【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第１の温度に制御する第１の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第１の温度よりも低い第２の温度に制御する第２の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、基板中央の温度（第１の温度）よりも基板周縁の温度（第２の温度）を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２よりも高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部２１６と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Ｌに戻すガス回収部２２０と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部２２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Ｃにそれぞれ接続される複数のガス供給装置１０を具備し、前記各ガス供給装置１０が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管１と、各成分ガス供給管１を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構４と、各成分ガス供給管１を束ねる材料ガス供給管２とを具備しており、前記流量制御機構４が、各成分ガス供給管１にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁Ｖ、個別圧力センサＰ及び流体抵抗素子Ｒと、前記材料ガス供給管２に設けられた共通圧力センサＰＣと、各成分ガス供給管１を流れるガス流量を、個別圧力センサＰで測定した圧力及び前記共通圧力センサＰＣで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Ｖを制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ガス導入管や噴出孔への副生成物の堆積を抑制しながらチューブ内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高い熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による横型拡散炉は、キャリアガスをプロセス温度付近まで昇温させる昇温管路９と、原料ガス導入管７の噴出孔１０近傍に設けられ、昇温管路９において昇温されたキャリアガスと常温のプロセスガスを混合する混合機構１１を有している。これにより、原料ガスを石英チューブ１の内部に導入する直前にプロセス温度に昇温させることができるため、原料ガス導入管７や噴出孔１０への副生成物の堆積が抑制される。また、プロセス温度に昇温された原料ガスを石英チューブ１に導入することにより、石英チューブ１内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、プロセスチャンバへ安定して供給し、原料の残量管理を容易にする原料の気化供給装置を提供する。
【解決手段】原料４を貯留したソースタンク５と、キャリアガス供給源１からのキャリアガスＧ_１をソースタンク５の内部上方空間５ａへ供給する流路Ｌ_１と、コントロール弁ＣＶ_１の開度調整により内部上方空間５ａの圧力を制御する自動圧力調整装置１５と、原料４より生成した原料蒸気と前記キャリアガスとの混合体である混合ガスＧ_０をプロセスチャンバ１１へ供給する流路Ｌ_２と、コントロール弁ＣＶ_２の開度調整によりプロセスチャンバ１１へ供給する混合ガスＧ_０の流量を自動調整する流量制御装置１９と、流路Ｌ_１及び流路Ｌ_２を設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、内部上方空間５ａを所望の圧力に制御しつつプロセスチャンバ１１へ混合ガスＧ_０を供給する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器の内部の圧力を測定するための第１の圧力計側部Ｍ１と、第２の気化器の内部の圧力を測定するための第２の圧力計側部Ｍ１１と、第１の圧力計側部Ｍ１により測定した第１のデータに基づいて第１の原料ガスの供給量を算出し、第２の圧力計側部Ｍ１１により測定した第２のデータに基づいて第２の原料ガスの供給量を算出し、算出した第１の原料ガスの供給量と算出した第２の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第４族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板処理室２３０内に位置して、シャワープレート１１０と対向するように被処理基板３００を支持する基板支持部２１０と、ガス導入室１３０内において、ガス配管１４０とシャワープレート１１０との間でシャワープレート１１０と対向するように位置してガス導入室１３０を分割し、ガス配管１４０側からシャワープレート１１０側に原料ガス１８０を通過させる複数の孔部１２１を有する仕切板１２０と、仕切板１２０を傾斜可能に支持して、仕切板１２０とシャワープレート１１０との間の距離を連続的に変更可能なシャフト１６０とを備える。シャフト１６０により仕切板１２０の位置を調節することにより、孔部１１１および孔部１２１を通過する流速を調整された原料ガス１８０を基板支持部２１０に支持された被処理基板３００上に供給する。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】
物理的に質の異なる流体を含む輸送流体を流体輸送路に複数の筒状ノズルを設けるだけで均質化して混合することができる流体混合器および流体混合輸送路あるいは流体混合方法を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、流体輸送管の内部に複数の筒状ノズルを配置して複数の筒状ノズルの前後の筒状ノズルにより相互にサイクロン流を逆方向に旋回させることで、物理的に質の異なる流体を混合して輸送流体を均質化して輸送する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。
【解決手段】半導体基板処理のためのガス供給システムであって、複数のガス供給部１６，１８，２０と、複数のガス供給部からのガスを混合する混合マニホールド３０と、混合ガスをチャンバー内の異なったゾーンへ送る複数のガス供給ライン１２，１４と、コントロールバルブ３４とを含む。装置を利用する方法では、半導体基板を反応チャンバーに供給し、混合ガスを第１及び第２のゾーンへ供給し、第１及び第２のゾーンで所望の混合ガス流量比を作るために少なくとも第１のガス供給ライン上及び第２のガス供給ライン上のいずれかの混合ガス流量をコントロールバルブで調節することによって、基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、微結晶シリコン膜の高品質・高速製膜化が可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、凹部と平坦部を設け、該凹部に原料ガスを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該平坦部に希釈ガスを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該希釈ガス噴出孔をその方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。 （もっと読む）