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Fターム[5F045EH16]の内容

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【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置60は、シャワーヘッド16と、処理ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する処理ガス供給部66と、処理ガス供給部66からの処理ガスを流す処理ガス供給流路64と、処理ガス供給流路64から分岐してシャワーヘッド16に処理ガスを供給する分岐流路64a,64bと、付加ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する付加ガス供給部75と、付加ガス供給部75からの付加ガスをシャワーヘッド16に流す付加ガス供給流路76とを具備し、シャワーヘッド16は、ウエハWの配置領域にガスを供給する第1、第2ガス導入部51,52と、ウエハWの外縁よりも外側にガスを供給する第3ガス導入部53とを有し、分岐流路64a,64bは第1、第2ガス導入部51,52に接続され、付加ガス供給流路76は、第3ガス導入部53に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 (もっと読む)


【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室1aで基板Wと共に配置されるターゲット3〜3のスパッタ面3a側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場M1,M2を形成する磁石ユニット4〜4と、ターゲットの長手方向をX方向、このX方向に直交する方向をY方向とし、磁石ユニットをX方向及びY方向の少なくとも1方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段6とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド5を更に有する。 (もっと読む)


【課題】マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
円筒部材12の外周に沿って配置された複数の成膜部は、第一、第二の仕切板21、22の間の成膜空間23を真空排気する真空排気部24と、成膜空間23に原料ガスを放出する原料ガス放出部25と、原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部26と、第一、第二の仕切板21、22に架設され、表面が円筒部材12の外周側面と対向されたマスク板27とをそれぞれ有しており、円筒部材12の外周側面に裏面が密着し、円筒部材12の回転に伴って、各マスク板27の開口28と対面しながら走行するフィルム51の表面に薄膜を形成する。各成膜空間23の外側に副ガスを放出する副ガス放出部31を有し、各マスク板27の円筒部材12と対面する部分には排気口32が形成され、マスク板27と円筒部材12との間の気体を排気口32から排気する。 (もっと読む)


【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの2層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド18は、ガス導入孔61aが形成された金属製の上部プレート61と、複数のガス通過孔66が形成された金属製の下部プレート62と、上部プレート61と下部プレート62との間に設けられたガス拡散空間Sと、下部プレート62の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔66に対応して複数のガス吐出孔67が形成されたセラミックス製のカバー部材64と、ガス拡散空間S内に上部プレート61と下部プレート62との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材70a,70bとを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマALD法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記成膜容器に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給部と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、前記原料ガスと前記反応ガスとが交互に供給されるように、前記原料ガス供給部と前記反応ガス供給部とを制御し、かつ、前記高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、前記基板を上面に載置するサセプタと、前記サセプタに設けられ、前記成膜容器の成膜空間内の前記基板の上方に磁界を発生させる磁界発生部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】成膜に寄与するガスを効率よく使用することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスを前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方の前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】基板上部で安定してプラズマを発生させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極(16)上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと;放電キャビティの外部に配置された複数の磁石(1,2)であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と;を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 (もっと読む)


【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第1の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第2の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化膜の窒化速度を向上させる。
【解決手段】ガス流量制御部により処理ガス中の水素含有ガスと窒素含有ガスとの流量をそれぞれ調整し、処理ガス中に含まれる水素原子の数と窒素原子の数との総数に対する水素原子の数の比率Rを0%<R≦80%とする工程と、ガス供給部により処理ガスを処理室内に供給する工程と、プラズマ生成部により励起した処理ガスで酸化膜が形成された基板を処理する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはCVD成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 (もっと読む)


【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。
【解決手段】基板を第1の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第1の温度よりも高い第2の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ10は、線状のアンテナ導体13と、アンテナ導体13の周囲に設けられた誘電体製保護管14と、誘電体製保護管14の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体13の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管14を少なくとも1箇所覆うと共に少なくとも1個の開口153を有する堆積物シールド15とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも1箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 (もっと読む)


【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜401を第1の処理部により窒化する第1の工程と、窒化された酸化膜401n上に第2の処理部によりシリコン酸化膜402を形成する第2の工程と、シリコン酸化膜402を第1の処理部により窒化402nする第3の工程と、を有し、第1の工程を実施した後、第2の工程と第3の工程とを1サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 (もっと読む)


【課題】プロセス性能に悪影響を及ぼすことなく、また異物を発生させることなくプラズマ消火時のチャージングダメージの発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハを載置し、高周波バイアス電源と接続され高周波電力が印加されるウェハ載置電極103と、ウェハ載置電極103に対向して配置された上部電極102と、ウェハ載置電極103の周辺部に配置され、高周波電圧が印加される導電性リング105とを有するプラズマ処理装置において、過渡プラズマであるプラズマ消火の際、ウェハ中心部のセルフバイアスとウェハ外周部のセルフバイアスの差を低減できるようにウェハ載置電極103に印加される高周波電圧に対する導電性リング105に印加される高周波電圧の比率を制御する。 (もっと読む)


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