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【課題】半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。
【解決手段】非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法。1つ以上の非極性(1120)a平面GaN層が、金属・有機化学気相成長MOCVDを使用して、r平面(1102)サファイア基板上で成長される。これらの非極性(1120)a平面GaN層は、非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 (もっと読む)


【課題】基板と能動層との間に導電性半導体層を挿入した構成をもつGaN系デバイスにおいて、導電性半導体層中のドーパントの悪影響を抑制する。
【解決手段】このHEMT素子10においては、基板11としてn−GaN(n型のGaNウェハ)が用いられる。この上に、リーク電流の低減及び電流コラプス抑制等のためにp型GaN層(導電性半導体層)12が形成される。p型GaN層12の上に、ノンドープAlN層(半絶縁性半導体層)13が形成され、その上に、半絶縁性GaNからなる電子走行層(能動層)14、n−AlGaNからなる電子供給層(能動層)15が、MBE法、MOVPE法等によって順次形成される。 (もっと読む)


【課題】ドレイン耐圧の向上、乃至素子間リーク電流の抑止を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板2と、基板2上に形成された第一の窒化物半導体層4と、第一の窒化物半導体層4上に形成され、かつ第一の窒化物半導体層4よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層5と、第二の窒化物半導体層5上に、直接乃至は中間層6を介して形成されると共に、離間して配置されたソース電極7及びドレイン電極8と、第二の窒化物半導体層5上に、直接乃至は中間層6を介して形成されると共に、ソース電極7とドレイン電極8との間に配置されたゲート電極9と、を主な構成材としてなる半導体装置1において、第一の窒化物半導体層4内部での炭素濃度が深さ(厚さ)方向に対して、基板2側から第二の窒化物半導体層5側にかけて低くなっているものである。 (もっと読む)


基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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III族窒化物合金のエピタキシャル層を成長させるための組成物、反応器装置、方法、および制御システム。2層以上のヘテロ構造積層において合金層の組成が異なる場合のエピタキシャル層成長を制御するために、超大気圧がプロセスパラメータとして使用される。
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【課題】 例えばレーザ発光を極めて効果的に抑制し、インコヒーレントな発光を得ることが可能な半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、
第一の半導体結晶層11と、第二の半導体結晶層16とを含み、
前記第二の半導体結晶層16は、前記第一の半導体結晶層11の片面側の一部を覆うように形成されており、
前記第一の半導体結晶層11は、前記第二の半導体結晶層16で覆われている部分11Aが、前記第二の半導体結晶層16で覆われていない部分11Bよりも結晶欠陥の面密度が高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電圧を印加することにより均一に電流を流すことができ、均一で大きな発光出力を得ることができる発光素子を提供することができるエピタキシャル基板を提供する。また、当該エピタキシャル基板を用いた発光素子、発光素子を備える発光装置、および上記エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子200は、透明支持基板1と、透明支持基板1の一方の主表面上に配置された接着層2と、接着層2の、透明支持基板1と対向する主表面と反対側の主表面上に配置された透明導電層3と、透明導電層3の、接着層2と対向する主表面と反対側の主表面上に配置されたエピタキシャル層4とを備える。透明導電層3の、接着層2と対向する第1の主表面と反対側の第2の主表面の一部が露出されている。発光素子200は、露出された第2の主表面上および、エピタキシャル層4の透明導電層3と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された電極9、10をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生が防止されるとともに、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成される窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子の製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を0.8以下とする。このことにより、クラックを防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成できる。 (もっと読む)


光起電力デバイスを製造する方法は、半導体材料の上に垂直積層構成の形で複数のサブセルを形成するステップを含み、サブセルのそれぞれは、隣り合うサブセルがそれぞれ異なる有効バンドギャップを有するように隣り合うサブセルと異なる温度で形成される。製造する方法はまた、構造体を反転するステップと、別の基板を第2の半導体材料に取り付けるステップと、基板を除去するステップとを含む。例えば、サブセルのそれぞれは、III窒化物材料を含むことができ、それぞれの次のサブセルは、隣り合うサブセルと異なるインジウム含有率を有することができる。このような方法を用いて、新規の構造体を形成することができる。
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【課題】III−V族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】<0001>方向から、


