVD)又はハイドライド気相エピタキシャル成長(HVPE)によって基板(10)上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜(15)又はウェハは、HVPEを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造(12)上に成長させることができる。
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【課題】熱的に安定であって、周期性に優れた階段形状の形成を可能とする。
【解決手段】XPSによる面積強度比R(=I284.8/I282.8)がR>0.2を満たす炭素過剰面にSiC結晶をエピタキシャル成長させて、(0001)面と〔11−2n〕面〔n≧0〕とからなるステップ−テラス構造が形成されている。 (もっと読む)


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