【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル６１，６２と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル６１、６２は、カーボングラファイトから成る基材層６３、基材層６３の表面を覆う炭化珪素から成るコート層６４、およびコート層６４の表面を覆う炭素から成るコート層６５を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層６４が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル６１、６２を透過することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置（１）の処理室内に半導体基板（１００）を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を形成する。その後、リモートプラズマ装置（２０）内から、Ａｌを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管（１０）を通して、処理室内にラジカル化されたガス（例えば、フッ素ラジカル）を導入することにより処理室の内壁に付着した第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を除去（クリーニング）する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、ＧａＣｌなどのIII族ハロゲン化物やＨＣｌと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、原料ガスを成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有する。原料ガス供給ユニットは、原料ガス管と、パージガス管と、原料ガス管とパージガス管とが接続されて原料ガスおよびパージガスを成膜空間に供給するガス供給管とを有する。原料ガス管には、原料ガス管とパージガス管との接続部分から近い順に第１制御バルブと第２制御バルブと、が設けられている。原料ガス供給ユニットは、第２制御バルブを開いて、第１制御バルブと第２制御バルブ間の減圧状態にある原料ガス管内に原料ガスを導入した後、第１制御バルブを開くように制御することにより、原料ガスを、成膜空間に供給する。 （もっと読む）

【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

チャンバ表面に残った残留フッ素をプラズマデバイスの使用も昇温もなしに除去する方法が開示される。開示する方法は、堆積プロセスの次の工程がより迅速に行われることを可能にしうる。 （もっと読む）

【課題】排気配管の内面への生成物の堆積を抑えることができる排気配管および成膜装置を提供する。
【解決手段】排気配管７０ａは、第１方向Ｄ１から第２方向Ｄ２へと屈曲する流路を有する排気配管であって、第１配管部２１および第２配管部２２ａを有する。第１配管部２１は流路のうち第１方向Ｄ１に沿う部分を有する。第２配管部２２ａは、流路のうち第２方向Ｄ２に沿う部分を有し、かつ第１配管部２１に連結されている。流路は、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２を含む断面において、流路の流れに沿って幅が狭くなった後に広くなる狭窄部を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属汚染を効果的に防ぎ、白傷の発生が少ない高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内にガスを導入するためのガス導入管と、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタを回転させるためのサセプタ回転機構とを有し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出する気相成長装置において、前記ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位が、全て非金属の保護膜で覆ったものであり、前記気相成長装置を構成する部材の接合部に用いられるＯ−リングは、少なくとも、Ｔｉを含まないものである気相成長装置。 （もっと読む）

廃棄流出物から熱を回収する方法及び装置を本明細書に開示する。一部の実施形態では、装置は、気体又は液体処理のために構成された第１の処理チャンバと、液体処理のために構成された第２の処理チャンバと、コンプレッサ及び第１の熱交換器を有するヒートポンプとを含むことができ、コンプレッサは、第１の処理チャンバから排出された第１の廃棄物を使用するように構成され、第１の熱交換器は、熱をその間で伝達するように構成された第１及び第２の側面を有し、第１の側面は、それを通過して液体反応剤を第２の処理チャンバ内に流すように構成され、第２の側面は、それを通過して第１の処理チャンバからの加圧された第１の廃棄物を流すように構成される。一部の実施形態では、液体反応剤を第２の処理チャンバに入る前に更に加熱するために、加熱器をヒートポンプと第２の処理チャンバの間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】クロスパージ性能を有する石英泡立て容器であり、このクロスパージによって、ユーザーは、単に不活性ガスを流すことによって容易に空気および化学製品をバルブ入口およびバルブ出口からパージすることができる。
【解決手段】その設計は、泡立て容器１０の入口１９および出口２１の接続部に取り付けられた少ない設置面積の２つの３方向バルブ７，１１を組み入れる。それぞれのバルブの３番目のポートは、クロスパージ管路をともなった複数のバルブの間に一緒に配管される。バルブは、腐食耐性があり、漏れがなく、保全不要であり、不純物の浸出もなく、そして、（アンプルの入口および出口の）石英ブレークシールを突き通すことになる任意選択的なブレークシールクラッシャーを適用する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ源が処理容器から離れていても、ラジカル又はプラズマを失活させることなく処理容器へ導入することが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに対して処理を施す処理容器２１と、ラジカル又はプラズマを生成するプラズマ源２６と、プラズマ源２６で生成されたラジカル又はプラズマを、処理容器２１に導入する導入配管３０と、を備え、導入配管３０の内壁が、ダイヤモンドライクカーボン膜３１、又はＣ−Ｈ系膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】 材料貯留槽内で発生させた原料ガスを、ほとんど圧力損失を生ぜしめることなく処理装置内へ供給することが可能な処理システムを提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を施すために処理容器２６内に蒸気圧の低い金属化合物材料Ｍよりなる所定の原料ガスを噴射するガス噴射手段４２を設けた処理装置２２と、前記ガス噴射手段に前記所定の原料ガスを供給するガス供給系２４とを有する処理システムにおいて、前記ガス噴射手段はシャワーヘッド部であり、前記ガス供給系は、前記シャワーヘッド部より上方に延びるガス通路５６と、前記ガス通路の上端部に取り付けられて内部に前記金属化合物材料を収容する材料貯留槽５８と、前記ガス通路を開閉する開閉弁６０と、を備える。 （もっと読む）

