Fターム［5F045DQ00］の内容
気相成長（金属層を除く） (114,827) | 装置の形式（成膜室の形態） (3,439)
Fターム［5F045DQ00］の下位に属するFターム
封管を使用するもの (4)
成膜室が管状のもの（封管を除く） (1,171)
成膜室内に原料供給源（ソースポート等）を有するもの (70)
成膜室が管状でないもの (1,740)
成膜室内にガス流を分離する隔壁を有するもの (102)
複数の成膜室を有するもの (351)
Fターム［5F045DQ00］に分類される特許
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ＩＩＩ族窒化物半導体およびその製造方法および半導体装置
【課題】 この発明は、表面の劣化が少なく、かつ、低抵抗のｐ型III族窒化物半導体を製造することの可能なIII族窒化物半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体および半導体装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】 ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶３２を結晶成長させて冷却した後に、前記III族窒化物結晶３２の上に、所定の積層構造３３を形成することによって、前記III族窒化物結晶をｐ型III族窒化物半導体として製造する。
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