【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置されるサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、被処理基板１０上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド１３０は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００が収容される処理室２０１と、気化空間２７１を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料２７０を気化して気化ガスを生成する液体原料容器２６０と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン２４０ａと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置２６３と、気化空間内の圧力を測定する圧力計２６１と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部２６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第１流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第２流量監視ユニットと、第１流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第１流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第２流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】液化ガスの再液化を防ぎながら液化ガスの流量を精密に制御可能なマスフローコントローラーを提供する。
【解決手段】実施形態のマスフローコントローラー１００は、流入口１１から流入した液化ガスを分流するセンサー用配管１３とバイパス配管１４と、前記センサー用配管を覆うように配置された熱式センサー７と、前記センサー用配管を覆って前記センサー用配管と共に二重配管を形成し、前記センサー用配管および前記バイパス配管に連通する断熱領域１５と、前記連通を遮断して前記断熱領域を閉鎖領域とする閉鎖バルブ１と、を備える。実施形態のマスフローコントローラーは、前記センサー用配管と前記バイパス配管とから合流した前記液化ガスの流出口１２と、前記熱式センサーの検出結果に基づいて前記流出口から流出する前記液化ガスの流量を制御する制御手段と、前記各部位の全体を下方から加熱するヒーター２と、をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、高精度な流量制御の下でプロセスチャンバへ安定供給できる原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置を提供する。
【解決手段】マスフローコントローラ３を通してキャリアガスＧ_Ｋをソースタンク５内へ供給し、恒温部により一定温度に保持して発生させた原料４の飽和蒸気Ｇをプロセスチャンバへ供給する原料気化供給装置において、前記ソースタンクからの混合ガスＧ_Ｓの流出通路に自動圧力調整装置８を設け、その下流側にマスフローメータ９を設け、前記自動圧力調整装置のコントロールバルブ８ａを開閉制御することによりソースタンク５の内部圧力Ｐｏを所定値に制御する。マスフローコントローラ３によるキャリアガスＧ_Ｋの流量Ｑ_１と前記ソースタンク内圧Ｐｏとマスフローメータ９の混合ガスＧｓの流量Ｑ_Sの各検出値を原料濃度演算部へ入力して原料４の流量Ｑ_２を演算し、更に原料濃度Ｋを演算し、表示する。 （もっと読む）

【課題】 固体原料或いは液体原料を加熱して生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置を用いて流量制御しつつプロセスチャンバへ安定して供給できるようにすることにより、原料の気化供給装置の小型化と、半導体製品の品質向上を図ると共に、原料の残量管理を容易に出来るようにする。
【課題解決手段】 原料を貯留したソースタンクと，ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と，当該原料蒸気供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と，前記ソースタンクと供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Ｃにそれぞれ接続される複数のガス供給装置１０を具備し、前記各ガス供給装置１０が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管１と、各成分ガス供給管１を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構４と、各成分ガス供給管１を束ねる材料ガス供給管２とを具備しており、前記流量制御機構４が、各成分ガス供給管１にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁Ｖ、個別圧力センサＰ及び流体抵抗素子Ｒと、前記材料ガス供給管２に設けられた共通圧力センサＰＣと、各成分ガス供給管１を流れるガス流量を、個別圧力センサＰで測定した圧力及び前記共通圧力センサＰＣで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Ｖを制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第３のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形Ａ１がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形Ａ２が形成される。波形Ａ２は、ノイズレベルの信号である。第３のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第１のセンサ、第２のセンサ、及び第３のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室１ａ内を臨むガス導入部４を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間４ａ、４ｂを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段５１を介設したガス供給管５_１、５_２が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口４２ａ、４２ｂが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段７１を介設した１本のガス管７を分岐した分岐管が７_１、７_２夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを用いることなしに液体原料ガスの蒸気である原料ガスのみを高精度で流量制御しつつプロセスチャンバへ安定供給可能な構造の簡素化及び小型化を図った原料ガス供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料ガスを貯留するソースタンク５の温度を設定値に保持すると共に、ソースタンクの内部上方空間部から導出した液体原料ガスの蒸気である原料ガスＧ１のプロセスチャンバ１１への供給圧力を自動圧力調整装置６によって制御し、自動圧力調整装置の二次側ガス流通路内の原料ガス圧を所望の設定圧に保持しつつ原料ガスＧ１を絞り部を介してプロセスチャンバへ供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させる。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル（塵埃）の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばす。
