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【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも(220)の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第1の工程を有し、第1の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列(111)に対する結晶方位配列(220)への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を300〜350℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜20を形成して、移動度を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層14を有し、半導体低温成長層14と半導体基板10との間に位置し且つ半導体低温成長層14よりも薄い半導体層11、12、13を有する。半導体低温成長層14は、半導体層11、12、13と格子整合し半導体基板10と格子整合しない半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体積層内の電流経路からゲート電極を隔てる半導体層を厚くできるIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】第2の半導体層15は第1の半導体層13上に設けられる。ゲート電極17は第2の半導体層15の上に設けられる。第1の半導体層13は、AlGa1−XN(0<X≦1)からなる半導体表面21aの上に設けられる。第2のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップE15は第1のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップE13より大きい。第1の半導体層13の第1のIII族窒化物半導体材料はAlGa1−XNと異なり、第1の半導体層13は歪みを内包する。また、第2の半導体層15の厚さT15は、無歪みの第1のIII族窒化物半導体材料の組成と、第2のIII族窒化物半導体の組成により規定される臨界膜厚より大きい。また、第1の半導体層13は、歪みを内包すると共に、半導体表面21aのAlGa1−XNの上において格子緩和している。 (もっと読む)


【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第1の層と、該第1の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第2の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第の層に含まれるシリコン原子の量は、第の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第1の層と前記第2の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 (もっと読む)


【課題】チャネル層中のキャリア濃度を増すため、高いアルミニウム含有率を有した厚いAlGaN層は、成長中か冷却後にひびが入る傾向があり、これによってデバイスが破壊される。
【解決手段】基板上の第1のIII族窒化物層は第1の歪みを有する。GaN層のような第2のIII族窒化物層が、第1のIII族窒化物層上に設けられている。第2のIII族窒化物層は、第1のIII族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ第1の歪みの大きさよりも大きい第2の歪みを有する。AlGaN層又はAlN層のような第3のIII族窒化物層がGaN層上に設けられている。第3のIII族窒化物層は、第2のIII族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ第2の歪みと逆の歪みの型の第3の歪みを有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第3のIII族窒化物層上に設ける。 (もっと読む)


【課題】ゲッタリング能力が高く、かつシリコンエピタキシャル層の最表面部の酸素濃度が極めて低いシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】酸素濃度が7ppma(JEIDA)以上のシリコン単結晶基板の主表面上にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、該シリコンエピタキシャルウェーハは2層以上の炭素イオン注入層を有し、かつ前記シリコンエピタキシャル層の最表面部は酸素濃度が5ppma(JEIDA)以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、ベース層の幅を狭く形成しエミッタ層の不純物濃度を高くした低雑音特性を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1導電型の第1半導体層の上に第2導電型の第2半導体層を成長する半導体装置の製造方法であって、前記第1半導体層の表面を常圧よりも低い圧力の還元性雰囲気に曝して熱処理する工程(S02〜S04)と、前記第1半導体層の表面上に、前記第2半導体層を常圧の雰囲気でエピタキシャル成長する工程(S05〜S07)と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光デバイスの発光の波長領域内における波長の光に関して低い吸収係数を有し、かつ、所定値以下の比抵抗を有し、その発光デバイスに好適なGaN基板を提供する。
【解決手段】GaN基板10は、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、少なくとも波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下である。ここで、波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数を7cm-1未満とすることができる。 (もっと読む)


【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、GaClガス、NHガス、及びN又はArにより所定の濃度に希釈されたSiHClガスをGaN単結晶基板に供給し、450μm/hourより大きく2mm/hour以下の範囲の成長速度でGaN単結晶基板上にGaN単結晶を成長させると共に、SiHClガスが所定の濃度に希釈されたことによるNHガスとの反応の抑制により、GaN単結晶の比抵抗が1×10−3Ωcm以上1×10−2Ωcm以下となるようにSiHClガスに含まれるSiがGaN単結晶にドーピングされることを含む。 (もっと読む)


【課題】複数の異なる周波数を出力する半導体基板を提供する。
【解決手段】p型半導体またはn型半導体を含む第1の不純物半導体と、第1の不純物半導体に接する複数の空乏領域を有する空乏化半導体とを備え、複数の空乏領域のそれぞれは、第1の不純物半導体との第1界面と、第1界面と対向する表面とを有し、複数の空乏領域のそれぞれは、第1界面に垂直な方向における第1界面と表面との平均距離および組成の少なくとも一つが異なる半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】 低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板を提供する。
【解決手段】 自立したIII−V族窒化物系半導体基板であって、表面から少なくとも10μmの深さまでの表面層の蛍光顕微鏡像に、高明度領域と低明度領域が境界をもって存在しないことを特徴とするIII−V族窒化物系半導体基板。 (もっと読む)


