【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置されるサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、被処理基板１０上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド１３０は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 （もっと読む）

【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一性に優れた高品質な薄膜が形成可能な、酸化物薄膜原料を含んだ水溶液の霧化による薄膜形成用の量産装置を提供する。
【解決手段】基板が成長室６の上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレート４とそのさらに下側に設置された整流羽根５の両者が回転することにより、基板に対して均一にミスト７を供給することが可能となる。また、回転部分である貫通孔プレート４と整流羽根５の両者が一体で、これが固定されている基板２に対して回転する。これにより、両者を一体で製作するため部品数が少なくなり、かつ回転部分を一箇所のみにすることができるため、装置構造を簡略化することができる。また、基板回転を行わないため、基板加熱機構（ヒータ）１も簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を１８３℃以上３００℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積（Ｓ；ｃｍ^２）と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間（ｔ；秒）との積（Ｓ×ｔ；ｃｍ^２・秒）が７５０ｃｍ^２・秒以上２５００００ｃｍ^２・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 所定処理に必要となる原料ガス供給用のガス系統が増加しても、少ない部品点数で確実に原料ガスを安定して供給できる低コストのガス供給システムを提供する。
【解決手段】 第１のガスライン１ａと第２のガスライン１ｂとを有する。また、原料が夫々収納される複数の容器２０と、各容器にプッシングガスを供給するプッシングガスライン３から分岐された、流量制御を行う流量制御手段を有するプッシングガス分岐ラインと、プッシングガスの容器内への導入により容器内からの原料ガスを導く原料ガスラインと、第１のガスラインと第２のガスラインとの間で原料ガスの導入を切換える切換手段８０とを備える。各原料ガスラインを２本に分岐し、分岐した原料ガス分岐ラインに前記切換手段を夫々介設し、各切換手段の二次側を集合ガスラインに合流させて、集合ガスラインと第１及び第２の両ガスラインとの間に、一次圧を制御し得るレギュレータを夫々介設する。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できるようにする。
【解決手段】基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内および配管内のガスを排気するガス排気系と、を有した基板処理装置において、配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をコンパクトな構造で形成できるガス供給装置１０を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１０はガス供給源１１ａ，１１ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス集合管１５と、複数の分岐管２１ａ，２１ｂとを備えている。ガス集合管１５と分岐管２１ａ，２１ｂに、圧力式流量制御器３０が設置されている。圧力式流量制御器３０はガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂとを有している。圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ_１ に基づいて、流量演算回路４０において流量Ｑｃが求められ、流量設定回路５２からの流量設定信号Ｑｓと流量演算回路４０からの流量Ｑｃに基づいて演算制御回路５８によりコントロール弁２３ａ，２３ｂが制御される。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを抑制しつつ、処理時間を短縮することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を支持する基板支持部２２０と、基板支持部の周囲から複数の基板を加熱する加熱部２３０と、基板と直交する方向に離間して配置され、薄膜を形成するためのガスを供給する３つのガス供給部３００，３２０，３４０と、ガス供給部から供給されるガスの温度を調節する、３つの温度調節部３０６，３２６，３４６と、温度調節部を個別に制御する温度制御部と、を備え、ガス供給部の各々は、原料ガスを供給するための原料ガス供給管３０２，３２２，３４２と、反応ガスを供給するための反応ガス供給管３０４，３２４，３４４と、を備え、温度制御部は、３つのガス供給部のうち、中心側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度が、周辺側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度よりも高くなるように、温度調節部を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成し維持する減圧容器と、前記減圧容器の前記成膜空間に原料ガスを供給する、原料ガス供給ユニットと、前記減圧容器の前記成膜空間にパージガスを供給する、パージガス供給管と、を有する。前記原料ガス供給ユニットは、前記原料ガスを前記成膜空間に供給する、ピストンを備え、前記ピストンを用いて、前記原料ガスを間歇的に前記成膜空間に供給する。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
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【課題】フッ素ガス発生装置で発生させたフッ素ガスを半導体処理装置に、安定、大量かつ精密な濃度で供給可能なフッ素ガスの供給システムを提供する。
【解決手段】フッ素ガスの供給システムにおいて、バッファタンク５に貯蔵した混合ガスを、バッファタンク５内で混合ガスを調整する前のガス導入配管４に導入し、混合ガスを循環させること、また、混合ガス中のフッ素濃度を測定する監視装置１３を設け、得られたフッ素濃度に応答して、不活性ガス供給源２の流量を調整できる構成。 （もっと読む）