Fターム[5F045DA52]の内容
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Fターム[5F045DA52]に分類される特許
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有機金属気相成長装置および成長方法、半導体装置およびその製造方法
【課題】P型、N型(I型)結晶を別々に形成する2チャンバ方式により、Mgのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したMOCVD装置およびその成長方法、上記のMOCVD装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ8の表面に対して水平方向であり、P型層成長とN型(I型)層成長ではそれぞれ別のN型(I型)層成長用チャンバ14・P型層成長用チャンバ16で成長するように構成され、ウェハ8を保持するサセプタも別々のN型層成長用サセプタ3・P型層成長用サセプタ5を使用するMOCVD装置およびその成長方法、上記のMOCVD装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。
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窒化物半導体レーザ素子、エピタキシャル基板、及び窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】n型クラッド層21、活性層25及びp型クラッド層23は主面17aの法線軸NXの方向に配置される。この主面17aは、六方晶系窒化物半導体のc軸の方向に延在する基準軸Cxに直交する面を基準に63度以上80度未満の範囲の角度ALPHAで六方晶系窒化物半導体のm軸の方向に傾斜している。活性層25はn型クラッド層21とp型クラッド層23との間に設けられる。
活性層25は波長480nm以上600nm以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。n型クラッド層21及びp型クラッド層23の屈折率はGaNの屈折率よりも小さい。n型クラッド層21の厚さDnは2μm以上であり、p型クラッド層23の厚さDpは500nm以上である。
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真空処理方法
【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。
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成長基板及び発光素子
【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第1バッファ層と、前記第1バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第2バッファ層と、前記第2バッファ層上に形成される第3バッファ層と、前記第3バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第2バッファ層はボイドを含む。
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GaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにGaN系高電子移動度トランジスタおよびその製造方法
【課題】バッファリーク電流およびゲートリーク電流が抑制された高性能のHEMTを提供する。
【解決手段】本GaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法は、GaNバルク結晶10の主表面から0.1μm以上100μm以下の深さの面10iへの平均注入量が1×1014cm-2以上3×1017cm-2以下の水素イオン注入工程と、水素イオン注入されたGaNバルク結晶10の上記主表面へのGaNと化学組成が異なる異組成基板20の貼り合わせ工程と、GaNバルク結晶10の熱処理によりGaNバルク結晶10を水素イオンが注入された深さの面10iにおいて分離することによる異組成基板20上に貼り合わされたGaN薄膜10aの形成工程と、を含む。GaN系HEMTの製造方法は、上記GaN薄膜貼り合わせ基板1のGaN薄膜10a上への少なくとも1層のGaN系半導体層30の成長工程を含む。
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半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法
【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層と、発光部と、第2半導体層と、In含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第1半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第1導電形である。発光部は、第1半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられGa1−z1Inz1Nを含む井戸層と、を含む。第2半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第2導電形である。In含有中間層は、第1半導体層と発光部との間、及び、第2半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記z1とは異なる組成比でInを含む窒化物半導体を含み、10nm以上1000nm以下の厚さを有する。
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シリコン系薄膜の製造方法
【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマCVD装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離(E/H)、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離(E/S)の差D=(E/S)−(E/H)が、
2mm以上4mm以下であり、かつ該距離(E/S)が、5mm以上10mm以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。
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発光ダイオード
【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード10は、基板100と、第一半導体層120と、第二半導体層140と、活性層130と、第一電極150と、第二電極160と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層102である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。
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ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム
【課題】m方向に向かうミスカットが少なくとも0.35度であるc面表面を用いて、Ga面c面(Al、Ga、In)N基板上に(Al、Ga、In)N薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な(Al、Ga、In)N薄膜624上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。
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IV族基板表面上での窒化物半導体素子の層構造
【課題】IV族基板表面の混合結晶上に結晶性を向上させたIII族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】立方晶のIV族基板材料のIV族基板表面を有する基板上にエピタキシャル堆積されている、III族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子であって、IV族基板表面が、C2対称性の単位格子を有するが、C2対称性より高度の回転対称性の単位格子は有さない{nml}表面[式中、n、mはゼロ以外の整数であり、かつl≧2]であるようにする。
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窒化物半導体レーザ、及びエピタキシャル基板
