【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、５０秒を超えて３００秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後、ベース基板の上に、接着層、バッファ層および活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程を有し、接着層形成工程が、第１結晶層を形成する工程と第２結晶層を形成する工程と、を有し、第１結晶層の形成後であって第２結晶層の形成前の第１の段階、および、第２結晶層の形成後であってバッファ層の形成前の第２の段階、からなる群から選択された少なくとも１つの段階において、３族原料ガスの供給を停止するとともに成長室の内部を、アンモニアを含むガスの雰囲気に一定時間だけ維持する雰囲気維持工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを供給し、下地２表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜４をエッチングし、該アモルファスシリコン膜４の膜厚ｔを減ずる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＮ電子供給層上にＧａＮ層を形成する場合でも、ＩｎＡｌＮ電子供給層の品質の悪化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上にＧａＮ電子走行層１４を形成する工程と、ＧａＮ電子走行層１４上にＩｎＡｌＮ電子供給層１８を形成する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を形成した後、Ｉｎ含有ガスを供給しつつ、基板１０を昇温させる工程と、昇温が終了した後、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上にＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを有し、ｎ型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が２ｎｍ〜２００ｎｍであるパイプ穴を５０００個／ｃｍ²以下有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、エピタキシャル膜の高品質を維持しながら生産性を向上させ、原料ガスの利用効率を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入され、成膜処理が行われる複数の反応室と、複数の反応室内に原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと原料ガス供給ラインにおける原料ガスの流量を制御する流量制御機構とを有する原料ガス供給機構と、複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給する複数のキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、複数の原料ガス供給ラインの内、同時刻において少なくとも一つが開放状態となるように複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、原料ガスを供給する反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光ＣＶＤ法を用いて、基板上に電気絶縁性の高い緻密なシリコン酸化膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを前記処理室内に供給し、前記直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する成膜工程と、前記直鎖状無機シリコンガスの供給を停止し、前記酸素含有ガスを前記処理室内に供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する改質工程と、前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、から半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン薄膜を安定して基板上に成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、成膜容器と、薄膜の原料であるシランガスを成膜容器に供給するシランガス供給部と、シランガスを希釈する希釈ガスを成膜容器に供給する希釈ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、成膜容器の内部に配置されるシリコン基材と、シランガス供給部がシランガスを供給するタイミング、及び、希釈ガス供給部が希釈ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＡｌＮ下地層の上面における凹凸をマスクするように平滑な上面を有する高Ａｌ組成比のＡｌＧａＮ層形成し、ＡｌＮ下地層の表面凹凸に起因するＶ字欠陥を上面に含まない窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハ（１０）は、Ｓｉ基板上（１）にＭＯＣＶＤで順次積層されたＡｌＮ下地層（２）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０．６≦ｘ＜１）のモフォロジー改善層（３）、ＡｌＧａＮバッファ層（４）を含み、そのモフォロジー改善層（３）は熱拡散を利用して平滑化された上面を有することと特徴としている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。
【解決手段】シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１を用いて、処理用ガス供給装置３から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源２から高周波電極６に第１周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極５との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板８のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。
【解決手段】まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。次に、ＴＭＡのみをオンとし、ＴＭＧをオフのままとしたプリフロー工程を行う。プリフロー工程において、ＴＭＡの流量は、第２の流量ｆ_２に設定される。ｆ_２は、電子走行層１２とバリア層１３との間に急峻な界面が形成されるように設定される。次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 アミノシラン系ガスを供給する供給機構１２２、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構１２１を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内１０１において順次実行する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）