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Fターム[5F045EC00]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成膜室、配管構造、配管方法 (1,365)

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【課題】熱処理炉内に被処理基板が搬入された時点からその被処理基板を帯電させることができ,これと同時に熱処理炉内のパーティクルを同じ極性に帯電させることができる縦型熱処理装置およびパーティクル付着防止方法を提供する。
【解決手段】最上段のウエハW1が炉口140Aに到達すると,このウエハW1の表面にイオン化窒素ガス412が接触し,その表面はマイナスに帯電し,これと同時にパーティクル414にもイオン化窒素ガス412が接触し,マイナスに帯電するため,相互間に斥力が生じ,ウエハW1へのパーティクル414の付着が確実に防止される。 (もっと読む)


【課題】 薄膜製造時に発生する副生成物の収集、捕捉を効率良く、安価に行うことができ、チャンバおよび排気配管などへの副生成物の付着を防止することが可能な薄膜製造装置、薄膜製造方法、および薄膜製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマを発生するのに必要な真空を確保する空間を構成するチャンバ1、チャンバ1内に配置されガス供給系13から薄膜製造に必要なガス(キャリアガス、反応ガス)および反応物質を供給される成膜部4を備え、チャンバ1と成膜部4の間にチャンバ1への副生成物の付着を防止する防着板2を配置している。防着板2はホッパ部3を備えてあり、ホッパ部3の外周面(チャンバ1に対向する面)にはホッパ部3(防着板2)に振動を与える振動発生部としての振動子5が設けてある。 (もっと読む)


【課題】 縦型の処理容器内で加熱された触媒体を用いることにより、低温状態で複数枚の被処理体に対して薄膜を堆積させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 薄膜をCVDにより堆積させる成膜装置において、縦型の処理容器4と、被処理体を多段に保持する被処理体保持手段12と、被処理体を加熱する加熱手段46と、処理容器の側壁に、その外側へ凹部状に突出させて高さ方向に沿って形成した凹部状のノズル収容部34と、ノズル収容部の奥にその高さ方向に沿って設けられて処理容器内へ成膜ガスを供給するガス供給ノズル部30と、ノズル収容部の開口に臨むように設けられて成膜ガスを活性化させるための金属材料よりなる触媒体50と、触媒体を加熱するための触媒用電源58と、ノズル収容部に対向する処理容器側壁に縦長に設けられた排気口36と、装置全体の動作を制御する制御手段70とを備えたことを特徴とする成膜装置である。 (もっと読む)


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