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Fターム[5F045DA52]の内容

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【課題】 簡便な手法で成長中断なしにクラック防止層を形成し、素子生産効率及び素子特性向上を実現する化合物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子(化合物半導体素子)10は、GaN基板11上に、n型AlGaNクラッド層12、n型AlGaN高欠陥層13、n型AlGaNクラッド層14、MQW活性層15、InGaN光ガイド層16、AlGaNキャップ層17、p型AlGaNクラッド層18、p型GaNコンタクト層19が順に積層され、p型GaNコンタクト層19上にはp型電極20が形成され、p型AlGaNクラッド層18上であって、p型GaNコンタクト層19及びp型電極20の周囲には絶縁膜21が形成され、p型電極20及び絶縁膜21上にはパッド電極22が形成され、n型AlGaNクラッド層12側とは反対のGaN基板11面にはn型電極23が形成されて構成される。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上に低温緩衝層を介してGaN系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するGaN系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。
【解決手段】本発明では、サファイア基板100上に設ける、基板100と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層101にあって、その単結晶層を、サファイアのa軸に[2.−1.−1.0.]方位を平行にして画一的な方向に配向したAlをGaに比べて富裕に含む六方晶のAlXGaYN(0.5<X≦1、X+Y=1)単結晶から構成する、ことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の3-5族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式InuGavAlwN(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される第1の3−5族化合物半導体からなる層の上に、後記の第2の3−5族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の3−5族化合物半導体と該パターンの上に、一般式InxGayAlzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される第2の3−5族化合物半導体からなる層を有する3−5族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO2、SiNx、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の3−5族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が1μm以下であることを特徴とする3−5族化合物半導体。 (もっと読む)


【課題】プラズマ中に浮遊するダストが基体に付着して形成される構造欠陥を低減し、プラズマ処理による製造物の歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体で形成された減圧可能な反応容器と、反応容器内に円筒状基体を設置する複数の基体支持体と、円筒状基体を加熱する基体加熱手段と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、反応容器内を排気する排気手段と、反応容器の外側に設置された複数の高周波電極によって反応容器内に供給したガスのプラズマを生成するための高周波電力供給手段を備えたプラズマ処理装置において、反応容器の底面に前記排気手段を接続する排気口を設け、少なくとも排気口の周囲を冷却する冷却手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】H2SeまたはDETeを用いたノンアロイ層付HEMT等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、N2ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のH2Seの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするn型のノンアロイコンタクト層7を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするn型のノンアロイコンタクト層7を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 (もっと読む)


【課題】 メモリー効果の抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板10上にバッファ層11、チャネル層12、スペーサ層13、電子供給層14、コンタクト層15を順次成長させた後、その基板10を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層15上にノンアロイコンタクト層16を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイス程度の大きさのIII族窒化物半導体結晶およびその製造方法、III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板1上に1以上のIII族窒化物半導体結晶基板11を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11上に1層以上のIII族窒化物半導体結晶層12を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11およびIII族窒化物半導体結晶層12から構成されるIII族窒化物半導体結晶10を下地基板1から分離する工程とを含み、III族窒化物半導体結晶10の厚さが10μm以上600μm以下、幅が0.2mm以上50mm以下であるIII族窒化物半導体結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのGaN結晶から成る半導体層103(バッファ層)の上には、厚さ約40nmのノンドープのAl0.2 Ga0.8 Nから成る半導体層104が積層されている。この半導体層104は、本発明に基づく厚さ約30nmの急峻界面提供層1041と、本発明に基づく厚さ約10nmの電極接続面提供層1042の計2層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのAl0.2 Ga0.8 Nから形成されているが、急峻界面提供層1041を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてH2 を使用した。また、電極接続面提供層1042を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてN2 を使用した。 (もっと読む)


誘電体層(410,510,610)、誘電体層(410,510,610)上の可変組成SixGe1-x層(440,520,620)、および可変組成SixGe1-x層(440,520,620)上のSiキャップ層(450,530,630)を持った基板(400,500,600)を含むSiGe薄層半導体構造である。可変組成SixGe1-x層(440,520,620)は、勾配を付けたGeを有するSixGe1-x層(520,620)、または、それぞれ異なったGe含有量(421,431)を有する複数のSixGe1-xサブ層(420,430)を含むことができる。本発明の一実施形態では、SiGe薄層半導体構造は、誘電体層(610)、誘電体層(610)上のSi含有シード層(615)、シード層(615)上の可変組成SixGe1-x層(620)、及び可変組成SixGe1-x層(620)上のSiキャップ層(630)を持つ半導体基板(600)を含む。SiGe薄層半導体構造を加工するための方法と処理ツール(1,100)も提供される。
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選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁(12)を有するシリコン基板(16)上にトレンチ(14)を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層(18)を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層(20)を非選択的に成長させる工程とを含む。
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【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第1のガス流を受け入れるための第1の入口と、第2のガス流を受け入れるための第2の入口と、第1のガス流を第1の真空ポンプへと出力する第1の出口と、第2のガス流を第2の真空ポンプへと出力する第2の出口と、導管ネットワークであって、第1の入口を第1の出口に結合し、第2の入口を第2の出口に結合し、それぞれのガス流について、第1の流路と第2の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第1の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第2の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第1の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第2の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、GaAs等の第1の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプII構造のバンド構造を有する属元素と6属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスGaS層(a−GaS層)を有するものである。 (もっと読む)


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