【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第１の温度に制御する第１の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第１の温度よりも低い第２の温度に制御する第２の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料容器３００と、固体原料容器と処理室２０１との間の配管２３２ｂと、固体原料容器と接続された配管３８０であって、補充用の固体原料を保持する原料補充容器３５０が取り付けられる取付部を備える配管３８０と、配管３８０と真空排気手段２４６との間に接続された配管２５９と、配管３８０に接続され、パージガスを導入するための配管２８４と、配管２５９の途中に接続されたバルブ２６８と、配管２８４の途中に接続されたバルブ２６９と、を備え、原料補充容器から固体原料容器へ固体原料を補充するために原料補充容器が取付部に取り付けられた際に、配管内３８０を真空引きし、その後配管３８０内にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 ラインの増設・変更に容易に対応できる集積化流体制御装置およびこのような流体制御装置を備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置は、各ラインA1,A2,A3,A4,A5,B1,B2,B3が複数のブラケット8,9,18,19,20を介して基板1に着脱可能に取り付けられ、通路接続手段47,48が上方に取り外し可能とされている。複数の継手部材11,12,13,14,15,16,17として、複数の管状継手部材13,15,17と複数のブロック状継手部材11,12,14,16とが使用されている。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】供給系の配管閉塞が生じることなく、プロセスガスの安定供給が可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を成膜するリアクター２９と、リアクター２９に第１プロセスガスを供給する第１供給経路Ｌ１０と、リアクター２９に第２プロセスガスを供給する第２供給経路Ｌ２０と、リアクター２９にクリーニングガスを供給する第３供給経路Ｌ３０と、を少なくとも備え、第２供給経路Ｌ２０と第３供給経路Ｌ３０とが合流する合流点Ｇが、リアクター２９の近傍に設けられるとともに、第２供給経路Ｌ２０及び第３供給経路Ｌ３０には、合流点Ｇの上流側に、経路を遮断する遮断手段２２，３２がそれぞれ設けられていることを特徴とする薄膜製造装置６０を選択する。 （もっと読む）

【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】炉口に溜まった水を短時間で除去し、製品の生産速度をあげるとともに、デバイス特性不良を少なくすることができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の熱処理装置は、底部に設けられた炉口２３を通してプロセスチューブ２２内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉２と、前記炉口２３を開放可能に閉塞する開閉扉と、前記熱処理炉２の下方に設けられたロード空間３と、前記基板をボート４で保持して前記炉口２３を通してロード空間３側からプロセスチューブ２２内に搬入するとともに、当該プロセスチューブ２２からロード空間３に搬出する昇降リフト５と、前記プロセスチューブ２２内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段３２と、前記プロセスチューブ２２内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板にエピタキシャル成長させる際に、供給される原料ガスの基板面内でのガス流速ムラを効果的に抑制でき、高品質のエピタキシャル層を形成できるエピタキシャル成長装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガス供給手段が、ガス供給源に接続され、垂直方向にガスが流れる垂直ガス流路と、垂直ガス流路の下流の端部に接続され、垂直ガス流路からのガスを水平方向に噴き出してサセプタ上に載置された基板にガスを供給する水平ガス流路とを有し、垂直ガス流路が、下流に向かって複数の流路に分岐していくツリー状の流路であるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ユニットを均一に加熱すると共に、ガスの供給、置換、排気等の動作の切替え時間の短縮が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２６に処理ガスを供給し、基板に所定の処理を行う基板処理装置に於いて、容器本体９と該容器本体を上方から閉塞する蓋体１１とからなる反応容器８と、基板を載置する基板載置部１６と、基板を加熱する発熱部２７と、前記反応容器の上方から処理ガスを供給するガス供給ユニット２とを具備し、前記蓋体の上面には凹部１７が形成され、該凹部に前記ガス供給ユニットを収納し、該ガス供給ユニットと前記蓋体とを一体化した。 （もっと読む）

【課題】コストを低減させ、生産性を向上させるプラズマを用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１２と、処理室１２内に設けられた第１のプラズマ生成室３３と、第１のプラズマ生成室３３内に反応性ガスを供給する第１反応性ガス供給手段３０１と、プラズマを生成し、第１の反応性ガスを励起して第１の反応性ガスの活性種を生成する一対の第１放電用電極２７と、第１のプラズマ生成室の側壁に設けられた第１の反応性ガスの活性種を噴出する第１ガス噴出口３５と、処理室１２内に設けられた第２のプラズマ生成室３３Ｂと、第２のプラズマ生成室３３Ｂ内に反応性ガスを供給する第２反応性ガス供給手段３０２と、プラズマを生成し、第２の反応性ガスを励起して第２の反応性ガスの活性種を生成する一対の第２放電用電極２７Ｂと、第２のプラズマ生成室の側壁に設けられた第２の反応性ガスの活性種を噴出する第２ガス噴出口３５Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】設置場所を確保する上でレイアウト上の問題がなく、且つ可動する電極に追従して確実にガスを供給することができる信頼性の高いガス流路構造体を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な処理室１１と、処理室１１内に配置された対向電極２４を載置電極１２に対して移動可能に支持するシャフト２６と、シャフト２６が処理室１１の壁面１３を貫通する貫通部において壁面１３に対する対向電極２４の変位を吸収し、シャフト２６周辺の雰囲気から処理室１１内をシールするようにシャフト２６の外周部に、シャフト２６と同心状に配置された環状の第１のベローズ３１と、第１のベローズ３１の外周部に、同心状に配置された第２のベローズ３２とを有し、第１のベローズ３１と第２のベローズ３２で環状のガス流路３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置1は、流体制御部2と流体導入部3とを有している。流体導入部3は、３つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ２×Ｎ／２個の開閉弁23からなる第１および第２入口側遮断開放部5,6と、４×Ｍ個の開閉弁23からなり、第１および第２入口側遮断開放部5,6と流体制御部2との間に配置された流体制御部側遮断開放部7とからなる。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】液体原料を加熱して気化させた液体原料ガスを使用する場合において、従来に比べてヒータによる加熱に必要な電力量を低減することができ、省エネルギー化を図ることのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源から気体の状態で供給される通常ガスと、液体原料供給源から供給される液体原料を気化ユニット付き流量制御機器１４で加熱して気化させた液体原料ガスとを同時に供給する際に、通常ガスより液体原料ガスをガスアウト部５１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａから供給し、かつ、通常ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ５３の後段に液体原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】
水、水蒸気、キャリアガス、反応ガス等の原料ガスを効率よくクリーンな状態で前加熱することができかつ小型化が可能な流体加熱装置と半導体処理装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、高温に加熱された流体を送出する真空断熱の第２の石英ガラス管が発熱体の加熱領域の外側まで延びて第１のガラス管に結合されている。この第２のガラス管は、第１のガラス管からの熱を遮断するバッファ管となり、第２のガラス管の材質がガラスであるので、熱は伝わり難く、その送出側の温度を低く抑えることができる。 （もっと読む）