方向または


方向に主に向かって約0.2〜約10度の範囲のオフカット角度でオフカットされた(0001)表面を含むGaN基板。表面が50×50μmAFM走査により測定された1nm未満のRMS粗さと、3E6cm−2未満の転位密度とを有する。この基板はオフカットスライスおよびラッピングまたは微傾斜へテロエピタキシャル基板上の成長により形成する。 (もっと読む)


【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子150(窒化物半導体発光素子)は、結晶成長面1aを有し、結晶成長面1aから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域3と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域4とを含むn型GaN基板1と、掘り込み領域3に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜5と、n型GaN基板1の結晶成長面1a上に形成されたn型クラッド層11を含む半導体素子層10とを備えている。上記掘り込み領域3は、凹部2を含んでおり、上記成長抑制膜5は、凹部2内における結晶成長面1aより低い位置に形成されている。 (もっと読む)


【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコン基板11を用意する工程S11と、シリコン基板11上にn型のエピタキシャル膜12を成長させる第1のエピタキシャル工程S13と、エピタキシャル膜12上にデバイスが形成される第2のエピタキシャル膜13を成長させる第2のエピタキシャル工程S14とを備える。本発明によれば、デバイスが形成される第2のエピタキシャル膜13の下部に形成されるn型の第1のエピタキシャル膜12がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 (もっと読む)


【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層110を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う(ステップS106)。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 (もっと読む)


【課題】CVDにより平滑性の高いGe−Sb−Te膜を得ることができるGe−Sb−Te膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のGe原料と、気体状のSb原料と、気体状のTe原料とを前記処理容器内に導入してCVDにより基板上にGeSbTeとなるGe−Sb−Te膜を成膜するGe−Sb−Te膜の成膜方法であって、気体状のGe原料および気体状のSb原料を処理容器内に導入して基板上に第1段階の成膜を行う工程(工程2)と、気体状のSb原料および気体状のTe原料を処理容器内に導入して第1段階の成膜で得られた膜の上に第2段階の成膜を行う工程(工程3)とを有し、工程2により得られた膜と、工程3により得られた膜により、Ge−Sb−Te膜を得る。 (もっと読む)


【課題】層をマスクする必要がない、および/または、窒化ガリウムの成長プロセスを中断する必要がない窒化ガリウム半導体構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】非窒化ガリウム柱100aを含み、それらの間に溝100bを規定する基板100であって、その非窒化ガリウム柱100aは非窒化ガリウム側壁100cおよび非窒化ガリウム頂部100dを含み、溝100bは非窒化ガリウム底100eを含むものを用いる。この基板100上に第1の温度で窒化ガリウムを成長させる。次に、第1の温度より高い第2の温度で基板100上に窒化ガリウムの成長を続ける。 (もっと読む)


【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜13の製造方法は、基板11上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜14を形成する工程と、シリコン膜14を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜13を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】
ZnO単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やZnO系成長層への拡散が抑制されたZnO系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
MOCVD法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ZnO単結晶基板上に600℃以上900℃未満の成長温度で熱安定状態のZnO系単結晶を成長する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、ドーパント原料、III族原料、V族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板11上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を50℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 (もっと読む)


【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にGaNにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にAlNにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともInとAlとGaを含む、InxAlyGazN(x+y+z=1)なる組成のIII族窒化物であって、InN、AlN、GaNを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる4つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥密度が低減され、表面が平滑な窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板1上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が3000以上7000以下となるように原料ガスを供給し、第一の窒化アルミニウム単結晶層2を形成する第一成長工程、並びに、前記第一の窒化アルミニウム単結晶層2上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が3000未満となるように原料ガスを供給し、第二の窒化アルミニウム単結晶層3を形成する第二成長工程とを含むことを特徴とする積層体の製造方法である。 (もっと読む)


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