【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】純化処理の純化効率を向上した、長尺化したウエハ支持部を有する縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】天板７には、載置されるウエハＷの中心点を中心として形成された開口部７ａと、前記開口部７に通じるウエハの挿入側に形成されたスリット部７ｂとを備え、前記スリット７の幅Ｔが前記天板７の幅φＤの３５％以上４５％以下であり、更にウエハ支持部２ａ，３ａ，４ａ，５ａの先端部から支柱部２ｂ，３ｂ，４ｂ，５ｂ方向に向かって、ウエハ支持部２ａ，３ａ，４ａ，５ａの長さの４０％以上６０％以下の位置まで上面角部２ａ１，３ａ１，４ａ１，５ａ１が面取りされ、かつ前記面取り終端位置から前記支柱部２ｂ，３ｂ，４ｂ，５ｂまでの上面角部２ａ２，３ａ２、４ａ２，５ａ２が９０°以下の角度をもって形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。また、その方法により得られるＡｌＮ結晶８、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施すための反応管３７と、前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズル４３、４４、４５と、前記複数のノズルのそれぞれに接続されるとともに、前記反応ガス、クリーニングガスの蓄積源に接続される配管部と、前記配管部の少なくとも前記複数のノズルのそれぞれと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、前記配管部に設けられ、前記各ガスの流量を制御するマスフローコントローラと、前記複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルに供給する前記クリーニングガスの流量をそれぞれ異ならせるよう前記マスフローコントローラを制御するコントローラ１０３と、を有する。 （もっと読む）