シリコン製直立管を使用して内部にガスが流通される反応器内での化学気相蒸着によってポリシリコンまたはその他の材料を製造するための、システムおよび方法が提供される。シリコン製の直立管は、前駆ガスが反応室の種々の部分に注入され得るように、ノズル連結器を使用して反応器システムに取り付けられ得る。結果として、反応室全体のガス流れが改善され、これによりポリシリコンの産出量を増加でき、ポリシリコンの品質を改善でき、エネルギーの消費を低減できる。
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【課題】半導体処理装置の耐食性を向上させる、半導体基板処理システム及び半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体処理装置用コーティングのシステム及び方法である。半導体基板処理システムは、半導体処理ガスを封じ込めるためのエンクロージャを含む。エンクロージャは、その内側表面が少なくとも部分的に、炭化珪素コーティングで希望の厚さに被膜される。エンクロージャは、半導体基板を処理するための処理チャンバに半導体処理ガスを運ぶための吸込み配管、処理チャンバ、及び使用済み半導体処理ガスを処理チャンバから離れた場所に運ぶための吐出し管、或いはそのいずれかであることが可能である。内側表面は、珪素及びダイアモンド状炭素、或いはそのいずれかを含む追加コーティングを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてガス供給装置から金属不純物が発生する可能性を低減することができ、生産性の向上を図ることのできるガス供給装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１は、ガス供給配管接続用ブロック２０、装置側配管接続用ブロック２１、および接続用ブロック２２、接続配管２３からなるガス流路部の接ガス部（ガスと直接接触する部分）が酸化チタンによって形成されている。また、ガス制御機構としての、ハンドバルブ２、圧力制御機構（レギュレータ）３、圧力検出のためのプレッシャートランスデューサー４，逆止弁５、開閉弁バルブ６ａ，６ｂ、マスフローコントローラ７、メタルフィルタ８の接ガス部も酸化チタンによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】構成材料の一部に熱伝導性が高い材料を用いてこれを爆着により接合し、構造が簡単で熱効率を向上させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】液体原料をキャリアガスによりミスト状にするノズル部７２と、原料ミストを気化させて原料ガスを形成する複数の気化通路７４を有する気化部７６と、原料ガスを後段へ送り出す排出ヘッド７８とを有する気化器８において、気化部は、気化通路が形成された気化部本体１０８と、その両端が気化部本体よりも長く形成された本体収容容器１１０と、気化通路を通過する原料ミストを加熱する加熱ヒータ手段１１２と、本体収容容器の両端に設けられた連結用フランジ部１１４，１１６とよりなり、気化部本体と本体収容容器とは連結用フランジ部の構成材料よりも熱伝導性が高い材料により構成されると共に、本体収容容器の端部と連結用フランジ部とは爆着により接合される。 （もっと読む）

【課題】 真空排気系の設備の小型化とこれによるコスト低減並びに真空排気時間の短縮のための真空排気系の配管の小口径化に対応し、ガスの分解に起因する解離生成物の堆積による内部の腐食や詰まり、シートリーク等を防止できるようにしたバルブの使用方法を提供する。
【解決手段】 流体ガスが接する部分にアルミ不働態を設けた真空排気系用バルブを用いることにより、ベーキングの際に当該真空排気系用バルブの管路内壁を高温度に加熱しても温度上昇によるガスの分解を完全に抑制し、これによってガス分解生成物や水分の固着を防止して、管路内壁の腐食や詰まり、シートリーク等の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】最適化された還元性ガス流量等のプロセス条件を求めるための調整作業を簡単に且つ迅速に行うことができる被処理体の酸化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに酸化処理を施すための処理容器２４と、被処理体を複数枚支持する支持手段２６と、加熱手段９０と、容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系８６と、酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給系４２と、還元性ガスを供給するための還元性ガス供給系４４とを有する被処理体の酸化装置において、酸化性ガス供給系は、処理容器の長さ方向に沿って配設されると共に、所定のピッチで複数のガス噴射孔４８Ａ，４８Ｂが形成された酸化性ガスノズル４８を有し、還元性ガス供給系は、処理容器内の被処理体の収容領域を高さ方向に沿って区画した複数のゾーンに対応するようにその長さを異ならせて設けられると共に、その先端部側にガス噴射孔５２Ａ〜６０Ａが形成された複数の還元性ガスノズル５２〜６０を有する。 （もっと読む）