【課題】 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を含む多層膜を製作する、単純で負担がより少ない方法を提案すること。
【解決手段】 本発明は結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を有する多層膜を製作する方法に関し、前記膜は、結晶構造を有し、予め洗浄された表面を含む基板から製作される。本発明によれば、前記方法は前記洗浄された表面をSiF、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成されたRFプラズマに当て、それにより前記基板に接触して微小空洞を含有する界面副層を備える結晶シリコンの極薄層を形成するステップa)と、結晶シリコンの前記極薄層上に少なくとも1層の材料を堆積させ、それにより少なくとも一つの機械的に強い層を含む多層膜を形成するステップb)と、前記多層膜で覆われた前記基板を400℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜を前記基板から分離させるステップc)とを含む。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層のインジウムの取り込み効率を向上させることが可能であると共に、反りを抑制することが可能なIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板の製造方法は、III族窒化物半導体のインゴット5をワイヤ7によりスライスし、III族窒化物半導体基板を得るスライス工程を備え、スライス工程において、インゴット5を{0001}面から<1−100>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{20−21}面となるようにIII族窒化物半導体基板を得る、もしくは、インゴット5を{0001}面から<11−20>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{22−43}面又は{11−21}面となるようにIII族窒化物半導体基板を得る。 (もっと読む)


【課題】特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が(0001)および(000−1)以外のGaN基板の保存方法などを提供する。
【解決手段】本GaN基板の保存方法は、平坦な第1の主面1mを有し、第1の主面1m上でその外縁から3mm以上離れた任意の点Pにおける面方位が、その任意の点Pにおける(0001)面または(000−1)面1cに対して50°以上90°以下で傾斜している任意に特定される結晶面1aの面方位に対して、−10°以上10°以下のずれ傾斜角Δαを有するGaN基板1を、酸素濃度が15体積%以下および水蒸気濃度が20g/m3以下の雰囲気中で保存する。 (もっと読む)


III族窒化物層は、電子工学及び電子光学の分野で適用範囲が広い。このような層の成長は通常、サファイア、SiC、近年ではSi(111)のような基板上で行われる。この際に得られる層は通常、成長方向において極性、及び/又はC軸配向性である。電子光学における多くの適用にとって、またSAWにおける音響的な適用でも、非極性、又は半極性III族窒化物層の成長は、関心の対象であり、また必要とされている。本方法により、極性が低減されたIII族窒化物層の容易かつ安価な成長が、事前に基板を三次元構造化することなく、可能になる。
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【課題】Alを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体積層ウェハ10は、AlGa1−XN(0<X≦1)からなる基板27と、Alを含むIII族窒化物系半導体からなり基板27上に設けられた第1のAlGaN層13と、第1のAlGaN層13上に設けられ、第1のAlGaN層13よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第2のAlGaN層15とを備える。第1のAlGaN層13の(0002)面及び(10−12)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は、1000[arcsec]未満である。 (もっと読む)


【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が2mΩ・cm以上200mΩ・cm以下であり、初期酸素濃度が7×1017atoms/cm以上2.4×1018atoms/cm以下であるシリコン基板11を用意する工程S11aと、シリコン基板11の内部に酸素を析出させる工程S12aと、シリコン基板11に膜厚が10μm以下のエピタキシャル膜12を形成する工程S14aとを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板11の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 (もっと読む)


【課題】素子特性に優れたIII族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、III族窒化物化合物からなるバッファ層及び下地層を積層する方法であって、バッファ層をAlNで形成し、バッファ層の膜厚を10〜500nmの範囲とし、バッファ層のa軸の格子定数がバルク状態におけるAlNのa軸の格子定数より小さく、バッファ層の格子定数が下記(1)式で表される関係を満たし、バッファ層はV族元素を含むガスと金属材料とを、プラズマで活性化して反応させることによって成膜し、下地層はGaNからなり、バッファ層に接して設けられるIII族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。(c−c)/(a−a)≧−1.4…(1)(但し、(1)式中、cはバルクのAlNのc軸の格子定数、cはバッファ層のc軸の格子定数、aはバルクのAlNのa軸の格子定数、aはバッファ層のa軸の格子定数である。) (もっと読む)


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