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Fターム[5F045DP28]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 装置の形式(基板支持の形態、成膜中の基板の運動) (6,825) | 成膜中に基板が運動(公転、往復運動等)するもの (1,364) | 基板が基板中心点を中心に回転(自転)するもの (955)

Fターム[5F045DP28]に分類される特許

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【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置1は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ5に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置1であって、
サセプタ5の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置3を有し、サセプタ載置判定装置3は、回転するサセプタ5における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置22と、位置測定装置22の計測値を入力してサセプタ5の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段47とを備えたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置を用いて、サセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、サセプタとして、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタをチャンバー内に配設し、黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、ウェーハ載置面上にリフトピンによりシリコン単結晶基板を載置して、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル成長においてシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積載配置して収容する処理容器203と、処理容器203に基板200を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段232a、232b、249a、249bと、処理容器203を排気する排気手段300と、を有し、排気手段300は、真空ポンプ246と、処理容器203と真空ポンプ246を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造370を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管331〜333で構成される。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉10のカメラ取り付け穴18にカメラ14を取り付け、反応炉10内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉10内にウェーハWを搬入し、サセプタ11上に載置する。このとき、ウェーハWのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ14で撮影する。そして撮影した画像からウェーハWの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハWと同一品種を処理する場合に、反応炉10内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 (もっと読む)


【課題】抵抗加熱ヒータとしてSiCヒータを用いてGaN薄膜を気相成長させる気相成長装置において、SiCヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置1における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板25の加熱手段としてSiCヒータ11を用い、SiCヒータ11によって基板25の温度を1000℃以上に加熱して基板25に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるSiCヒータ11のパージ方法であって、SiCヒータ11をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を保持し、処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、移載室内の基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、処理室内から移載室内に搬出されて基板が脱装された基板保持具に、ノズルから不活性ガスを噴射するように不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、50秒を超えて300秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン1aから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン2aから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン2bより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン1bより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 (もっと読む)


【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1に配置されて基板7が載置されるサセプタ8と、サセプタ8を下方から加熱するヒータ9とを有する。サセプタ8は、リング状の第1のサセプタ部8aと、第1のサセプタ部8aに接して設けられ、第1のサセプタ部8aの開口部分を遮蔽する第2のサセプタ部8bとを有し、第2のサセプタ部8bの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第1のサセプタ部8aは、第2のサセプタ部8bの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置され、上面に複数の領域を有するサセプタ120と、サセプタ120と対向し、上記複数の領域の各々に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130とを備える。また、複数の材料ガスを上記複数の領域の数だけ所定の分岐比率で分岐して所定の流量でシャワーヘッド130に導入するための複数のガス分岐機構と、複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合し、複数のガス分岐機構とそれぞれ接続された複数の混合配管と、複数のガス分岐機構を制御する制御部190とを備える。制御部190は、複数のガス分岐機構の各々の上記所定の分岐比率を設定することにより、上記複数の領域のそれぞれにおいて供給される複数の材料ガスの流量を調整する。 (もっと読む)


【課題】基板とそれを載置する冶具との間の貼り付きを防止する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室であるチャンバ103内に配置された冶具であるサセプタ102上に基板101を載置し、サセプタ102を上部で支持する円筒部104aを備えた回転部104を回転させながら、ガス制御部140の制御によって、チャンバ103内へ原料ガス137を供給する。併せて、円筒部104aにパージガス151を供給し、パージガス151が基板101とサセプタ102の間から抜け出るようにすることによって、基板101の少なくとも一部がサセプタ102から浮いた状態で回転するようにし、基板101の上に所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】サセプタからの熱逃げが抑制され、かつサセプタ支持部材の熱による破損を防止できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
ヒーター23によってサセプタ21を加熱し、原料ガス導入部13から真空槽11内に原料ガスを導入し、サセプタ21の板部21aの表面に配置された基板51に薄膜を形成する成膜装置10であって、サセプタ21の筒部21bの端部とサセプタ支持部材31との間には、サセプタ21とは別の材質である熱抵抗部材22が配置されており、サセプタ21の熱が熱抵抗部材22で遮られてサセプタ支持部材31に伝わりづらくなっている。 (もっと読む)


【課題】急速加熱処理における温度分布は、ウエハのパターニングに依存し変化する。急速加熱処理(RTP)の均一性は大幅に高める方法を提供する。
【解決手段】ウエハ12や他の基板を熱的に処理する装置60及び方法(例えば、急速加熱処理)放射ランプ26の列24は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路16が形成されるが、放射反射器28に面する。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーンで支持する。あるいは、リアクタは、上方に向けられたランプ26と、反射器28を上方に含み、ウエハの表側に面する。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器8内で保持手段22に保持された複数の被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜70を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


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