【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域19では、発光層13の活性層25、第1のクラッド領域21及び第2のクラッド領域23は主面17a上に設けられる。第2のクラッド領域23は、第1p型III族窒化物半導体層27及び第2p型III族窒化物半導体層29を含む。第1p型III族窒化物半導体層27はInAlGaN層からなり、第2p型III族窒化物半導体層29は該InAlGaN層と異なる半導体からなる。このInAlGaN層は非等方的な歪みを内包する。第1p型III族窒化物半導体層27は第2p型III族窒化物半導体層29と活性層25との間に設けられる。第2p型III族窒化物半導体層29の比抵抗ρ29は第1p型III族窒化物半導体層27の比抵抗ρ27より低い。
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エピタキシャル構造体及びその製造方法
【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。
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半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイス
【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第1の空孔生成領域、および、第1の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる2種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第1の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第1領域を形成し、半導体層の領域に第1領域よりも混晶度の小さい第2領域を形成する工程とを備える製造方法。
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薄膜製造装置および薄膜製造方法
【課題】新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室11と、ステージ12と、製膜室11内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、被膜の形成によって製膜室11内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを製膜室11内に供給するクリーニングガス供給手段と、反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室11内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、ステージ12に対向して配置されるシャワーヘッド14と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源19a〜19cと、を備え、光源19a〜19cは堆積物が付着する製膜室11内の領域が照射されるように配置される。
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半導体層形成装置、半導体層製造方法
【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽51内の第二主ターゲット42を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物28表面に到達させて半導体層26を形成する際に、真空槽51内に配置されたドーパントを蒸着材料64として加熱し、蒸着材料64の蒸気を発生させ、成膜対象物28表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層26を形成する。蒸着材料64の蒸気は、成膜対象物28と蒸着材料64の間に配置した放出量制限部材63の貫通孔66を通過させることで減少させるので、半導体層26に微少量含有させることができるようになる。
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CVD装置のクリーニング方法
【課題】反応ガスの使用量を低減することが可能なCVD装置のクリーニング方法を提供することである。
【解決手段】ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を行うことで、成膜室22のクリーニングを行う。ノンプラズマ工程では、成膜室22内にフッ素と窒素の混合ガス等を導入して成膜室22内を摂氏250度未満に保つ。ノンプラズマ工程においては、プラズマ放電を行わない。プラズマ工程では、成膜室22内を減圧し、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガス等を導入してプラズマを発生させる。プラズマ工程においても、成膜室22内を摂氏250度未満に保つ。
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縦型バッチ式成膜装置
【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Wに対して一括して成膜を行う処理室101と、被処理体Wを加熱する加熱装置131と、処理室101の内部を排気する排気機構130と、処理室101を収容する収容容器102と、収容容器102の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構120と、処理室101の側壁に設けられた複数のガス導入孔101aとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔101aを介して、処理室101の内部に複数の被処理体Wの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室101内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Wに対して一括して成膜を行う。
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エピタキシャル構造体及びその製造方法
【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にバッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第三ステップと、前記バッファ層の表面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、を含む。
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微結晶半導体膜、及び半導体装置の作製方法
【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第1の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第2の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第1の微結晶半導体膜を形成し、第1の微結晶半導体膜上に、第1の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第3の条件で第2の微結晶半導体膜を形成し、第2の微結晶半導体膜上に、第2の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第4の条件で、第3の微結晶半導体膜を積層形成する。
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複合GaN基板およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
【課題】高特性かつ手頃な価格の複合GaN基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合GaN基板1は、比抵抗が1Ωcm未満の導電性GaN基板10と、導電性GaN基板10上に配置された比抵抗が1×104Ωcm以上で厚さが5μm以上の半絶縁性GaN層20と、を含む。本III族窒化物半導体デバイス2は、上記の複合GaN基板1と、複合GaN基板1の半絶縁性GaN層20上に配置された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層30と、を含む。
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