説明

Fターム[5F045EF03]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | ノズル・整流・遮蔽・排気口 (3,640) | ノズルの形状、構造 (2,841) | 筒状部材の側面にガス噴出孔を有するもの (475)

Fターム[5F045EF03]の下位に属するFターム

Fターム[5F045EF03]に分類される特許

1 - 20 / 427



【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積載配置して収容する処理容器203と、処理容器203に基板200を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段232a、232b、249a、249bと、処理容器203を排気する排気手段300と、を有し、排気手段300は、真空ポンプ246と、処理容器203と真空ポンプ246を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造370を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管331〜333で構成される。 (もっと読む)


【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。 (もっと読む)


【課題】反応管内の異物汚染を抑制可能な半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】処理室内で基板に対し膜を形成する工程と、該膜形成後の処理室内の少なくとも一部に堆積した堆積物を除去する工程とを有し、前記除去工程では、前記堆積物をエッチングする第一ガスを前記処理室内に供給する第1工程と、少なくとも前記第一ガスよりも前記処理室を構成する部材に対するエッチング力が弱いか、若しくは前記部材に対するエッチング力のない第二ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内の圧力を上昇させる第2工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 (もっと読む)


【課題】消費エネルギーを抑制しつつ成膜性能を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ2を処理室20へ搬入する搬入工程(S1)と、処理室20を排気する排気工程と、処理室20を所定の圧力まで降下する降圧工程(S2)と、複数の処理ガスを供給してウエハ2に膜を形成する成膜工程(S4)と、処理室20を所定の圧力まで上昇する昇圧工程(S7)と、ウエハ2を処理室20から搬出する搬出工程(S8)と、成膜工程(S4)における排気量が、降圧工程(S2)及び昇圧工程(S7)における排気量よりも大きくなるように調整する調整工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO2パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 (もっと読む)


【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 (もっと読む)


【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める。
【解決手段】複数枚の基板を積層して収容した処理室12の内周面に区画され、一対の電極を内部に収容する放電室に処理ガスを供給する工程と、前記電極に電力を印加してプラズマを形成し前記処理ガスを活性化させる工程と、を行い、活性化された前記処理ガスを用いて前記基板を処理する。 (もっと読む)


【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第1の開口寸法を有する一又は複数の第1の開口部、及び前記第1の開口寸法よりも小さい第2の開口寸法を有する複数の第2の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第1の開口部と、隣のバッフル板の前記第1の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から2倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器65と、処理容器65内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部44と、処理容器65を加熱する加熱部63と、気体を供給する供給部91と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口92aとを含み、供給部91が供給口92aの各々を介して処理容器65に気体を供給することによって処理容器65を冷却する冷却部90とを有する。冷却部90は、供給口92aの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 (もっと読む)


【課題】ガスクリーニングの際に供給されるO2に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、SiC成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内22内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート15を反応室22に搬入し、反応室22内を所望の圧力(真空度)、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ42,45、およびバルブ46,49を制御し、クリーニングガス(Cl2、Ar)を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってO2ガスが発生する。この発生したO2ガスが、SiC膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内22内のクリーニングが行われる。 (もっと読む)


【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するALDにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ALDを行う成膜装置101と、アニール処理を行う熱処理装置102と、を真空搬送室103に気密に接続すると共に、真空搬送室103内に自転機構である回転ステージ132を設ける。そして、ウェハに対してBTBASガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでBTBASガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するO3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置101からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供すること。
【解決手段】複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向において処理領域の間に位置する分離領域と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備える基板処理装置において、前記回転テーブルは、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成される。これによって加熱部から基板への熱伝導性を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図2に示すように、処理室209の外壁205とインナーチューブ206の間にガス導入空間210を設け、このガス導入空間210内に誘導加熱するための加熱体207を設けている点にある。これにより、ガス供給部211から供給される原料ガスは、まず、処理室209の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間210内に導入され、このガス導入空間210に設けられている加熱体207によって加熱される。 (もっと読む)


【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間205を設けているので、表面積の大きなガス導入空間205の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室203に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室203の内部に配置されているウェハWFとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室203に導入されるガスと、処理室203の内部に配置されているウェハWFとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハWF上に形成される膜の品質を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部80とウエハWとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド95を設けると共に、プラズマ発生部80において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ83の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット97を当該アンテナ83に沿って前記ファラデーシールド95に形成して、各々のスリット97の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ83の長さ方向に沿うように導電路97a、97aを配置する。 (もっと読む)


【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器1内において、BTBASガスが供給される処理領域P1とOガスが供給される処理領域P2を、水平面に沿って回転する回転テーブル2の周方向に沿って配置する。前記処理領域P1のBTBASガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル2の外側に設けられた排気口61を設けると共に、この排気口61を覆い、基板載置領域24の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト7を設ける。この排気ダクト7には、基板載置領域24の少なくとも内縁側の位置に第2の排気用開口部が設けられており、第1の処理ガスノズル31から吐出されたBTBASガスは、この第2の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハWの径方向に高い均一性を持ってBTBASガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 (もっと読む)


1 - 20 / 427