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【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。 (もっと読む)


【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン1aから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン2aから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン2bより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン1bより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 (もっと読む)


【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置60は、シャワーヘッド16と、処理ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する処理ガス供給部66と、処理ガス供給部66からの処理ガスを流す処理ガス供給流路64と、処理ガス供給流路64から分岐してシャワーヘッド16に処理ガスを供給する分岐流路64a,64bと、付加ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する付加ガス供給部75と、付加ガス供給部75からの付加ガスをシャワーヘッド16に流す付加ガス供給流路76とを具備し、シャワーヘッド16は、ウエハWの配置領域にガスを供給する第1、第2ガス導入部51,52と、ウエハWの外縁よりも外側にガスを供給する第3ガス導入部53とを有し、分岐流路64a,64bは第1、第2ガス導入部51,52に接続され、付加ガス供給流路76は、第3ガス導入部53に接続されている。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第1の材料ガス及び第2の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第1の材料ガス供給室及び第1の材料ガス供給室の上部に設けられた第2の材料ガス供給室と、第1の材料ガス供給室に隣接して第1の材料ガス供給室の下部に設けられた第1の冷却ジャケット及び第1の冷却ジャケットの下部に配された第2の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第1の材料ガス供給室に連通して第1の材料ガスを噴出する第1の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第2の材料ガス供給室に連通して第2の材料ガスを噴出する第2の材料ガス通気孔と、を有する。 (もっと読む)


【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、1本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】異なるガスを交互に流して成膜て、スループットが向上できるようにする。
【解決手段】応炉20、真空ポンプ26に接続された排気配管40、成膜に寄与する第1のガスを供給する第1供給配管41、第2のガスを供給する第2供給配管38、第1、第2供給配管の供給及び排気配管40の排気を制御するバルブ22〜25、第1供給配管41に設けられたガス溜り21、制御手段29を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、炉20の排気を止めた状態で第1のガスを炉20に供給することにより、炉20を昇圧状態として基板Wを第1のガスに晒す。ポンプ26で炉20を排気しつつ第2のガスを第2供給配管38を介して炉20に供給することにより、基板を第2のガスに晒す。 (もっと読む)


【課題】HEMT及びその他の高速スイッチングデバイスにおいて、意図しない不純物のドープはを防ぎ高性能なデバイスを提供する。
【解決手段】半導体構造は、基板、基板上方の遷移体、及び遷移体上方に底面を有するIII−V族中間体を備える。半導体構造はさらに、III−V族中間体の頂面上方にIII−V族デバイス層を備える。III−V族中間体213は、前記底面211において高く、前記頂面213において低くなる形で連続的に減少された不純物濃度を有する。 (もっと読む)


【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置20の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8と該薄膜上に形成された金属薄膜9とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜9とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚の60%以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶粒の全数の6%以上15%以下となるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板S上にシリコン膜F1を成膜する第1の工程(プリミックス)と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜F2を成膜する第2の工程(ポストミックス)とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板S上にプリミックスによりシリコン膜F1を成膜しそのシリコン膜F1上にポストミックスによりシリコン膜F2を成膜する方法、基板S上にシリコン膜F1及びF2を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が10Torr以上となるまでクリーニングガスを供給する第1段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第2段階と、を有し、第1段階と第2段階とを1サイクル以上行う。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Bでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした2層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、バッファ層の厚さをd、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をx、所定の割合をPとして、[B+(A−B)×x/d]×(1−P)≦C≦[B+(A−B)×x/d]×(1+P)とした。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理の特性を多様に変化させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
このプラズマ処理装置は、マイクロ波のエネルギーを、処理容器2の上部に配置された誘電体窓16を介して処理容器2内に供給して、ガス供給源100から処理容器2内に供給した処理ガスをプラズマ化して、処理容器2の下部に配置された基板Wをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、ガス供給源100から供給される処理ガスを、誘電体窓16からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第1及び第2のガス導入部を備えている。 (もっと読む)


【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ1つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に1.5〜5slmの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において1〜100slmであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】 セレン化を均一に且つ短時間で行うことができるセレン化炉及び化合物半導体薄膜の製造方法並びに化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー11、14と、前記チャンバー11内にセレン化ガスを含む処理ガスを高圧で導入するガス供給源25、26と、前記ガス供給源と前記チャンバーとの間に設けられて当該チャンバー内に導入されるガスを常圧より高く所定の圧力に調整するガス圧調整手段28と、前記チャンバー内を加熱する加熱手段12と、前記チャンバー11内のガスを排出する排出手段22、29と、前記チャンバー内に被処理物2を載置するための置台18とを具備する。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD装置に損傷を与えることなく効率よくクリーニングする。
【解決手段】真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマCVD装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマCVD装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量Qを所定値Qnへ増加させ、高周波電力Pを所定値Pnへ増加させ、キャリアガス流量Rを所定値Rnへ減少させ、その際に、Q,R,Pの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、Q、R、Pがそれぞれ所定値Qn,Rn,Pnの状態でクリーニングを行うクリーニング工程とを含むプラズマCVD装置のクリーニング方法。 (もっと読む)


【課題】InAlN電子供給層上にGaN層を形成する場合でも、InAlN電子供給層の品質の悪化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板10上にGaN電子走行層14を形成する工程と、GaN電子走行層14上にInAlN電子供給層18を形成する工程と、InAlN電子供給層18を形成した後、In含有ガスを供給しつつ、基板10を昇温させる工程と、昇温が終了した後、InAlN電子供給層18上にGaN層20を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを有し、n型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が2nm〜200nmであるパイプ穴を5000個/cm2以下有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉11内に半導体原料ガスを供給し、反応炉11内の基板12上に化合物半導体膜を成長させる気相成長装置10において、反応炉11内に半導体原料ガスの供給口13を複数設け、複数の供給口13からそれぞれ半導体原料ガスを供給して反応炉11内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整するものである。 (もっと読む)


【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とを含む皮膜が一主面の上にそれぞれ配されている複数の基板が準備される。次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。次に、各皮膜に係る指標に基づいて、一加熱炉内の基板配列領域に複数の基板が上記物質量の差の順に配列される。次に、一加熱炉内において、各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、各指標に応じた物質量のカルコゲン元素を含む気体が単位時間毎に流されながら、複数の基板が加熱されることで、各基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 (もっと読む)


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