【解決手段】気化ユニット内に堆積した生成物を除去して気化ユニットを洗浄する気化ユニットの洗浄方法において、生成物が堆積した気化ユニット内に第１の洗浄液を供給する第１の工程と、第１の洗浄液を気化ユニット内から排出しない状態で、気化ユニット内に第２の洗浄液を供給する第２の工程と、第１の洗浄液および第２の洗浄液を気化ユニットから排出する第３の工程と、を順に行う。 （もっと読む）

【課題】固体前駆体の蒸気濃度が均一でかつ充分に高い濃度のままである、固体前駆体の蒸気を送達するための改良された送達装置および方法を提供する。
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れは２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れおよび第２の流れは一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れにおける固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れのフロー方向、第２の流れのフロー方向および第３の流れのフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れ２０２は２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置１０２の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れ２０２および第２の流れ２０４は一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れ２０６における固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れ２０２のフロー方向、第２の流れ２０４のフロー方向および第３の流れ２０６のフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】パルス化された質量流量の前駆気体（precursor gases）を半導体処理チャンバの中へ搬送するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】搬送チャンバ１２と、チャンバ１２の中への質量流量を制御する第１の弁１４と、チャンバ１２からの質量流量を制御する第２の弁とを含み、実際に、プロセス・チャンバの中へ流れ込む物質の量（質量）を測定する。チャンバ１２内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサ１８と、チャンバ１２の表面上又は内部の温度の測定値を提供する温度センサ２０とを有する。入力装置２２は、所望の質量流量を受け取り、コンピュータ・コントローラ２４が、圧力トランスデューサ１８と温度センサ２０と弁１４及び１６と入力装置２２とに接続され、出力装置２６は、コントローラ２４に接続されており、システム１０によって搬送される質量に関する指示。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、プロセスチャンバへ安定して供給し、原料の残量管理を容易にする原料の気化供給装置を提供する。
【解決手段】原料４を貯留したソースタンク５と、キャリアガス供給源１からのキャリアガスＧ_１をソースタンク５の内部上方空間５ａへ供給する流路Ｌ_１と、コントロール弁ＣＶ_１の開度調整により内部上方空間５ａの圧力を制御する自動圧力調整装置１５と、原料４より生成した原料蒸気と前記キャリアガスとの混合体である混合ガスＧ_０をプロセスチャンバ１１へ供給する流路Ｌ_２と、コントロール弁ＣＶ_２の開度調整によりプロセスチャンバ１１へ供給する混合ガスＧ_０の流量を自動調整する流量制御装置１９と、流路Ｌ_１及び流路Ｌ_２を設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、内部上方空間５ａを所望の圧力に制御しつつプロセスチャンバ１１へ混合ガスＧ_０を供給する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、エピタキシャル膜の高品質を維持しながら生産性を向上させ、原料ガスの利用効率を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入され、成膜処理が行われる複数の反応室と、複数の反応室内に原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと原料ガス供給ラインにおける原料ガスの流量を制御する流量制御機構とを有する原料ガス供給機構と、複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給する複数のキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、複数の原料ガス供給ラインの内、同時刻において少なくとも一つが開放状態となるように複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、原料ガスを供給する反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、０．３以上で０．８以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ラインの増設・変更に容易に対応できる集積化流体制御装置およびこのような流体制御装置を備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置は、各ラインA1,A2,A3,A4,A5,B1,B2,B3が複数のブラケット8,9,18,19,20を介して基板1に着脱可能に取り付けられ、通路接続手段47,48が上方に取り外し可能とされている。複数の継手部材11,12,13,14,15,16,17として、複数の管状継手部材13,15,17と複数のブロック状継手部材11,12,14,16とが使用されている。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）