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Fターム[5F045EC05]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成膜室、配管構造、配管方法 (1,365) | 成膜室の材質、成膜室の内壁表面の状態 (383)

Fターム[5F045EC05]に分類される特許

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【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置を用いて、サセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、サセプタとして、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタをチャンバー内に配設し、黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、ウェーハ載置面上にリフトピンによりシリコン単結晶基板を載置して、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル成長においてシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1の内部に設けられた中空筒状のライナ2と、ライナ2の上方に設けられて反応ガス4が透過するシャワープレート15と、ライナ2とチャンバ1の内壁1aとの間の空間Bにパージガス52を導入するパージガス供給口50と、ライナ2の上部と下部の周囲に配設されて空間Bの上端部と下端部を塞ぐシール51とを有する。成膜装置100は、空間Bをパージガス52でパージし、基板7上での気相成長反応が行われる空間A内の反応ガス4が空間Bへ流入することを抑制するとともに、空間Bに導入された所定量のパージガス52が空間Aへ流入するように制御する。 (もっと読む)


【課題】処理室内において処理空間から非処理空間へのマイクロ波の漏洩を抑制し、非処理空間内の基板搬送口等に設けられるOリングの焼損やパーティクルの発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室110を形成し導電性の壁で構成される処理容器18と、処理室内に設けられ、基板が載置される側の基板載置面と該基板載置面と垂直な側壁とを有する導電性の基板支持台12と、基板加熱処理時における基板載置面側の空間である処理空間へマイクロ波を供給するマイクロ波供給部23と、基板加熱処理時における基板載置面と反対側の空間である非処理空間130を形成する処理容器の壁に設けられ、基板を処理室内外へ搬送する基板搬送口71と、基板支持台の側壁又は該側壁に対向する処理容器の内壁に設けられ、処理空間へ供給されたマイクロ波が非処理空間へ通過することを抑制するマイクロ波通過抑制用の溝17と、を備えるた基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル61,62と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル61、62は、カーボングラファイトから成る基材層63、基材層63の表面を覆う炭化珪素から成るコート層64、およびコート層64の表面を覆う炭素から成るコート層65を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層64が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル61、62を透過することを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を加熱するバッチ式の熱処理装置において、熱処理後の基板を速やかに、かつ均一に冷却することができる冷却機構および冷却方法、ならびにこのような冷却機構を備えた熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理容器11内の基板保持部材15と加熱手段12との間に挿入される挿入位置と挿入位置から引き出された引き出し位置との間で移動可能であり、熱処理後の基板Wへの輻射熱を遮蔽する筒状をなす熱遮蔽部材30と、処理容器11の外部に配置された空冷ポート21とを有し、熱遮蔽部材30は、引き出し位置において、2つの半筒状部材31が合体および分離可能に設けられており、これらが合体した状態で、熱遮蔽部材30が引き出し位置と挿入位置との間で移動し、かつ外側面が相対的に低輻射率の材料で構成され、内側面が相対的に高輻射率の材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が99.0重量%以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で0.2重量%以上0.8重量%以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が20μm以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 (もっと読む)


【課題】ガスクリーニングの際に供給されるO2に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、SiC成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内22内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート15を反応室22に搬入し、反応室22内を所望の圧力(真空度)、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ42,45、およびバルブ46,49を制御し、クリーニングガス(Cl2、Ar)を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってO2ガスが発生する。この発生したO2ガスが、SiC膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内22内のクリーニングが行われる。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】光アクセス窓のエッチングおよび堆積を低減させ、診断終点において所望のSNRを維持できるガス注入器を提供する。
【解決手段】注入器は、プロセスチャンバの外側の診断終点S−OUTから光アクセス窓70を通ってプロセスチャンバ内S−INへと、軸路に沿った光アクセスを提供する。中空のケースボディ90は、第1および第2のプロセスガスを受け取り、軸路を取り囲む。ボディ内のスリーブ92は、粒子の生成を最小限に抑えるために、ケースボディに対して促され、プロセスチャンバ内に第1のプロセスガスを注入する第1のガス穴106を画定する。スリーブの第2のガス穴124は、プロセスチャンバ内に第2のプロセスガスを注入するために、軸路を取り囲み、光信号が終点において所望の信号対ノイズ比(SNR)を有することを可能にする。第2の穴内にセプタム126を提供することによって、第2の穴を、アパーチャ136に分割する。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ8の座ぐり部8aに基板7を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板7の上にSiC膜301を形成する(第1の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、基板7が取り除かれたサセプタ8を回転させながら、サセプタ8の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ8の座ぐり部8aからその周縁部8bに至る段差部8cに形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第2の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ8の上に形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第3の工程)。第1の工程と第2の工程を繰り返した後に第3の工程を行う。 (もっと読む)


【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板3の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板3の下面に近接して配置された遮蔽板12は、ガス導入口9を反応空間Kの内側に臨ませる開口部13を中央部に有する基材12aと、この基材12aの下面を被覆する薄膜12bとを有し、薄膜12bの表面は、基材12aの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段8により加熱されて遮蔽板12が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板12の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 (もっと読む)


【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1の内部に設けられた中空筒状のライナ2と、ライナ2の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート15とを有する。シャワープレート15がライナ2の上部開口部52を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ1の壁に設けられた基板搬出入口47を介してチャンバ1の外部とライナ2の内部とが連通する。また、成膜装置100は、ライナ2の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板7を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部50と、基板搬出入口47を通じて反応室に出入するロボットハンド48とを有する。基板支持部50とロボットハンド48との間で基板7の受け渡しが行われる。 (もっと読む)


【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートであって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する複数の短冊形プレートからなり、短冊形プレートが、シャワーヘッドに対してスライド可能に保持される。 (もっと読む)


【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第1の開口が形成された外部チャンバと、第1の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第2の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にPFAから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してPFA膜を設けるものである。 (もっと読む)


【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る(波長が異なる)高周波電力をプラズマCVD装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 (もっと読む)


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