【課題】炉体を用いたバッチ式成膜装置で、多孔ノズルを用いて原料ガスを供給するＡＬＤ成膜ではノズル内のガス置換が不十分となり原料が残留する結果、パーティクルの発生や膜厚の面内均一性が悪化する問題を回避する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ノズル１０６の先端を閉塞させずに、配管１３２およびバルブ１３３を介して真空ポンプに接続するようにした。反応室１０２とは独立してノズル１０６内の真空排気、パージを容易にできるので原料の置換効率が向上し、原料の残留を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 反応生成物が基板以外の領域に堆積することを防止すると共に、再現性良く半導体を成長させることができるＭＯＣＶＤ装置又は半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機金属気相成長装置は、内部に配置されたサセプタ１５上に基板１Ａを保持するチャンバー１０と、チャンバー１０の壁部から内部にかけて設けられ、チャンバー１０内に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口２ｄと、チャンバー１０の壁部から内部にかけて冷却ガス導入口２ｄとは独立して設けられ、チャンバー１０内に原料ガスを導入するプロセスガス導入口２ａ及び２ｂと、プロセスガス導入口２ａ及び２ｂから連続するように設けられ、プロセスガス導入口２ａ及び２ｂから導入される原料ガスを基板１Ａ上に搬送するプロセスガスフローチャンネルとを備えている。冷却ガス導入口２ｄは、冷却ガスがプロセスガスフローチャンネルの外壁に当たるような位置に設置されている。 （もっと読む）