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Fターム[5F045DP01]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 装置の形式(基板支持の形態、成膜中の基板の運動) (6,825) | 基板を成膜室内に一枚保持するもの(枚葉式等) (2,964)

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【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置11におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置11への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において:基板が、あるシステム10の窒化用チャンバ20B内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素(N)を導入するステップと;前記システム10から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム10のアニール用チャンバ20Cに搬送するステップと;前記窒化用チャンバ20B内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ20C内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと;を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ20C内の圧力は、少なくとも50トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、5分以内にアニールする、前記方法。 (もっと読む)


【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも1つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも1つの堆積層を硬化させる少なくとも1つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも1つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、1)レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにX−Yビームの偏向モジュールの位置を制御すること、2)レーザの位置をX−Yテーブルを介して制御すること、又は3)基板の位置をX−Yテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 (もっと読む)


【課題】CVD装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】CVD装置の反応チャンバー1内に堆積した、Si含有物、Ge含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはCFxOy[但し、xは2又は4であり、x=2のときy=1〜3の整数、x=4のときy=1〜4の整数を表す。]とNが含有されている混合ガスである。 (もっと読む)


【課題】GaNなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が56〜90質量%の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部2と、電解装置3と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路10,20,30,31と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部22と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部32とを備える表面処理システム1で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 (もっと読む)


【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ1内の測定対象プラズマ2のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ1内に質量分析器3を配置し、前記プラズマ2と前記質量分析器3との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器3内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】作業効率が良く精度の高いティーチングを行って処理の効率を向上できる真空処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】その上面に所定の波長の光の反射の特性を局所的に異ならせた特定の箇所を有した調整用の試料を前記試料台の上面の特定の位置と前記特定の箇所とを合わせて載置した後、前記真空容器の内部を封止した状態で前記ロボットを移動させて前記ロボットのアーム上の所定の位置に配置され前記反射した所定の波長の光の通過部を前記調整用の試料の前記特定の箇所の上方に移動させ、その移動の際に前記調整用の試料から向かって前記通過部を通過した光を前記板部材の外側で検知し、検出した前記光の量に応じて前記試料の特定の箇所と前記ロボットの所定の位置との位置合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板34は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 (もっと読む)


【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料8を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料8を載置し冷却液17の流路が設けられた試料台15と、試料8の搬入口側に配置され試料台15に向かって冷却用ガス10を吹き付けるガス吹き付け管11と、試料台15を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス10を排気する排気口12と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】基板に付着している異物(パーティクルやエッチング時の残渣等)をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハWの表面に形成されたシリコン酸化膜8を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハWに付着したパーティクルPをシリコン酸化膜8ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハWの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハWを加熱して帯電させることにより、パーティクルPに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜8をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハWの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を1回あるいは2回以上実施することで、より一層確実にパーティクルPを除去することができる。 (もっと読む)


【課題】各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をコンパクトな構造で形成できるガス供給装置10を提供する。
【解決手段】ガス供給装置10はガス供給源11a,11bと、ガス導入管13a,13bと、ガス集合管15と、複数の分岐管21a,21bとを備えている。ガス集合管15と分岐管21a,21bに、圧力式流量制御器30が設置されている。圧力式流量制御器30はガス集合管15に設けられた圧力検出器17と、分岐管21a,21bに設けられたコントロール弁23a,23bおよびオリフィス22a,22bとを有している。圧力検出器17からの検出圧力P に基づいて、流量演算回路40において流量Qcが求められ、流量設定回路52からの流量設定信号Qsと流量演算回路40からの流量Qcに基づいて演算制御回路58によりコントロール弁23a,23bが制御される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ2中のイオンの質量分析を行える質量分析器3(又は19)と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して各電圧Vbごとに、他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求め、得られた各電圧Vbと質量分析条件Xのデータに、式Vb=aX2 −Vp(Vpはプラズマ電位)を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるプラズマ電位計測方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体M1(M2)。 (もっと読む)


【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとNHガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に450μm/hourよりも大きく2mm/hour以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてGeClを用いることによりIII族窒化物結晶
中にGeをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が1×10−3Ωcm以上1×10
−2Ωcm以下となるようにする。 (もっと読む)


【課題】1装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第1チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第1チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第1チャンバ内に位置しており、第1チャンバから移動自在に支持されており、第1チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第1チャンバに第1チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第1チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 (もっと読む)


【課題】酸化膜形成工程、酸化膜除去工程などを省略して製造コストを抑制しつつ、エピタキシャル層表面への欠陥(ピット)発生を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、エピタキシャルウェーハの主面を研磨する研磨工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法であって、エピタキシャル層形成工程後、研磨工程を行う直前まで、ウェーハを液体中で保管する保管工程を更に含むことを特徴とする、エピタキシャルウェーハの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 (もっと読む)


【課題】フットプリント(占有床面積)を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板を保持する基板ホルダ18が設置された処理室12と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室23と、該ターゲット室に挿入された回転軸29を回転させる回転装置28と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ30であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源40と、を有している。 (もっと読む)


【課題】電極と背面部材の間隔を狭くしても、処理室の排気効率が低下することを抑制できるようにする。
【解決手段】高周波電極320は、処理室100の中に配置され、高周波が印加される。高周波電極320の表面は、被処理体10に対向している。背面部材210は、高周波電極320の裏面を覆うように、この裏面から離間して設けられている。背面部材210と高周波電極320との間の空間は処理室100の排気ルートとなっている。高周波電極320は、高周波電極320の表面を形成する板状の表面部材322と、表面部材322の裏面に取り付けられた筐体324から形成されている。表面部材322は、例えばステンレスなどの金属で形成されている。筐体324は、箱状であり、多孔板、例えばステンレスなどの金属板にパンチングにより多数の孔を形成したパンチングメタルで形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶SiC基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶4H−SiC又は単結晶6H−SiCからなる単結晶SiC基板5を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら1500℃以上2200℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶SiC基板5の表面が、単結晶SiC基板を構成するSiC分子の積層方向の1周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶SiC基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶4H−SiCを液相エピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、10〜80μmの空間波長領域に関して1nm RMSよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第1の工程で水素雰囲気中で1〜100slmの流量で処理を行い、更に第2の工程でエッチング媒体を0.5〜5slmの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 (もっと読む)


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