【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜の製造時に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とカルコゲン元素とを含んでいる皮膜が一主面上に各々配されている複数の基板が準備される。そして、一加熱炉内の基板配置領域に複数の基板のうちの２以上の基板が配置される。更に、複数のガス排出部による一加熱炉内からの排気が調整されることによって、２以上の基板に配されている各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、前記カルコゲン元素を含む気体を、前記２以上の基板に配されている各前記皮膜についての前記金属元素の含有量と前記カルコゲン元素の含有量との差を示す指標に応じて単位時間当たりの前記カルコゲン元素の供給量が異なるように流されながら、２以上の基板が加熱されることで、該２以上の基板上に化合物半導体の薄膜が各々形成される。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器１内において、ＢＴＢＡＳガスが供給される処理領域Ｐ１とＯ_３ガスが供給される処理領域Ｐ２を、水平面に沿って回転する回転テーブル２の周方向に沿って配置する。前記処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル２の外側に設けられた排気口６１を設けると共に、この排気口６１を覆い、基板載置領域２４の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト７を設ける。この排気ダクト７には、基板載置領域２４の少なくとも内縁側の位置に第２の排気用開口部が設けられており、第１の処理ガスノズル３１から吐出されたＢＴＢＡＳガスは、この第２の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハＷの径方向に高い均一性を持ってＢＴＢＡＳガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とを含む皮膜が一主面の上にそれぞれ配されている複数の基板が準備される。次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。次に、各皮膜に係る指標に基づいて、一加熱炉内の基板配列領域に複数の基板が上記物質量の差の順に配列される。次に、一加熱炉内において、各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、各指標に応じた物質量のカルコゲン元素を含む気体が単位時間毎に流されながら、複数の基板が加熱されることで、各基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】III族原料ガスとＶ族原料ガスとを用いて基板上に窒化物系半導体層を気相成長させる気相成長装置が提供される。気相成長装置は、基板が配置される反応室と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか一方を基板に向けて供給する第１ガス供給部と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか他方を基板に向けて供給する第２ガス供給部と、を備える。第１及び第２ガス供給部の少なくともいずれかは、III族及びＶ族原料ガスを混合する混合部を有する。ガス供給部は、III族及びＶ族原料ガスの一方を供給して第１半導体層を成長させる動作と、混合されたガスを供給してIII組成比が第１半導体層とは異なる第２半導体層を成長させる動作と、を切り替え可能である。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）