【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部（サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等）が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板処理室２３０内に位置して、シャワープレート１１０と対向するように被処理基板３００を支持する基板支持部２１０と、ガス導入室１３０内において、ガス配管１４０とシャワープレート１１０との間でシャワープレート１１０と対向するように位置してガス導入室１３０を分割し、ガス配管１４０側からシャワープレート１１０側に原料ガス１８０を通過させる複数の孔部１２１を有する仕切板１２０と、仕切板１２０を傾斜可能に支持して、仕切板１２０とシャワープレート１１０との間の距離を連続的に変更可能なシャフト１６０とを備える。シャフト１６０により仕切板１２０の位置を調節することにより、孔部１１１および孔部１２１を通過する流速を調整された原料ガス１８０を基板支持部２１０に支持された被処理基板３００上に供給する。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】設置スペースが少なくて済み、装置構成を簡素化することができる温度調節手段を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にプラズマ処理を施すチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板を載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられたシャワーヘッド１４と、処理空間Ｓに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源１５と、温度調節面としてのサセプタ１２の表面１２ａの裏面１２ｂに水の濡れ面を形成する水吹きつけ装置１６と、水の濡れ面を周囲の雰囲気から隔離する蒸発室１７と、蒸発室１７内の圧力を調整する圧力調整装置１８、１９とを備えた基板処理装置において、圧力調整装置１８、１９によって蒸発室１７内の圧力を調整して濡れ面を形成する水を蒸発させ、水の蒸発潜熱を利用してサセプタ１２の表面１２ａの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着装置及びこれを利用する半導体エピ薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る化学気相蒸着装置は、所定のサイズの内部空間を有する内部管と当該内部管を覆って気密を維持する上部管とを有する反応チャンバーと、上記内部管内に配置され複数のウエハが所定の間隔に積載されて備えられるウエハホルダーと、上記ウエハの表面に半導体エピ薄膜を成長させるように上記反応チャンバー内部に外部からの反応ガスを供給する少なくとも一つのガスラインと当該ガスラインと連通して当該反応ガスを上記ウエハのそれぞれに噴射する複数の噴射ノズルとを有するガス供給部とを含み、上記ウエハの表面に成長される上記半導体エピ薄膜は、第１の導電型半導体層、活性層、第２の導電型半導体層の順に形成された発光構造物を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスの流速、濃度を、被処理基板面内或いは基板間の膜厚の変動に対して、領域ごとに制御を行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】側壁面のガス導入口２０・２１から原料ガスが導入されるガス室２０１・２１１と、成長室１１とを備え、ガス室２０１・２１１の内部には、当該内部を積層方向に複数に区画し且つガスが通過可能な開口２６１’・２６２’が形成された１つ以上の仕切り板２６１・２６２と、各仕切り板に対して、一端が当該仕切り板の開口２６１’・２６２’を含む底面に取り付けられ且つ他端がガス室２０１・２１１の最下流層の端部まで延伸されて、ガスの流れを積層方向に垂直な方向に分割する隔壁２７とが設けられ、隔壁２７により分割された最下流層の領域ごとに、ガス整流室２１２・２７２及び当該ガス整流室を経たガスを成長室１１に吐出するガス吐出口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】蒸着される金属薄膜の品質を向上させることのできるガス噴射ユニット及びこれを利用する薄膜蒸着装置及び方法を提案する。
【解決手段】ガス噴射ユニットは、反応ガスが流入される内部管と、内部管を囲み、内部管内の反応ガスを冷却する冷却流体が流れる外部管と、内部管内の反応ガスを外部管の外部へ噴射する噴射管と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Ｗを載置する載置台構造２２において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ２６が設けられた載置台本体１１４と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路２８が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台１１６とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガス管内部に堆積したシリコン化合物を、容易かつ確実に除去することができるエピタキシャルウェーハの製造装置を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル炉１０と、該エピタキシャル炉１０から排出された排ガス中に含まれる有害物質を除去するための排ガス処理手段２０と、前記エピタキシャル炉１０と前記排ガス処理手段２０とを連結し、前記排ガスが移動するための密閉空間をもつガス管３０とを具えるエピタキシャルウェーハの製造装置１であり、前記ガス管３０は、冷却された前記排ガスが液状化したシリコン化合物４０を回収するための少なくとも１つのシリコン化合物捕獲手段３１を具え、前記エピタキシャル炉１０及び排ガス処理手段２０からそれぞれ前記シリコン化合物捕獲手段３１へ向かって下方に連続的に傾斜してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平面アンテナや誘電体窓を周方向に均一に冷却できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理容器１００の側壁１４０に誘電体窓１０５を冷却するための冷媒流路１４５を設ける。冷媒流路１４５には、相変化させることなく液相又は気相の冷媒が流される。側壁１４０の周方向に伸びる冷媒流路１４５の少なくとも一部は、上流から下流に向けて漸次断面積が小さくなる。ここで、冷媒流路１４５の断面積を小さくすれば、冷媒の流速が大きくなり、熱伝達率が大きくなる。冷媒流路１４５の断面積を上流から下流に向けて漸次小さくすると、冷媒の温度上昇に伴う温度差の低下分を熱伝達率の向上分により補うことができ、冷媒流路１４５の長さ方向における熱移動量をほぼ一定にすることができる。このため、平面アンテナ９０５や誘電体窓１０５を周方向に均一に冷却することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
冷媒中間室のヒータからの加熱による劣化や破損を防止し、かつ、作製が容易で、かつシャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る冷媒中間室を備える気相成長装置を提供する。
【解決手段】
シャワープレート上に、ガスを充満させるガス中間室と、前記ガスを冷却する冷媒を充満させる冷媒中間室とが、該冷媒中間室を前記シャワープレート側にして順に積層され、
前記冷媒中間室には、前記ガス中間室から前記シャワープレートの複数のガス吐出孔に連通する複数のガス供給管が貫通させるためのガス供給管貫通孔が設けられ、
前記冷媒中間室がシャワープレート、ガス中間室との境界板、ガス供給貫通孔との仕切り部で構成されており、
前記シャワープレートと前記ガス供給貫通孔との仕切り部が一体となった構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）